4 500 V沟槽栅IGBT芯片的设计与研制

为提升IGBT单芯片的电流密度,掌握高压沟槽栅IGBT技术,进行4500 V沟槽栅IGBT芯片的研制。使用TCAD仿真软件,对4500 V沟槽栅IGBT的衬底材料、载流子储存层设计、沟槽宽度、沟槽深度、假栅结构等方面进行研究和仿真分析,明确各方面设计与芯片性能的关系。根据总体设计目标,确定相应的芯片结构和工艺参数,并对4500 V沟槽栅IGBT芯片进行流片验证。验证结果显示：4500 V沟槽栅IGBT芯片的测试结果符合设计预期,芯片的额定电流、导通压降、开通损耗和关断损耗等关键参数相比平面栅IGBT芯片有明显优化。     

SiC肖特基二极管在升压斩波电路中的应用分析

对碳化硅(SiC)肖特基二极管(SBD)在升压斩波电路中的应用进行了深入研究.实验中分别对普通Si二极管和SiC SBD进行了比较,结果表明,SiC二极管具有良好的动态特性,其反向恢复电流约为普通Si二极管的1/4,同时对IGBT开通时的电流过冲有很好的抑制作用.此外,对载流子寿命对二极管反向恢复的影响进行了仿真分析,...     

大功率4H-SiC GTO晶闸管研究

此处主要从SiC-GTO晶闸管设计的3个因素进行了研究,包括:击穿电压设计、两个等效晶体管共基极电流放大系数设计以及少子寿命取值设计.通过ATLAS器件仿真得到器件的击穿特性、内部电场分布及正向I-V曲线.最后通过Silvaco-TCAD提供的MixedMode混合仿真组件,对设计的SiC-GTO进行了开关特性模拟,并与5SGS 16H4500对称型Si -GTO进行了比较,结果表明,所设计的大容量SiC-GTO也比当前Si-GTO具有更高的开关速度.     

试论在市场经济条件下如何抓好棉花质量工作

棉花是纺织工业的重要原料,是国计民生不可缺少的重要物资。近几年来,为保证棉花质量的稳定,各级专业纤检机构作了大量的工作,成绩十分突出。但从全国的情况来看,也还有不尽人意的地方,特别是1993年度,棉花的收购和销售质量问题都比较严重。那么在目前棉花市场似放不放的情况下,到底怎样抓好棉花质量和加强对棉花质量的管理?笔者认为必须解决和抓好以下四个方面的问题。 一、提高执法水平,严格依法办事是抓好棉花质量的重要保证     

CAWS600型自动气象站湿度传感器检定的不确定度分析

自动气象站各要素传感器随着时间的推移和环境的变化,测量误差将会发生漂移。为确保各要素观测数据的准确、可靠并具有可比性,定期开展自动气象站各要素的检定和校准是非常重要的。通过检定将各要素系统误差控制在允许范围内,并对检定结果进行不确定度分析,是考察检定结果可信程度的重要步骤。文章依据自动气象站检定规程要求,并根据检定数据,对自动气象站的湿度传感器检定进行不确定度分析,对自动气象站检定可信度评估具有指导意义。     

10比特200Msps电流舵DAC的设计

实现了一款10比特200Msps采样速度的数模转换器。该数模转换器采用了8+2的分段结构,高8位比特使用温度码设计。文中详细分析了CMOS工艺下匹配问题,采取一定措施提高匹配性。该数模转换器采用3.3V供电电压,摆幅为2Vpp,提高了系统的抗干扰能力。在200Msps采样率下,后仿真结果可达到INL小于0.34LSB,DNL小于0.05LSB,有效比特数为9.9,SNDR达到61.7dB,SFDR为75.3dB。该DAC采用SMIC180nm CMOS工艺设计,整体面积为800*800μm2。     

一体化到专业化是行业变革的必然

在物业管理行业的发展里程中,如果说"一体化"管理是传统管理模式的一次蜕变的话,那么,从一体化到专业化将是一次脱胎换骨的革新。这个崭新物业行业格局的形成值得企盼,是社会的进步,也是众望所归,只是到来的时机尚不成熟。     

一种JFET区域具有N型重掺杂的1200 V碳化硅浅槽平面MOSFET器件的设计与优化北大核心

介绍了一种在JFET区域采用浅槽N型重掺杂降低器件比导通电阻与开启损耗的1 200 V碳化硅平面栅MOSFET器件。采用浅槽结构设计，减小了器件栅源电容CGS及栅漏电容与栅源电容比值CGD/CGS,降低了器件的开启损耗。浅槽下方采用的N型重掺杂使得器件反型层沟道压降明显提高，使器件获得了更低的比导通电阻。仿真结果表明，相比于平面栅MOSFET器件，开启损耗降低了20%;相比于平面栅MOSFET与分裂栅MOSFET,器件比导通电阻分别减小了14%和17%。     

弹性压接型IGBT器件封装结构对芯片内部电场的影响研究EI北大核心CSCD

高压大功率电力电子器件内部电场的准确计算,是保证器件绝缘设计满足要求的基本条件。首先,在静态场下建立考虑封装绝缘结构和芯片半导体载流子输运过程的耦合电场计算模型,并利用高压芯片反向特性测量平台,测量获得3300V高压芯片的耐受电压,与文中所建立模型的计算结果相对比,结果表明,计及芯片和封装耦合后,芯片耐受电压的计算结果与测量结果之间的误差由不考虑封装时的4.96%降低为0.8%。此外,以文中所使用的3300V高压芯片终端结构为例,应用耦合电场计算模型,计算在不同电压下的弹性压接封装结构下电场的分布分布特性,计算结果表明在2000V下,计及封装和芯片耦合后,芯片内部最大电场为不考虑封装结构时的1.24倍,且最大电场由终端区中部转移到末端。随着施加电压的增加,封装绝缘结构对于芯片电场的影响逐渐增大,芯片终端区表面电场显著增加甚至超过芯片内的最大电场。最后,利用部分电容模型,给出外部封装对于芯片电场影响的机理解释,并分析半导体–绝缘体界面电荷密度以及外部封装绝缘材料的介电常数对于芯片电场的影响规律,该文的结果可为高压大功率器件绝缘设计提供参考。     

小浪底安全监测资料整编分析报告系统设计与应用

安全监测资料整编分析报告作为大坝安全监测工作的主要成果内容，具有覆盖内容广、涉及数据量大、系统性与综合性较强的特点，传统模式主要依靠人工进行编制，工作任务量大、处理效率低，不利于监测工作的及时完成。近年来部分水库大坝相关建设管理单位建立了安全监测信息管理系统，具备一定的资料分析功能，但相应分析报告自动生成功能在稳定性和可靠性方面尚存在一定缺陷。设计了一种基于分布式框架的小浪底安全监测资料整编分析报告系统，通过各类操作服务的合理拆分和集成部署，实现系统运行负载的分担与均衡，可有效提高整编分析报告的稳定性和可靠性。