0．40％Ce对共晶Fe—C合金液态结构的影响

利用液态X射线衍射仪对Fe-4．30C合金和Fe-4．30C－0．40Ce合金的液态结构进行了研究，结果表明在1473－1673K的范围内液态Fe-C共晶合金的最近邻距离约为0．259－0．260nm ,Gauss分解说明液态Fe-C合金含有类面心立方结构的单元。当合金中含有质量分数为0．4％的Ce时，其最近邻距离明显增大，约为0．269－0．271nm，而且在液态Fe-4.30C-0.40Ce合金结构因子S（Q）曲线的小Q处有一较明显的预峰，分析表明这与液体合金中类面心立方结构的Fe-Ce原子团有关。     

Fe-Si合金相图中α2相的结构及其电子理论分析

对Fe-Si合金相图中α2相的结构进行了模型构造, 指出α2相并非为B2型简单体心立方结构, 而是一种类似于B2型结构的超结构, 其中包含着以Fe原子和Si原子为中心的两种不同的结构单元. Fe原子和Si原子按照这种方式在空间交替排列时, 位于中心的Si原子仍保持为正四面体结构, 这与硅晶体的实际结构是相吻合的. 利用固体与分子经验电子理论对其进行了价电子结构计算, 结果表明, α2相中的共价电子主要集中在最强的FeⅠ-Si和FeⅠ-FeⅡ键上. 对其脆性和强度进行了电子理论分析.     

含钇Mg-Al系镁合金的研究现状和进展

综述了钇(Y)对Mg-Al系合金的组织、室温和高温力学性能、铸造性能以及耐腐蚀性能的影响.添加适量Y不仅可以细化镁舍金的基体组织,生成高熔点强化相Al2Y,还可以改善β相(Mg17Al12)的形态,有利于铗合金室温力学性能的提高,而Y的固溶强化作用和Al2Y颗粒相的弥散强化作用既有利于室温力学性能的提高,又有利于合金高温力学性能的提高.添加适量Y也可以改善Mg-Al系合金的铸造性能和耐腐蚀性能.Y和Ce、Ca和Nd等合金元素的复合加入可有效改善镁合金的力学性能.指出了含钇Mg-Al系合金目前存在的问题,并展望了其发展前景.     

面向成都皮影文化的城轨列车通感转译设计

目的 提升城市轨道列车外观设计的文化内涵,丰富城市轨道列车工业设计的文化表征方法。方法 以成都皮影文化为例,基于通感转译理论,通过构建“通感桥”的关联属性实现对用户多感官意象活动中接收信息的转化和翻译,并结合层次分析法(AHP)将转译的造型语言进行聚类分析,最后从用户解码路径出发,逆向验证列车造型语言的科学性。结果 得到皮影人物局部特征、皮影人物形象、皮影人物颜色、皮影光影渐变、皮影雕刻纹理、皮影肌理和皮影人物轮廓线条7个本觉意象指标并计算了其各自权重。结论 将以上方法应用于城市轨道列车的外观设计实践中,形成了表达成都皮影文化意象的城市轨道列车外观方案,为地域文化融合的城市轨道列车提供了新思路,具有一定的参考价值。     

ZrB2含量对LaB6-ZrB2复合材料性能的影响

采用碳热还原法合成了不同ZrB2含量的LaB6-ZrB2复合粉末。通过热压烧结法制备了相应的复合材料,其性能测试结果表明：随着ZrB2含量的增加,LaB6-ZrB2复合材料的硬度和弯曲强度均随之增大．而断裂韧性则先增后减,在ZrB2质量分数为21％时,其断裂韧性达最大值。利用金相显微镜和扫描电镜观察多晶试样的微观组织及断口形貌,初步分析了复合材料的增韧机制。     

纳米/微米CaB_6烧结体的形貌组织和力学性能

采用真空热压工艺,在烧结温度1750℃、烧结压力32MPa、保温时间5min的工艺条件下制备了添加不同量纳米六硼化钙(CaB6)粉末的微米烧结体,研究了纳米粒子含量对CaB6烧结体形貌组织和力学性能的影响.纳米粉末加入量为10wt%纳米/微米复合陶瓷的致密度和力学性能最佳,硬度、弯曲强度和断裂韧性分别为92.6 HRA、331.7MPa和3.06MPa.m1/2,优于微米烧结体和添加镍作为烧结助剂的烧结体.纳米粒子对微米颗粒晶界的填充和在复合烧结体中形成的"内晶型"晶粒结构是提高复合陶瓷致密度和力学性能的主要原因.     

挤压比对2297铝合金力学性能与电学性能的影响

通过热挤压成型工艺制备2297铝合金棒材,采用金相显微镜、扫描电子显微镜(SEM)和显微硬度测试等手段研究挤压比对合金力学性能与电学性能的影响。结果表明:随着挤压比的增大,塑性变形量也逐渐增大,挤压棒材原始粗大的晶粒沿着挤压的方向逐渐拉长变细成纤维状晶粒,挤压态合金显微硬度随着挤压比的增大呈逐渐上升的趋势,而导电率随着挤压比的增大逐渐下降;挤压棒材经固溶时效处理后,棒材发生了明显的静态再结晶及晶粒的长大现象;随着挤压比的增加,时效态棒材的显微硬度、抗拉强度和屈服强度呈逐渐上升的趋势,而导电率和延伸率呈逐渐下降的趋势;挤压比为61时,时效态棒材的抗拉强度为332 MPa,屈服强度为240 MPa,延伸率为10.11%,显微硬度为126.6 HV,导电率为28.73%IACS。