一种建立在统计优势上的还原方法

利用m-序列的伪随机特性与正态分布理论的优势统计方法,提出了一种用线性反馈移位寄存器生成的具有一定误码率的二元序列的反馈多项式还原方法,对通常所用的Berlekamp-Massey算法是一个补充,在一定范围内具有良好的实用价值。     

外腔调谐激光泵浦的差频中红外宽调谐激光光谱系统

室温工作的连续可调谐相干光源在痕量气体检测技术中有着重要的应用价值,非线性差频方法是获得室温工作的中红外相干光源的有效途径,是对传统激光光源的重要补充.报道了一种基于差频方法的室温工作宽调谐中红外激光光谱系统,使用两台近红外半导体激光器作为种子光源,采用PPLN晶体作为非线性混频器件,结合准相位匹配技术实现了3.2～3.7μm中红外相干光源输出,最大差频输出功率约为1μW,对CH4基频吸收谱线的光谱检测表明,系统能够满足在中红外光谱区对气体成分进行高分辨、高灵敏、快速吸收检测的需要.     

认知无线电系统中的关键技术研究

深入研究了当前认知无线电中的关键技术,讨论了认知无线电系统的体系结构,分析了主流频谱感知技术并对比了其特点。同时给出了当前动态频谱管理研究的新进展。     

应用激光诱导击穿光谱测量水体中痕量重金属锌

利用激光诱导击穿光谱(LIBS)对水体中痕量重金属锌进行定性及定量分析,以1064nm波长Nd…YAG脉冲激光为激发光源,采用高分辨率、宽光谱段的中阶梯光栅光谱仪和增强型电荷耦合器件(ICCD)为谱线分离与探测器件,以锌(Zn:481.1nm)特征谱线作为分析线,测定不同浓度下的特征谱线强度。实验中以固体圆饼状石墨块为样品基体进行元素富集,滴定固定量的已知不同浓度的氯化锌溶液于基体表面固定区域,烘干并制备实验待测样品。结果表明,锌的最佳探测延迟时间为1100ns,元素谱线强度随着样品浓度的增加而增大并在较低浓度下呈线性关系,得到水体中锌元素的痕量检测限4.108mg/L。研究结果为进一步开展水体痕量重金属的激光诱导击穿光谱测量提供了方法。     

高斯波束对水中球形粒子的声辐射力研究

该文根据级数展开理论,将入射高斯波束用球函数展开,计算了高斯波束的波束因子,并根据声波辐射力理论,推导出球形粒子在高斯波束轴上偏离高斯波束中心时所受声辐射力的解析表达式,对刚性和液体球形粒子在高斯波束作用下的声辐射力进行了数值模拟,分别讨论了高斯波束束腰半径的变化及球形粒子位置的变化对辐射力特性的影响。仿真结果表明,当球形粒子半径与波长的比值(ka)固定时,高斯波束束腰半径对声辐射力有影响,随着束腰半径的增大,球形粒子所受的声辐射力逐渐变小;当球形粒子的半径相对波长较小,球形粒子在波传播方向上向相反方向等距离偏移高斯波束中心时,球形粒子所受的声辐射力大小相等,方向相反。     

抽油机变频装置合理沉没度摸索试验及增产节能效果分析

简述了抽油机变频调速技术的工作原理及主要功能、技术指标、试验情况以及增油、节能效果。指出该技术可随着抽油机井产量、沉没度以及油层供液能力的变化任意调整抽油机冲次，使之在高效下运行。经过7口抽油机井的应用，达到了合理控制沉没度以及增加产量，节约电耗，预防偏磨的目的。此项技术能有效提高机采井系统效率，促进油田整体开发效益达到科学经济合理。     

单片集成的增强型和耗尽型pHEMT技术

随着射频/微波器件的快速发展及其应用领域的日益扩大,基于半导体单片集成技术的多种器件集成工艺不断发展。研究了一种采用AlGaAs-InGaAs的砷化镓化合物衬底。琥珀酸湿法蚀刻工艺对器件电性能影响较小。将耗尽型和增强型赝配高电子迁移率晶体管(pseudomorphic High-Electron-Mobility Transistor, pHEMT)器件集成于同一芯片半导体工艺技术。结果表明,增强型晶体管Y型栅极的线宽为0.25 m,开启电压为0.3 V;耗尽型晶体管栅极的线宽为0.5 m,开启电压为-0.8 V,实现了在同一芯片上集成从负到正的栅极电压分布,为设计者提供了更为宽广的设计平台。这种集成技术可以应用于低噪声放大器、线性天线开关、滤波器以及功率控制装置等领域。     

Electronic structures and phase transition characters of β-, P61-, P62-and δ-Si3N4 under extreme conditions: a density functional theory study

This paper describes the results of structural, electronic and elastic properties of silicon nitride(in its high-pressure P61 and P62 phases) through the first-principles calculation combined with an ultra-soft pseudopotential. The computed equilibrium lattice constants agree well with the experimental data and the theoretical results. The strongest chemical bond(N–Si bond) shows a covalent nature with a little weaker ionic character. P61-Si3N4 is more stable than P62-Si3N4 due mainly to the fact that the shorter N–Si bond in the P61 phase allows stronger electron hybridizations. We have also predicted the phase stability of Si3N4 using the quasi-harmonic approximation, in which the lattice vibration and phonon effect are both considered. The results show that the β→P61 phase transition is very likely to occur at 42.9 GPa and 300 K. The reason why the β→P61→δ phase transitions had never been observed is also discussed.     

可编程单总线数字式温度传感器DS18B20的原理与应用

文章介绍了可编程单总线数字式温度传感器DS18B20的特点、结构以及其工作原理,同时给出了DS18B20在温度测量中与MCS-51单片机的硬件接口和软件设计,最后用逻辑分析仪测试并验证了DS18B20的工作时序.