基于自适应微分进化算法的变压器参数辨识

为了对变压器绕组漏感和电阻参数进行精确辨识,基于微分进化算法,通过对控制参数的自适应调整、变异向量的自适应选择以及增加局部增强算子,提出一种自适应微分进化算法,消除了最小二乘法的局限性,可以实现对变压器绕组参数的精确辨识。采用Matlab/simulink对算法进行仿真以及动模试验,结果表明该算法能够正确辨识变压器绕组电阻和漏感参数,且稳定、误差很小。     

MnZn铁氧体/SiO2颗粒复合体磁导率的频率响应与温度效应

通过制备不同体积含量的MnZn铁氧体磁性颗粒与SiO2非磁绝缘颗粒组成的颗粒复合体。测量了不同频率、不同温度下复合磁介质的有效磁导率μ’与组分的关系，并运用Max-well-Garnett(MGa或MGb)、Bruggeman(Brug)、Musal(MU)等有效介质近似(EMA)对实验值进行了拟合和分析。探讨了几种理论模型在磁性颗拉复合体系中的可适性。研究表明：不同频率下各有效介质理论曲线与颗粒复舍体有效磁导率μ’的拟合情况基本相同。但是MU模型中相变函数Fa^m的指数参量m表现为与频率f和温度T相关的函数m(f，T)，并且可以得到m与频率f的关系：m(f)=m0f^-a由于MnZn铁氧体超颇磁性颗粒的存在，导致了室温和低温77K时有效介质近似理论与实验值存在明显差异。     

脉冲激光沉积NiZn铁氧体薄膜的微观结构和磁性

采用脉冲激光沉积 (PLD)技术 ,分别在单晶硅基片和玻璃基片上沉积了NiZn铁氧体多晶薄膜 ,薄膜为单相尖晶石结构 ,在两种基片上都呈现出一定的 ( 4 0 0 )晶面的择优取向 ,但在硅基片上择优生长更显著 ;随着基片温度t的升高 ,薄膜晶粒尺寸逐渐增大 ;在t=5 0 0℃附近饱和磁化强度Ms 出现最小值 ,而矫顽力Hc 出现最大值 ;对薄膜进行退火处理 ,可使细小晶粒长大和内应力减小 ,对改善较低温度条件下制备的薄膜的软磁特性具有明显作用     

基片表面的磁场对磁控溅射法制备Fe-N薄膜特性的影响

利用反应磁控溅射方法制备了Fe-N薄膜.发现未退火的薄膜基本处于非晶或微晶状态,退火或在沉积时对基片施加一磁场,可使晶粒变大,并出现对应内部存在应力的γ′-Fe4N的(110)晶面的择优取向.特别是外加的磁场使得Fe-N薄膜具有明显改善的磁性能.作者利用磁场中带电粒子受约运动的观点解释了这一现象.     

Synthesis and Characterization of Gadolinium Doping M-type Hexagonal Barium Ferrite Ultrafine Powders

Becausepermanentbariumferritematerialpos sessesrelativelyhighsaturationmagnetization ,greatcoerciveforceandhighmagneticanisotropyfieldaswellasexcellentchemicalstabilityandcorrosionresis tance ,ithasbeenwidelyusedastraditionalperma nentmagnets ,high densitymagneticandmagneto op ticrecordingmedia ,microwavefilters[1,2 ] .Thusthestudyonthesynthesisofmagnetoplumbite typebariumferriteisconsiderablyimportanttotheelectronicandmagneticmaterialsindustry .Duringthelastfewdecades ,peoplehavemadegreateffo…     

含La^3＋的Ni—Zn铁氧体的微观结构和电磁性能

本在Ｎｉ－Ｚｎ铁氧体中掺入Ｌａ２Ｏ３后，材料的电磁性能，温度特性和微观结构所发生的变化，研究了Ｌａ＾３＋离子的掺 杂效应和作用机制。实验表明：Ｎｉ０．４１Ｚｎ０．６０Ｓｎ０．０１Ｃｕ０．０２Ｆｅ２．０４－ＸＬａＸＯ４±δ在ｘ＜０．０１０时，Ｌａ＾３＋离子能细化晶粒；ｘ０．０１０时，Ｌａ＾３＋离子使晶界模糊，晶粒尺寸增大；不同温度区域的电子激活能Ｅρ呈现出明显的差异。Ｌａ＾３＋离子对电阴率ρ的贡献     

烧结温度对PTC陶瓷晶界势垒特性的影响

研究了两种温度下烧成的ＢａＴｉＯ３基ＰＴＣ半导体陶瓷的晶界特性。利用海旺模型定量计算了这两个样品的受主表面态密度Ｎｓｏ，以及在不同温度下的晶界势垒高度φ０。同时，，分析了样品表观相对介电系数ε＇ｍ与温度Ｔ的关系，发现在居里温度Ｔｃ以上４０～６０℃较窄的温区内服从居里－外斯定律。