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目的 在高世代薄膜晶体管(Thin Film Transistor, TFT)产线的栅极刻蚀制程,明确大气压等离子体(Atmosphere Pressure Plasma, APP)清洗功率、清洗时间及刻蚀时间对刻蚀性能(关键尺寸偏差、均一性、坡度角)的影响规律,并获得最佳工艺条件,进而提升良率。方法 以APP清洗功率、清洗时间和刻蚀时间为影响因素,以关键尺寸偏差(CD Bias)、均一性、坡度角作为因变量,开展正交试验,明确因素影响重要性顺序;然后,对Cu电极坡度角的形成和刻蚀均一性变化进行分析;最后,采用回归分析获得刻蚀性能与刻蚀时间的函数关系式。结果 结果表明:刻蚀时间对刻蚀性能的影响最大,对APP清洁时间和功率的影 响较小。刻蚀时间延长,关键尺寸偏差(CD Bias)增加、均一性变差、坡度角变大。为改善均一性和平缓坡度角,应缩短刻蚀时间。最佳工艺组合为:刻蚀时间85 s,APP电压9 kV,APP传输速度5 400 r/min。结论 刻蚀时间延长,未被光刻胶覆盖的Cu膜层被完全刻蚀,形成台阶,该台阶使刻蚀液形成回流路径。沿着回流路径,刻蚀液浓度、温度逐渐下降,刻蚀均一性由此恶化,坡度角因此增加。采用回归分析得到的刻蚀性能与刻蚀时间的函数关系式,为预测刻蚀效果和优选刻蚀时间提供了依据。 相似文献
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利用废钢、高纯生铁和微量合金化元素制备了2种高CE高强度灰铸铁试样,并研究了其化学成分、金相组织、力学性能和壁厚敏感性,结果表明:2种灰铸铁的铸态单铸试棒的基体组织主要为珠光体+铁素体(少量)+A型石墨(4级);抗拉强度>300 MPa,硬度>200 HBW。孕育处理后,珠光体体积分数有所增加,石墨片得到适度细化,抗拉强度、硬度值有所增大。壁厚敏感性研究发现:随着壁厚的减小,A型石墨的平均长度逐渐缩短,石墨变得更"窄";孕育处理后,壁厚敏感性变得更好,而且较厚部位的石墨仍然为粗大的片状A型石墨。 相似文献
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开发了锌合金在成型汽车灯壳模具所采用的实用性技术。先铸造汽车灯壳的铸铁凸模,再以铸铁凸模为基础,在凸模上直接浇注成型锌合金凹模。这种方法的特点是凹模型面尺寸比较准确、容易控制,而且由于凹模是低熔点合金,不会对凸模造成破坏。其制作过程为首先用灰口铸铁制成凸模,将制好的凸模放在平台上,根据凹模外形轮廓尺寸做围框,在凸模上涂一层涂料间隙层,再在围框周围用型砂密封,最后熔化锌合金进行浇注。成型后的模具经试模,一次成功,完全达到使用要求。通过以上方法,实现了快速、低成本的模具制作。 相似文献
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对于大规模新能源特高压直流外送系统,受端电网故障可能导致送端电网电压剧烈变化,严重威胁送端电网的安全稳定运行,因此送端电网暂态电压是直流输电系统适应性的重要考虑因素。混合直流输电结合了常规直流和柔性直流的优势。针对大规模新能源混合直流外送应用场景,首先介绍了两端混合直流输电系统典型拓扑,建立了相应数学模型,阐述了基本控制结构。然后分析了当受端交流电网发生短路故障,采用不同直流输电拓扑方案时送端电网的交流暂态电压特性。最后在PSCAD/EMTDC搭建了不同混合直流输电系统仿真模型,验证了上述分析的有效性。 相似文献
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二维层片状材料兼具高机械韧性、可调控带隙与光学透明度,以及高的表面体积比等优越性能,为新型柔性纳米电子器件和传感器的研究提供了广阔的平台。介绍了两种新兴的单质二维材料,硅烯和磷烯及其器件的电学性能和稳定性。硅烯的器件实验研究因空气敏感性问题一直停滞不前,而最近的三明治夹层转移与移植法实现了硅烯晶体管的首次亮相。相关实验观测证实了理论预测的狄拉克能带结构,即双极电输运机制。室温静电学表征观测到约100 cm~~2/(V·s)的载流子迁移率以及10倍的栅极调制,揭示出单原子层硅通道比石墨烯具有更高的栅极调控能力。VA族的磷烯结合石墨烯和过渡金属硫化物两者优点于一身,拥有较高的载流子迁移率和可调控的适中直接带隙,是目前较理想的二维半导体材料,即使在塑料基底上仍可达到310~1500 cm2/(V·s)的高载流子迁移率以及10~3~10~5的栅极调制。这些研究进展为新型纳米器件的发展提供了广阔前景。 相似文献
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通过XRF光谱半定量分析、单一元素定量分析和XRD鉴定了川威高钛矿渣的化学组成和矿物成分;用SEM观察了其水冲渣和膨化渣的孔隙形貌;测试了水冲渣、膨化渣的孔隙率和水化活性。结果显示:川威高钛矿渣化学组成(28.36%CaO-26.04%SiO2-16.68%TiO2-13.80%Al2O3-7.54%MgO)均匀,钛以钙钛矿CaTiO3形式单独存在,其水冲渣和膨化渣都已充分水化,孔隙率均大于40%。可考虑提钛或以微晶玻璃形式将钛进行资源化利用,水冲渣和膨化渣的多孔特性也可用来烧制轻质保温砖和透水砖。 相似文献