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计算了含Li7000系铝合金中与合金元素所结合的空位的浓度,同时试验研究了两种含Li的7000系铝合金在不同时效温度下的微观组织。结果表明,合金元素结合的空位浓度的大小与合金元素的浓度、合金元素与空位的结合能有直接的关系,Li的加入使得合金中其它元素所占有的空位浓度减小,两种试验合金均析出了细小、弥散分布的沉淀相,其原因是由于Li原子捕获了不少空位,使得Zn、Mg原子的进一步扩散与聚集受到限制,η′(MgZn2)相的长大速度减慢,计算结果为试验结果提供了理论依据。 相似文献
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采用磁悬浮区域熔炼的方法制取Ti-48at%Al合金的PST晶体。并对其显微组织进行了金相及TEM的观察与分析。结果表明,PST晶体的生长取决于生长速率。当生长速率小于5mm/h时可获得PST晶体,而当生长速率增至100mm/h时,得到柱状晶晶体。TEM观察的结果表明,在PST晶体的片层组织中存在三种类型的TiAl/TiAl有序畴界,即真孪晶型,伪孪晶型,120°旋转孪晶型界面。 相似文献
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Al-Zn-Li-Mg-Cu-Zr合金中δ′相的长大 总被引:4,自引:1,他引:3
研究了Al-Zn-Li-Mg-Cu-Zr合金在393K,433K和473K时效过程中δ′相的长大规律,发现当合金在393?K时效时,δ′相的长大符合LSW长大规律;当合金在433?K和473?K时效时,δ′相半径的3次方与时效时间符合抛物线关系,这与在此温度下沉淀析出X相有关. 相似文献
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Al-5.6Zn-3.0Mg- 1.6Cu- 1.1Li-0.24Cr alloys and Al-8.0Zn-2.4Mg-2.4Cu- 1.1Li-0.18Zr altoys (mass fraction, %) were aged by different processes. The microstructure and mechanical properties were determined by transmission electron microscopy(TEM), tensile test and Vicker's hardness test. The experimental results show that the most signified hardening is obtained by double-ageing or multi-ageing for the Al-Zn-Mg-Cu-Li alloys. The yield strength and the elastic modulus of the Li-containing alloys have relationships with ageing processes. The elastic modulus of Li-containing alloys decreases with the increment of precipitates though it is higher than that of Al-Zn-Mg-Cu alloy. 相似文献
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循环热处理工艺对双态复相γ—TiAl基合金显微组织的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
经验证明均匀的结晶粒双态复相组织γ-TiAl基合金具有较好的加工性能,常用的获得这种组织的热处理工艺通过在α γ相区循环热处理获得的。但是以往的循环热处理工艺具有难控制,易出现裂纹,不能广泛应用于工业生产的缺陷。本文采用风冷循环热处理工艺,解决了这些问题,获得了晶粒直径为20μm左右的复相双态TiAl合金,并研究了循环热处理过程中的显微组织演化。结果表明:随着循环次数的增加,材料的均匀性和等轴性有较大的改观。通过改变循环热处理温度以及时间,还可以获得含有不同体积分数片层晶粒的双态组织。 相似文献
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预变形对463 K人工时效Al-Cu-Mg合金显微组织的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了预变形对Al-Cu-Mg合金463 相似文献
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Effect of additional elements on aging behavior of Al-Zn-Mg-Cu alloys by spray forming 总被引:2,自引:1,他引:1
1 Introduction Spray atomization and deposition technology, also termed spray forming, has attracted considerable attention because of its excellent potential advantages in the production of structure materials: cost-effectiveness in combination with pro… 相似文献
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一、前言 随着集成电路和超大集成电路的不断发展以及电子元件的不断微型化,对硅片的冷却要求也越来越高。尤其是一些大功率半导体元件,由于起动电流很大(>16A),因而产生的热量大。若工作温度超过373K,其工作性能下降。因此,迅速地将热量散发,保证正常的工作温度,是今后发展高质量电子元件的关键技术。 图1给出了几种比较重要的陶瓷基底材料的导热系数随温度变化的情况。Al_2O_3是目前应用广泛的基底材料,但由于它的导热系数过低(25~30w/mk),已不能完全满足未来发展的需要,因此寻求替代材料势在必行。另外,尽管BeO和SiC的导热系数较高,但由于两者本身都存在难以克服的缺点而受到应用的限制。例如:BeO的毒素作用要求其生产必须有绝对可靠的安全措施;而SiC则必须在大幅度地提高其电阻率的条件下才能使用。同时两者的导热系数对温度变化很敏感,特别是在250~450K这样一个具有工程意义的温度范围。相比较而言,A1N的导热系数虽不及BeO和SiC材料,但比Al_2O_3高得 相似文献