微量成分形成的反胶束对亚麻籽油氧化稳定性的影响

以富含α-亚麻酸的亚麻籽油为研究对象,测定多种微量成分（磷脂、油酸、β-谷甾醇、二酰基甘油）在stripped亚麻籽油中的临界胶束浓度,并研究反胶束的形成对亚麻籽油氧化稳定性以及生育酚抗氧化活性的影响。结果表明,磷脂是形成反胶束的重要组分,其临界胶束浓度为125 μmol/kg;与对照组相比,低浓度（低于临界胶束浓度）微量成分对亚麻籽油的热稳定性无显著影响,但形成反胶束后则能显著降低油脂的起始氧化温度（约12%）以及氧化诱导时间（约33%）,增加贮藏过程中氢过氧化物（约36%）、丙醛（约13%）和己醛（约200%）的含量,显示出促氧化活性;与对照组相比,生育酚的添加能抑制油脂氧化进程,但反胶束的形成使油脂中氧化产物浓度高于对照组,降低了生育酚的抗氧化活性。因此控制亚麻籽油中反胶束的形成将有助于油脂氧化稳定性,为富含n-3多不饱和脂肪酸油脂的稳态化控制提供新的策略与途径。     

基于单片机的自动量油装置设计

油田的计量间中通常采用人工读取磁翻板液位计的方法计量单井产液量,为此采用单片机设计了自动计量装置.介绍了单井计量装置的工作原理,电路采用STC89C51单片机、时钟芯片DS 1302和移位寄存器74HC595组成,详细描述了接口电路图和程序设计思想.现场测试结果表明,该装置可实现0～60分钟的时间测量,有效提高了工作效率.     

第三代半导体材料生长与器件应用的研究

着重论述了以SiC和GaN为代表的第三代半导体材料的生长、器件及应用在近几年的发展情况。分析了目前常用的正在研究的几种衬底材料，介绍了制备SiC和GaN单晶的方法。分析了SiC和GaN器件工艺目前存在的问题和今后的研究方向。总结了SiC和GaN器件的研制情况，指出单晶质量是限制器件发展的主要因素。分析了SiC和GaN器件的目前应用的未来的市场前景，指出了SiC和GaN材料、器件今后的研究重点和今后的发展方向。     

线性分配机制下零售商的行为研究

通过研究线性分配机制造成的牛鞭效应问题，对线性分配机制下零售商博弈行为所导致的牛鞭效应进行了量化。证明了线性分配机制下零售商只有扩大订货量，才能获得最优分配量。     

氢化物气相外延自支撑GaN衬底制备技术研究进展

氢化物气相外延(HVPE)是制备氮化镓(GaN)衬底最有希望的方法.本文介绍了氮化镓材料的电学、光学性质及重要用途,总结了GaN体单晶及薄膜材料制备方法,描述了氢化物气相外延技术原理,分析了HVPE制备自支撑(Free-Standing)GaN衬底方法,综述了HVPE技术国内外研究进展,指出今后研究方向.     

基于LBM-CA耦合模型的定向凝固多晶硅小平面枝晶生长数值模拟

为了更好的研究高各向异性小平面枝晶生长。提出了一种综合考虑动力学各向异性和界面能各向异性的小平面枝晶生长的格子Boltzmann方法-元胞自动机(LBM-CA)耦合模型,对硅小平面枝晶的生长过程及生长形状进行模拟;验证所采用的新动力学各向异性方程的正确性;研究了界面能各向异性、动力学各向异性和过冷度对小平面枝晶生长的影响。结果表明:小平面枝晶较非小平面枝晶表现出更强的各向异性;界面能各向异性系数的增大,小平面枝晶生长的各向异性显著增大,生长速率变化、部分取向缺失;过冷度的增大,硅晶体由小平面晶粒生长变为小平面枝晶,其各向异性也显著增强,取向缺失增加,棱角更加明显,二次枝晶臂生长速率加快;动力学各向异性增大,二次枝晶臂生长速率、长度和数量均有增加。     

钙钛矿衍生光伏材料的研究进展

钙钛矿材料凭其优异的性能登上了光伏的舞台,但其含铅毒性与不稳定性必然成为其未来发展瓶颈。因此,探索新型高效、稳定的无铅类光伏材料刻不容缓。在ABX3结构的基础上,本文对无铅、高稳定性的全无机A3B2X9结构钙钛矿、卤化物双钙钛矿中的A2B(I)B(III)X6与A2B（Ⅳ）X6、硫化物-卤化物等体系光伏材料在太阳能电池、光电探测器与发光二极管等领域的应用与探索进行综述。并在此基础上阐述了机器学习与高通量密度泛函理论计算相结合在探索新型光伏材料上的一些突破进展。最后对未来光伏材料的突破点进行展望,该工作对科研人员将来开发新兴光伏材料具有重大意义。     

掺锗直拉硅体单晶的生长

为了控制锗在硅中的分凝和分布的均匀性 ,抑制熔体中因重力场引起的无规律热对流和质量对流 ,文中设计制造了一种新型的环型永磁场直拉炉 ( PMCZ法 ) ,生长了掺锗量 0 .1～ 5 .0 % ( Ge∶Si重量比 )、 65 mm和 5 2 mm的硅锗体单晶 ,拉速一般控制在 0 .2～ 0 .5 mm/分。当磁场强度较高时 ,熔体中由于重力场引起的热对流和质量对流在一定程度上被抑制 ,类似于空间微重力环境生长晶体的条件 ,晶体中锗和氧杂质分布均匀性的问题得到了较好地控制。文中利用扫描电子显微镜 ( SEM)能谱分析和二次离子质谱 ( SIMS)等方法观测了PMCZ法生长的掺锗 Si单晶中锗的分布状况。发现用 PMCZ法生长的锗硅晶体比常规 CZ法生长的晶体杂质均匀性要好些。同时发现 ,由于晶体生长速率很低 ,使得掺锗硅中产生了大量的过饱和氧的微沉淀。这些微沉淀经过 1 2 5 0°C热处理后会溶解消失。在晶体尾部 ,由于锗在硅中的分凝系数小于 1 ,使得锗在熔体中高度富集 ,产生了“组份过冷现象”,出现了枝状结晶生长。     

两种分配机制对供应链中实体的影响研究

当供应商生产能力不足,即零售商的订货量超过供应商的生产能力时,供应商通常要选择一种分配机制来分配有限的产品．本文研究了在两种不同分配机制下,2个订货周期内,由1个供应商和2个零售商组成的供应链体系中,当供应商具有不同的生产能力时,零售商相应采取不同的订货策略、销售策略和库存策略．分析了均匀分配机制下和历史分配机制下零售商、供应商和整个供应链的利润变化以及对牛鞭效应的影响．通过比较研究,我们得出结论：历史分配机制可以增加供应商的利润,但是会减少零售商的利润,而对整个供应链的绩效影响不能确定．     

SiGe合金材料热电转换效应的应用和研究进展

半导体材料的热电效应在发电方面有着巨大的应用潜力,但如何提高材料的热电转换效率是目前人们研究探讨的热点问题．SiGe材料的热电转换最大优值ZT=1,实际应用中仅能达到0．68．论述了目前提高材料温差电优值(ZT)的主要途径,重点介绍了SiGe合金作为热电转换材料的主要特点,在热电应用中当前前的主要研究成果．