判断某点是否在任意多边形内两种算法的比较

多边形是计算机图形学中一个重要的概念,尤其是在GIS中,判断某点是否落在指定多边形内的算法很重要。据此,对目前普遍采用的两种判断方法,即射线法和角度累加法进行了详细的比较,并对两种算法在CAD软件下的程序实现提供了具体方案。     

有色金属合金的深冷处理发展概况

作为一种行之有效的热处理工艺手段,深冷处理因能较为明显地改善材料的力学性能和较大幅度地提高工件使用寿命,在金属材料领域已经获得了越来越广泛的应用.但相对于机理和工艺都已经研究得较为深入的黑色金属而言,有色金属的深冷处理研究还显得不够系统和深入.结合笔者的研究结果综述了国内外有色金属的深冷处理现状以及相关机理研究,并对存在的问题和发展趋势进行了分析和展望,以期为以后的研究提供一定的参考.     

钢纤维硅粉混凝土在三峡临时船闸坝段叠梁门槽中的应用

三峡临时船闸坝段叠梁门槽进行的高强钢纤维硅粉砼的室内和施工工艺性试验以及现场施工的成果表明：钢纤维硅粉砼发挥了钢纤维和硅粉的增强作用，可大大提高砼的力学性能；选有的施工工艺可行，浇筑的钢纤维硅粉砼满足设计结构受力要求，为该新型材料应用于水工建筑主体工程取得了有益的经验。     

葡萄糖结晶过程的微机控制

本文介绍用计算机实施“等等看看”控制方法,解决葡萄糖结晶过程中的大惯性大滞后与时变特性对象的控制问题。     

考虑充电负荷的住宅小区供电方式研究

随着含有电动汽车充电负荷的新型住宅小区不断涌现,住宅小区供配电系统的设计工作日渐增加。考虑到目前还缺失住宅小区充电负荷建设的规范标准,文章针对此类小区进行了负荷分类,研究了传统负荷和充电负荷的容量计算方法,并绘制了小区供电结构设计图。此外,计算了浙江省嘉兴市某住宅小区在含有充电负荷情况下所需的变压器容量,并根据计算结果绘制了该小区的供电线路图。     

基于改进云自适应粒子群的多DG配电网EV充电站优化配置

考虑到分布式电源(distributed generator,DG)并入配电网的未来前景,提出了电动汽车(electric vehicle,EV)充电站的模糊服务半径新概念,建立了一种计及环境代价、交通流量、电能质量和建设成本等综合因素的EV充电站选址定容的新模型,在满足多目标约束条件下求取年均利润最优。提出了一种改进的云自适应粒子群算法(ICAPSO),使其更适用于大数据EV充电站优化模型的寻优迭代求解。将多个DG并入IEEE123节点配电网拓扑,用MATLAB仿真进行了算法对比,验证了所提优化模型和算法在多DG并网情景下的可行性和有效性,且算法具有较好的全局寻优能力和防早熟收敛特性。     

深冷处理对低碳钢组织与性能的影响

用力学性能测试、显微组织观察和物相分析,对两种低碳钢深冷前后的性能和组织作了对比分析.结果表明,深冷处理后,低碳钢的显微硬度和室温力学性能得到提高;某些主要衍射峰发生明显变化;深冷处理使珠光体分解,并析出细小碳化物.     

WC-Co硬质合金最新进展

硬质合金是一种具有独特性能组合的材料,传统硬质合金的硬度与韧性是一对此消彼长矛盾体。随着硬质合金在相关产业应用的不断发展,对其性能的要求越来越高,故开发出同时具有高硬度和高韧性的新型硬质合金显得非常重要。综述了超细及纳米晶粒硬质合金、粗晶硬质合金、板状晶粒增强硬质合金、双相或混合结构硬质合金和功能梯度硬质合金5种在国内外实现了高硬度、高耐磨性与高韧性协调统一的新型硬质合金。由于硬质合金是利用粉末冶金技术制备的金属陶瓷复合材料,所以粉末原料的尺寸、形状以及烧结方式对所得到的产品的性能有非常重要的影响。分析了晶粒大小、微观结构、原料性能等对硬质合金硬度、耐磨性、韧性等宏观力学性能的影响,并对相关的强化机制进行阐述。这些新型硬质合金中,粗晶粒硬质合金常用于要求良好韧性的应用中;梯度微观结构硬质合金可用于定制性能,随着相关技术的发展将进一步开发其应用;虽然目前能制备出纳米粉末,但是烧结出真正的纳米微观结构仍存在问题;关于开发特殊粉末(如纳米粉末结构,板状晶体)和特殊微观结构(如双相硬质合金)都需更进一步的研究。     

Cu-Zr-Al-Ti块体非晶合金的制备及腐蚀行为研究

制备出新型Cu46 Zr46 Al4 Ti4块体非晶合金.利用X射线衍射仪和差示扫描量热仪对其非晶态进行表征,采用电化学方法和扫描电子显微镜研究了非晶合金在3.5％ NaCl溶液中的电化学行为.结果表明,Cu46Zr46-Al4 Ti4样品为完全非晶,玻璃转变温度Tg、晶化温度Tx和过冷液相区△Tx都有所降低,断裂强度提高了约11％.Cu46 Zr46 Al4 Ti4的腐蚀电流密度降低了1个数量级,电化学反应电阻R1大大增加.分析表明,Ti通过抑制阴极过程从而降低了非晶合金的腐蚀速度,其机理可能是Ti的加入降低了活性阴极的面积或增加了氧的离子化过电位.     

离子注入硅退火过程中平面形核和结晶问题研究

According to the thermodynamic and kinectic theory, considering variation of bulk free energy and superficial energy after nucleation as well as migration of atom, we study deeply planar nucleation and crystallization that relate to two possible transition mechanism in the process of annealing of ion implanted Si. 1） Liquid/Solid transition: critical nucleation work is a half of increased superficial energy and inversely proportional to the supercooling . Compared with bulk nucleation, the radius of critical nucleus decrease by a half, nucleation rate attain its maximum at T=1/2Tm; 2） Amorphous/Crystal transition: atoms containing in critical nucleus and on its surface, as well as critical nucleation work are all directly proportional to the height of nucleus, nucleation barrier is a half of superficial energy too. Taking SiGe semiconductor as an example, we calculate that the value of its elastic strain energy is 0.03eV/atom, and get more reasonable result after taking its effect to transition into account. In one word, we reach such a conclusion through calculation: for annealing of ion implanted Si, no matter what transition way—liquid or solid, the planar nucleation and recrystallization process is actually carried out layer by layer on crystal substrate, probability forming “rod-like”nucleus is much larger than probability of “plate-like”nucleus.