Cu和Nb对非晶态Fe—Si—B合金等温晶化过程的影响

采用示差扫描量热卡计（ＤＳＣＩ）得到了非晶态Ｆｅ－Ｓｉ－Ｂ合金加入Ｃｕ和Ｎｂ后的等温晶化放热曲线，结合Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）分析，明确了Ｃｕ和Ｎｂ在形成纳米α－Ｆｅ（Ｓｉ）晶体相时的作用。此外，非晶态Ｆｅ７６．５Ｓｉ１３．５Ｂ９Ｃｕ１Ｎｂ３等温化的α－Ｆｅ（Ｓｉ）放热峰呈明显的非对称形状。     

电脉冲下黄铜粗晶合金发生纳米相变的TEM观察

电脉冲对物态变化有重大影响的事实屡见报道,如对非晶结构的弛豫和晶化[1]等,但其影响机制尚不很清楚。电脉冲作用时间虽很短,却使材料结构和性能发生一些特殊的变化,这种非平衡过程中的结构变化一直是材料科学界感兴趣的课题,并且有一定实际意义。本文作者首次在单脉冲高密度电流处理的常规材料H62粗晶黄铜中发现了纳米相变的产物,并作了机制上的探索,为寻找一种新的更经济更有效的制备纳米材料的方法奠定了初期的实验基础。本文采用工业用冷轧铜带H62,厚度为0.102mm,名义成分为(物质质量分数/wt.%):Cu61.75、Zn37.5、其余杂质0.75。将铜…     

高密度电脉冲下材料微观结构的演变

几种粗晶材料经高密度电脉冲处理后，在材料内部形成了局域纳米结构，即冷轧α-Cu(Zn)中形成α—Cu(Zn)和β′-(CuZn)纳米相；低碳钢中形成纳米尺寸的奥氏体；TiC／Ni(Cr)金属陶瓷中形成纳米尺寸的定向TiC；LC6超硬铝中形成纳米尺寸的α-A1，粗晶纳米化转变的机制可归于电脉冲下多种因素的竞争，包括高速加热，热应力、削减的热力学势垒和较大的电子冲击力等。另外，电脉冲处理后的黄铜和金属陶瓷中分别形成了许多低能的位错组态、大量的层错和孪晶．这类缺陷结构演变与电脉冲输入的电能，热能和应力有关。     

Pb纳米薄膜球化的TEM原位观察

众所周知,常规金属材料经冷变形后,金属中晶体缺陷密度增大,自由焓增高,处于一种热力学不稳定状态,其组织和结构具有恢复到稳定状态的倾向;当加热时,金属材料结构会发生回复、再结晶及晶粒长大等变化。然而,对于厚度在纳米尺寸的金属薄膜材料,即使在充分退火的状态下,由于表面能较高,材料也可能处于一种热力学不稳定状态,并具有恢复到稳定状态的倾向;加热时也可能产生一些结构变化。本文对具有自由表面的Pb纳米薄膜材料,在电子束辐照下进行原位透射电镜观察,发现Pb纳米薄膜结构发生球化,即纳米金属薄膜在电子束辐照下转变成纳米颗粒结构;而…     

电脉冲下TiC颗粒增强Ni-Cr合金中位错组态的变化

TiC颗粒增强Ni80Cr20合金经电脉冲处理后,位错组态发生规整化,平直化排列,位错堆积形成位错墙。这表明电脉冲处理具有类似于退火的回复作用,此外,电脉冲处理还可以起到强化TiC颗粒增强相与基体之间结合的作用。     

Ni3P／Ni复相纳米材料晶格畸变的热回复行为研究

对采用非晶晶化法制备的Ｎｉ－Ｐ合金复相纳米晶体样品在不同温度下进行等温退火处理,利用Ｘ射线衍射分别对样品中Ｎｉ固溶体和Ｎｉ３Ｐ化合物的晶格参数随退火温度,退火材料的变化进行了测试。发现退火处理可使晶格畸变有所回复,但退火温度的高低使得两纳米晶体相的微观结构变化行为明显不同,利用纳米晶体的热力学状态对这种效应进行了解释。     

共晶SnBi/CU焊点界面处Bi的偏析

利用SEM,TEM,XRD分析了共晶SnBi／Cu焊点经120℃时效7d后界面组织结构的变化,焊点界面处金属间化合物厚度由原来初始态的约2μm增至时效态的10μm,并且化合物也由原来单一的Cu6Sn5转变为Cu6Sn5和Cu3Sn相,进一步研究表明,在Cu3Sn与Cu之间界面处偏析了大量尺寸约100nm的Bi颗粒,双缺口试样的断裂韧性实验表明,热时效促使焊点断裂韧性快速下降,同时该焊点的断口也由原来初始态的韧性断裂转变为时效后Cu3Sn与Cu界面处的脆性断裂,脆性断裂后一侧断口为鲜亮的Cu表面,在TEM下,通过与220℃／5d时效态纯Sn／Cu焊点相同界面的比较,可以断定引起该焊点失效的原因是Bi颗粒在此界面处的偏析,含Bi无Pb焊料由于Bi在界面析出而引发的脆断将会是微电子器件长期使用中的一个潜在危害。     

孪晶界移动的动态过程

通过原位拉伸高分辨透射电镜观察,研究纳米孪晶铜中孪晶界的动态形变过程.实验发现,与以往分子动力学模拟计算预测的结果不同,Shockley不全位错主要从孪晶界与晶界的交叉点处发射,沿着孪晶界面运动,导致孪晶界移动.并对孪晶界移动作为纳米孪晶铜在塑性变形初期的一种主要形变方式进行了讨论.     

无机双钙钛矿太阳能电池材料Cs2AgBiBr6在电子束辐照下的降解行为研究

Cs₂AgBiBr₆是一种新型的无机无铅双钙钛矿材料,具备环境友好、高稳定性等特点,并在光伏、光电等领域具有良好的应用前景。透射电子显微镜作为一种常用的材料表征手段,能够直观地分析材料的微观结构及其演变规律。然而Cs₂AgBiBr₆在利用透射电子显微镜进行表征时,极易受到电子束辐照破坏,且其降解机制尚不明确。本文研究了单晶Cs₂AgBiBr₆在透射电子显微镜下受电子束辐照后的影响,通过高分辨像和选区电子衍射分析其结构演变。分析结果表明:单晶Cs₂AgBiBr₆表面因辐照分解效应导致原子丢失的同时,最先发生微小的晶格调整,生成初始的降解产物之一为Cs3Bi2Br9相;在持续的电子束辐照下,单晶Cs₂AgBiBr₆的降解产物为Cs₃Bi₂Br₉,BiBr₃,CsAgBr₂