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41.
用9种不同有机溶剂溶解佛香燃烧产生的烟气测定多环芳烃含量,在pH=6.86的K_2HPO_4-KH_2PO_4缓冲溶液和β-环糊精溶液中,以芘为模型化合物,得相应回归方程lgI_f=0.8966lgC+8.87,相关系数R~2=0.9951。每克佛香燃烧的烟气中PAHs量由大到小依次是:好运发财香(38.90μg/g)古城玫瑰香(20.31μg/g)有求必应(19.95μg/g)檀香(17.40μg/g)观音香(16.15μg/g)五福沉檀贡香(16.O6μg/g)无烟佛显灵(15.50μg/g)财神香(13.22μg/g)清净供佛檀香(8.68μg/g)。结果为佛香品质、燃烧烟气中有害物质的评价提供了一种简便的测定方法。 相似文献
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43.
44.
目的研究牛蒡子苷元对PC3细胞侵袭、迁移的影响。方法体外培养PC3细胞,采用MTT法检测牛蒡子苷元(ARG)对PC3细胞增殖抑制率,Transwell法检测细胞侵袭,划痕实验检测细胞迁移,以RT-PCR法检测侵袭、迁移标志物基质金属蛋白酶9(MMP-9),MMP-2,CXC趋化因子受体4(CXCR4)的基因表达,并以Western blot法检测其蛋白表达。结果 ARG可显著抑制PC3细胞增殖,且具有时间依赖性;与空白对照组比较,ARG 10μmol/L组和2.5μmol/L组均能有效抑制PC3细胞侵袭,其侵袭抑制率分别为73.5%和51.3%;10μmol/L组和2.5μmol/L组划痕修复率明显低于空白对照组,其差异有统计学意义(P0.01,P0.05);ARG可降低MMP-9,MMP-2,CXCR4的基因与蛋白表达,且具有浓度依赖性。结论 ARG在体外可抑制PC3细胞的侵袭、迁移,下调细胞中MMP-9、MMP-2和CXCR4的基因与蛋白表达。 相似文献
45.
采用氧-乙炔火焰喷涂技术在AZ31B镁合金表面制备了不同组分的Al-Mg_3Sb_2复相涂层。利用SEM、XRD和显微硬度计分析了涂层的形貌、物相和硬度;采用腐蚀磨损试验仪测试了涂层在3.5%NaCl溶液中的腐蚀磨损性能;通过超景深三维显微镜测试了涂层的磨痕宽度、深度及磨损体积。结果表明:涂层的显微硬度随着金属间化合物Mg_3Sb_2(硬质相)的增多而增加;Mg_3Sb_2相的腐蚀倾向低于Al,因此涂层的开路电位随着Mg_3Sb_2相的增多而上升,加载之后,腐蚀产物膜被去除,涂层的开路电位下降,且下降的幅度随耐蚀相Mg_3Sb_2的增多而减少,卸载之后,由于Al的钝化作用,涂层的开路电位上升,其幅度随Al的增加而增加;涂层的摩擦系数随硬质相Mg_3Sb_2的增加而降低,涂层的磨损率也降低,20%Al涂层的体积磨损率为1.44 mm~3·N~(-1)·m~(-1),比纯Al涂层下降了88.01%;随Al含量的降低,涂层的磨痕由最初较严重的塑性变形逐渐转变为剥落坑。 相似文献
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FeS_2和CoS_2是锂系热电池最常用的两种正极材料。经X射线衍射(XRD),扫描电子显微镜(SEM)以及热重分析(TGA)表征发现:二者具有相同的立方晶体结构,CoS_2的热分解温度比FeS_2高100℃左右。以LiB合金为负极材料、LiF-LiCl-LiBr低温共熔盐为电解质,分别采用CoS_2和FeS_2作为正极材料制备热电池,在500℃的温度下进行恒流放电实验。结果发现:在放电初期LiB/FeS_2体系的工作电压高于LiB/CoS_2体系,但在工作一段时间后被LiB/CoS_2体系反超;随着工作时间的延长,热电池可释放的电容量逐渐减少,LiB/FeS_2体系容量衰减的速率比LiB/CoS_2体系快。将热电池空载不同时间后再进行恒流放电,发现热电池实际可释放的电容量与工作时间呈现一元线性关系,以此计算出LiB/FeS_2电池和LiB/CoS_2电池的容量衰减率分别为17.7和3.92 C/min。 相似文献
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48.
以不同分子量透明质酸锌为研究对象,通过斑马鱼保湿、皮脂腺细胞SZ95的脂滴检测、5α还原酶抑制作用、成纤维细胞增殖、Ⅰ型胶原蛋白含量检测、巨噬细胞的炎症因子抑制试验,对其体外保湿、控油、紧致、舒缓功效进行了研究。结果显示0.5%中分子透明质酸锌可以抑制斑马鱼因高渗透压引起的失水,具有显著的保湿功效;大分子透明质酸锌可以通过抑制5α还原酶达到控油功效,中分子、小分子透明质酸锌可以通过抑制脂滴合成、抑制5α还原酶达到控油功效;小分子透明质酸锌有良好的促进成纤维细胞增殖作用,促进作用呈现剂量依赖性,中分子透明质酸锌在质量浓度为125,12.5和1.25μg/mL时,均可显著促进Collagen I的生成;大分子、中分子、小分子透明质酸锌在质量浓度为25,125μg/mL时均可显著抑制炎症因子IL-1α,TNF-α,PGE 2的表达。实验结果表明,透明质酸锌具有良好的保湿、控油、紧致、舒缓的功效。 相似文献
49.
研制了高电流增益截止频率(fT)的InAlN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT).采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)再生长n+GaN非合金欧姆接触工艺将器件源漏间距缩小至600 nm,降低了源、漏寄生电阻,有利于改善器件的寄生效应;使用低压化学气相沉积(LPCVD)生长SiN作为栅下介质,降低了InAlN/GaN HEMT栅漏电;利用电子束光刻实现了栅长为50 nm的T型栅.此外,还讨论了寄生效应对器件fT的影响.测试结果表明,器件的栅漏电为3.8 μA/mm,饱和电流密度为2.5 A/mm,fT达到236 GHz.延时分析表明,器件的寄生延时为0.13 ps,在总延时中所占的比例为19%,优于合金欧姆接触工艺的结果. 相似文献
50.