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采用火焰原子吸收法测定了不同螺类中锌的含量,同时对试剂条件进行了优化,包括酸介质及其浓度的选取。结果表明,在选定最佳仪器条件以及试剂条件下,吸光度与锌浓度在0~2μg/mL范围呈良好线性关系,锌的检出限为0.001 1μg/mL,回收率为92.61%~97.57%。该方法操作简便,分析速度快,灵敏度高,运行成本低,精密度及准确度均较好,同时具有较高的实用价值和学术价值,对螺类的食用具有一定的指导意义。 相似文献
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随着数字地球和智慧城市的蓬勃发展,数字智能化矿山的建设也势在必行。现代矿山的概念是掌握多个空间和数据。在过去的半个世纪里,我们国家的煤矿工人在井下的艰苦工作为现代化矿山的建设提供了数字化建设的基础。本文认为数字化矿井的第一步是开发基本的矿区地形图。图形信息系统(简称为MGIS),基于该系统可以设置的网络地理信息系统在选择软件时,包括系统软件、支持软件、工具软件等。其他辅助软件需遵循标准、兼容、移植和协同操作。 相似文献
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为建立一种快速检测食品中亚硝酸盐含量的方法,以生物基质鸡爪外皮为碳源,采用一步水热法合成绿色碳量子点(carbon quantum dots, CQDs)。通过高分辨率透射电子显微镜、紫外可见吸收光谱、傅里叶变换红外光谱仪、X射线光电子能谱、荧光光谱仪对其形貌、结构及光学性质进行表征。结果表明:所制备的鸡爪外皮CQDs尺寸均匀,分散性良好,表面富含羟基、羧基、羰基等多种官能团;在365 nm紫外光照射下发射出蓝色荧光,荧光激发峰与发射峰呈现狭窄对称特征,具有良好的发光特性。在酸性溶液中,亚硝酸盐(NO2?)具有很强的氧化性,能将Fe2+转化为Fe3+,Fe3+可与CQDs表面的含氧官能团形成配位键从而导致CQDs荧光信号被猝灭,从而可实现NO2?的间接检测。基于此原理构建CQDs-Fe2+荧光探针,对CQDs的激发波长、缓冲液pH、反应时间进行优化。在实验优化条件下,CQDs-Fe2+体系荧光猝灭值与NO2?浓度在1~500 μmol/L范围内呈现良好的线性关系(R2=0.9979),检出限为0.61 μmol/L,且具备良好的抗干扰能力。将该方法应用于三种不同腌腊肉制品中亚硝酸盐的测定,结果显示回收率为98.61%~100.95%,与离子色谱检测所得的结果相接近,表明制备的CQDs-Fe2+荧光探针可用于实际样品中NO2?的检测。综上所述,基于生物基质碳点构建的荧光探针绿色安全,制备简单,可实现对腌腊肉制品中亚硝酸盐含量的检测,具有良好的实际应用前景。 相似文献
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目的研究Mg_3Sb_2含量对Al-Mg_3Sb_2复相涂层的组织、硬度和摩擦学性能的影响,对比分析AZ31B镁合金基体、纯Al涂层和添加不同含量的Mg_3Sb_2之后涂层性能的差异。方法通过火焰喷涂技术在AZ31B镁合金表面制备了Al-Mg_3Sb_2复相涂层。利用扫描电镜(SEM)观察了涂层的截面形貌,利用X射线衍射仪(XRD)分析了涂层的物相组成。通过显微硬度计测试了AZ31B和涂层的硬度,通过摩擦磨损试验仪测试了AZ31B和涂层的摩擦学性能,并通过超景深三维显微镜测试了试样的磨痕宽度、深度及磨损体积。结果经火焰喷涂后可得到组织致密的复相涂层,涂层中的物相主要为Mg_3Sb_2和Al。涂层的平均硬度随Mg_3Sb_2含量的增加而增加,最高可达334.2HV0.025,是AZ31B的4.14倍。摩擦磨损试验中,涂层的摩擦系数随着Mg_3Sb_2含量的增加而减小,但都大于AZ31B的摩擦系数;涂层的磨损率随着Mg_3Sb_2含量的增加而减小,60%Mg_3Sb_2和80%Mg_3Sb_2涂层的磨损率小于AZ31B的磨损率,其他涂层的磨损率大于AZ31B的磨损率,80%Mg_3Sb_2涂层的耐磨性最好,比AZ31B下降了63.26%。随着Mg_3Sb_2含量的增加,Al-Mg_3Sb_2复相涂层的磨痕表面犁沟逐渐变浅并消失。结论 Mg_3Sb_2的加入可以提高涂层的硬度,随着其含量的增加,涂层的耐磨性逐渐提高。 相似文献
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固体氧化物燃料电池(solid oxide fuel cell,SOFC)是一种高效清洁的能量转化装置,具有效率高、环境友好、燃料适用灵活等突出优势,有望成为新一代清洁能源.当前,SOFC阳极使用最广的是镍基材料,这得益于其低成本、优异的化学稳定性和催化效果等优点.但是,当SOFC以碳氢化合物为燃料时,镍基阳极上会产生大量积碳,严重破坏阳极结构,进而影响电池性能和运行稳定性.因此,探究固体氧化物燃料电池镍基阳极积碳机理与改善方法具有重要的科学意义.基于近年来SOFC镍基阳极积碳过程的前沿研究,本文综述了SOFC镍基阳极积碳机理及各种积碳改善策略的最新研究进展,并从优化阳极材料组成和操作条件等方面归纳总结了几种SOFC阳极材料的研究现状和未来发展方向,以期为高性能SOFC阳极材料的开发提供有价值的参考. 相似文献
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采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)方法在(010) Fe掺杂半绝缘Ga2O3同质衬底上外延得到n型β-Ga2O3薄膜材料,材料结构包括400 nm的非故意掺杂Ga2O3缓冲层和40 nm的Si掺杂Ga2O3沟道层.基于掺杂浓度为2.0×1018 cm-3的n型β-Ga2O3薄膜材料,采用原子层沉积的25 nm的HfO2作为栅下绝缘介质层,研制出Ga2O3金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET).器件展示出良好的电学特性,在栅偏压为8V时,漏源饱和电流密度达到42 mA/mm,器件的峰值跨导约为3.8 mS/mm,漏源电流开关比达到108.此外,器件的三端关态击穿电压为113 V.采用场板结构并结合n型Ga2O3沟道层结构优化设计能进一步提升器件饱和电流和击穿电压等电学特性. 相似文献