高梯度快速定向凝固下DZ22高温合金的显微偏析

利用超高梯度快速定向凝固装置，对ＤＺ２２合金在快速定向凝固下的枝晶组织和显微偏析进行了研究。实验结果表明：快速定向凝固的一次枝晶间距和二次枝晶间距及冷却速率随凝固速率变化有一极值。在凝固速率８１５μｍ／ｓ时，枝晶间距（λ１，λ２）为最小，而冷却速率为最大。各元素显微偏析程度随冷却速率增大而减小。除Ｈｆ元素外，在最大冷却速率５４℃／ｓ（Ｒ＝８１５μｍ／ｓ）时，其余元素的偏析比均趋于１     

左手材料微波带通滤波器的滤波特性分析

研究了多层复合左右手传输线结构微波滤波器的滤波特性.用有限时域差分法对结构滤波特性进行了数值模拟和优化,结果表明结构的几何参数得到优化匹配时,在带内衰减-10 dB处左手通带带宽0.46 GHz,插入损耗-0.38 dB,带内没有波纹等滤波特性.表明结构的几何参数得到优化匹配时,可得到通带带宽更宽,插入损耗降低,带内平坦度提高的滤波特性.     

高速定向凝固条件理碳化物的形态及分布

利用高梯度定向凝固装置，研究了镍基高温合金ＤＺ２２在高梯度快速定向凝固下的碳化物形态和分布，结果表明，高速定向凝固条件下的ＭＣ型碳化物呈单向排列，且在各种冷却速率下均呈孤立的块状。随冷却速率的增加，碳化物形状变圆，尺寸变小，分布也更加均匀。     

激光熔覆原位合成TiB2/Cu复合材料涂层及其导电性

应用500WYAG固体激光器，在纯铜表面成功的原位合成了TiB2／Cu复合材料层．实验结果表明，激光熔覆TiB2／Cu复合材料层组织完好，熔覆复合材料层与铜基体呈良好的冶金结合．熔覆层内。TiB2颗粒细小均匀，颗粒尺寸约为300～500nm．经四探针法测量，激光熔覆TiB2／Cu复合材料层的电导率可达82％IACS。     

快速凝固条件下Cu-Cr合金的液相分解

采用快速凝固方法研究了Cu100-xCrx(x=2，25和35％)合金凝固行为．利用带有能谱(EDS)的扫描电子显微镜(SEM)分析了Cu—Cr合金的显微组织形貌和成分．实验结果证实，Cu—Cr合金在快速凝固过程中发生了液相分解，在较大的富Cr液相分解球中可观察到来自于二次相分解的、更细小的富Cu粒子．与Cu—Co和Cu-Fe液相分解组织不同，快速凝固Cu-Cr合金的大尺寸液相分解球不是由相互表面界限明确的、尺寸更小的液相分解球所组成，而是一个整体结构．     

提高低铬白口铸铁耐磨性的研究

低铬白口铸铁中 M_3C 型碳化物的硬度具有方向性,在碳化物纤维横截面上硬度为 HV1425,纵截面上硬度为 HV935.利用较简易的方法制得含2.5%C,3.7%Cr低铬铸铁定向凝固的三体磨损和冲击疲劳试样。试验结果表明,M_3C 型碳化物定向排列以后,不论在硬磨料(石英砂)还是在软磨料(玻璃砂)条件下,相对于砂型铸造试样耐磨性均有提高。碳化物定向排列后,对试样冲击疲劳性能没有影响。     

Effect of laser surface melting treatment on properties of electric copper busbar joints

1　ＩＮＴＲＯＤＵＣＴＩＯＮＥｌｅｃｔｒｉｃａｌｃｏｐｐｅｒｉｓｗｉｄｅｌｙｕｓｅｄｉｎｔｈｅｅｌｅｃｔｒｉｃｉｎ ｄｕｓｔｒｙｂｅｃａｕｓｅｏｆｉｔｓｈｉｇｈｓｔｒｅｎｇｔｈ ,ｇｏｏｄｈｅａｔｃｏｎ ｄｕｃｔｉｖｉｔｙａｎｄｅｌｅｃｔｒｉｃｃｏｎｄｕｃｔｉｖｉｔｙ .Ｈｏｗｅｖｅｒ ,ａｓｔｈｅｈａｒｄｎｅｓｓｉｓｑｕｉｔｅｌｏｗ ,ｔｈｅｗｅａｒｒｅｓｉｓｔａｎｃｅｏｆｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｃｏｐｐｅｒｉｓｐｏｏｒａｎｄｔｈｅｃｏｒｒｏｓｉｏｎｒｅｓｉｓｔａｎｃｅｉｓａｌｓｏｆａｉｒ ｌｙｌｉｍｉｔｅｄ…     

高速定向凝固条件下碳化物的形态及分布

利用高梯度定向凝固装置，研究了镍基高温合金ＤＺ２２在高梯度快速定向凝固下的碳化物形态和分布．结果表明，高速定向凝固条件下的ＭＣ型碳化物呈单向排列，且在各种冷却速率下均呈孤立的块状．随冷却速率的增加，碳化物形状变圆，尺寸变小，分布也更加均匀．     

铝硅合金激光熔凝处理后的电化学腐蚀现象

利用２ｋＷＣＯ２激光器对不同合Ｓｉ量的ＡＩ－Ｓｉ合金进行了搭接扫描熔凝处理，通过ＳＥＭ和ＴＥＭ对激光熔凝处理后Ａｌ－Ｓｉ合金的组织结构进行了观察，通过测定在不同介质条件下的阳极极化曲线，讨论了激光熔凝处理对ＡＩ－ｓｉ合金耐蚀性的影响。结果表明，激光处理可改善Ａｌ－Ｓｉ合金在１０％Ｈ２ＳＯ４和１０％ＨＮＯ３溶液中的耐蚀性，而对Ａｌ－Ｓｉ合金在１０％ＨＣｌ和５％ＮａＣｌ溶液中的耐蚀性没有明显的促进作用。     

高温合金定向凝固枝晶间距与冷却速率的关系

利用高梯度快速定向凝固设备,对ＤＺ２２高温合金定向凝固组织进行了研究．研究结果表明,一次和二次枝晶组织随冷却速率的增长,都有明显细化,横向分枝的生长受到抑制．一次和二次枝晶间距与冷却速率之间都符合指数关系．在冷却速率达到５４℃／ｓ时,一次枝晶间距为２８８μｍ,二次枝晶间距８４μｍ．