PLC技术在自动化控制中的运用

阐述自动化控制中的PLC技术特点和应用,包括模拟量控制、网络控制技术、闭环控制技术、开关量控制、顺序控制中的应用。     

聚丙烯熔喷空气过滤材料表面仿生改性及性能

聚丙烯(PP)熔喷空气过滤材料的抗菌性能较差,细菌、霉菌等微生物会寄生于材料表面。文中利用仿生改性法,以单宁酸(TA)为抗菌改性剂、CuSO₄/H₂O₂为促进剂制备了具有优异抗菌性能的PP/TA熔喷空气过滤材料。分析讨论了TA改性溶液浓度和CuSO₄/H₂O₂促进剂的加入对PP/TA熔喷空气过滤材料结构与性能的影响。结果表明,CuSO₄/H₂O₂促进剂的加入将TA改性时间从24 h缩短至40 min,并增强了PP/TA熔喷空气过滤材料的改性牢度。当TA浓度为6 g/L时,PP/TA熔喷空气过滤材料相较于PP熔喷空气过滤材料其过滤效率和压降分别提升了2.7%和4 Pa,水接触角降低了17.5°;且TA改性对PP熔喷空气过滤材料的驻极性能并无影响,驻极后PP/TA熔喷过滤材料的过滤效率为95.56%,压降为38 Pa,且具备良好的抗菌性能。同时,CuSO₄/H_2<...     

陕北地区钻孔灌注桩承载特性试验研究

在陕北地区开展钻孔灌注桩单桩竖向抗压静载荷试验和桩身轴力测试试验,试验结果表明:试验桩在上部荷载作用下,桩土体系仍然在弹性工作范围内,未进入破坏状态,仍然具有较大的承载潜力;试桩区的单桩竖向抗压极限承载力取值为12333 kN,单桩竖向抗压承载力特征值6166.5 kN,考虑综合因素,建议工程区的单桩竖向抗压极限承载力...     

基于数控加工的工艺设计原则及方法

从当前的情况来进行分析,我国数控加工技术得到了一定的发展,这为机械制造行业的进一步发展提供了有利条件作为支持。工艺设计原则作为数控加工技术的立足点,对其进行创新,可以使相关工作更加高效的开展,确保所进行的加工质量能够符合要求。本篇文章简要介绍了数控加工,分析了基于数控加工的工艺设计原则,并提出了数控加工应用模式,希望能够为数控加工工作的开展提供参考。     

一种超高压输电线路自适应分相电流差动保护新原理研究

根据分相电流差动保护的基本判据。分析线路两端电流量幅值和相位对保护动作特性的影响．提出一种制动系数自适应于线路两端电流量幅值之比的分相电流差动保护新原理。按照穿越性电流对差动保护进行制动的传统方法忽略了线路两端电流量幅值之比对保护动作特性的影响。新原理则充分考虑了这一影响。理论分析和动模试验数据表明,采用该新原理可以增加分相电流差动保护抗电流互感器饱和能力。有效提高保护反映区内、外故障的总体性能。     

新型同杆双回线自适应重合闸方案研究

提出了新的可用于同杆并架双回线的自适应重合闸方案,并在此基础上给出了新的同杆并架双回线保护配置方案。对于带并联补偿电抗器的输电线路发生瞬时性故障后断开相电压存在拍频现象,电压频率基本为低频分量;发生永久性故障后,断开相电压主要为健全相感应电压,为工频分量。对故障相恢复电压进行步长为20ms的差分,瞬时性故障时差分后的电压幅值较大,而永久性故障差分后电压幅值基本为零。通过比较差分电压的幅值,能很好地区分瞬时和永久性故障。另外,从可靠性出发,提出了幅值判据和相位判据相结合的方案,综合利用了幅值判据和相位判据的优势。新的幅值和相位相结合的判据,能够很好地适用于不带并联电抗器的线路,一端或者两端带并联电抗器的线路。大量EMTP和RTDS数字仿真实验表明该方案具有很强的可行性和工程应用价值。     

多模式智能教学系统教学模式选择自适应策略

多模式智能教学系统中教学模式的选择是非常重要的问题,提出了一种教学模式选择的自适应策略,用教学模式相适度算法取得适度值,并制订一系列规则微调原先的相适度,根据确定的有限自动机理论,构建了一个自适应决策系统,实现了教学模式选择的自适应。实验表明该策略是提高智能教学系统自适应性的一种有效方法。     

国产数字式保护发展的新特点

自１９８７年ＷＸＢ－０１型微机高压线路保护在现场正式投入运行以来,国产数字式保护经历了若干次更新换代。在此分析了当前我国数字式保护技术发展的一些新特点,并对数字式保护的几个关键技术的实现方法进行了比较。     

建筑施工中混凝土施工技术要点及工艺研究

混凝土作为建筑工程的关键部分,其质量关系到工程的顺利开展及整体质量。但实际混凝土工程较为复杂,必须使用合理的混凝土施工工艺,制定出科学的施工方案,做好各项细节工作,利用技术手段提高混凝土质量,从而不断提高混凝土施工技术的应用水平和质量。本文就混凝土施工关键技术以及主要工艺进行了简要分析,并提出了相关优化措施,以供相关专业人士参考。     

可工作于77 K低温下的CMOS缓冲器

设计了用于制冷型红外读出电路系统的输出缓冲器,该缓冲器能在读出电路5 MHz的读出速度下驱动约20 pF的电容,可以在低温77 K下工作。对运放的增益,频率特性等进行了详细地阐述,并考虑了低温77 K时MOSFET参数的变化带来的影响。最后,给出了修改CMOS常温模型参数后的仿真结果,芯片采用0.35μm,3.3 V CMOS工艺实现,并给出了77 K下的测试结果,满足红外读出电路系统要求。