超低温等通道转角挤压高导电单晶铜的霍尔佩奇强化

分别采用光学显微镜、扫描电镜、X射线衍射仪和电子背散射衍射分析超低温等通道转角挤压(ECAP)中等应变量单晶铜的形变组织和织构演变，测试材料的力学和导电性能，分析材料组织转变机理及其对材料力学和导电性能的影响。结果表明，超低温ECAP早期形成的定向剪切带在后续变形过程中会严重影响材料组织的转变过程。增加应变量，A路径变形中剪切带内部会形成高密度的位错塞积，特征晶界占比增加；B_C路径变形时剪切带内部的位错发生强烈的交互作用；C路径变形后剪切带的取向发生分散。经过6道次变形后，单晶铜组织中形成强烈的{111}<112>织构，材料强度从初始126.0 MPa增加到400.2 MPa，而导电率仍保持在98%IACS以上。低温ECAP变形后组织内部形成定向剪切带并产生高密度的位错，位错间相互缠结，有效阻碍了位错滑移，而晶粒仍保持良好的单晶特性。     

防污涂料淡水和海水浸泡性能的对比研究

选取市场上常见的不同技术类型的防污涂料，研究不同浸泡周期下，防污涂料在淡水和海水中以及不同海水深度下的性能表现。结果表明，海水深度越浅，生长污损的风险越高，硅烷类水解型防污涂料的静态防污性能更好。防污涂料在淡水中更容易出现起泡和发黏的情况，丙烯酸硅烷和甲基丙烯酸硅烷防污涂料的吸水率更低，起泡和发黏情况更少。该研究结果为码头舾装阶段的防污涂料选择和造船工艺改进提供了参考。     

低值瓷绝缘子红外检测温差阈值研究

依据目前的带电设备红外诊断技术应用导则,正温升1 K是低值瓷绝缘子的判别条件。但根据实际运行情况,该温差阈值较大,易造成红外检测漏检率偏高,为此,对某省电科院瓷绝缘子红外检测数据进行归纳梳理与统计分析。首先对低值温差样本进行分布函数拟合,再利用对数似然值、KS准则及赤池信息准则(AIC)对模型进行拟合优度检验,继而提出了一种基于逆高斯分布的低值绝缘子温差数学模型,并利用极大似然估计法求出模型参数,最终得到了红外检测低值瓷绝缘子的精确温差阈值模型。研究表明,逆高斯分布能够很好地拟合低值温差数据,由此得出的温差阈值模型能够提高低值瓷绝缘子红外检测准确度,可以为低值瓷绝缘子检测温差阈值的合理优化设定提供重要参考依据。