用正电子湮没技术研究深低温下Al—Li—Cu—Mg—Zr合金中的缺陷和电子密度

测量了欠时效和峰值时效的Ａｌ—Ｌｉ—Ｃｕ—Ｍｇ－Ｚｒ合金从深低温到室温升温过程的正电子湮没寿命谱．对ｅ＋寿命谱特征参数的分析表明．两种样品中的缺陷在升温过程中的运动规律是相似的。但峰值时效样品比欠时效样品回复缺陷的量更多；缺陷的平均开空间更大．而且随着δ＇（Ａｌ３Ｌｉ）相粒子的长大，样品基体中自由电子密度提高，增加了合金基体的强度．     

遥感器小型化技术研究

光学遥感器小型化对于空间遥感是非常重要的。介绍了适合于空间遥感器应用的亚像元成像技术,同时介绍了有助于提高极限分辨率的光锥耦合式摄像技术     

结构周期数对光量子阱透射品质的影响研究

用传输矩阵法理论研究结构周期数对单势垒和双重势垒一维光量子阱透射品质的影响。结果表明:随着阱层周期数的增加,单势垒和双重势垒光量子阱的透射峰均变窄,即品质因子提高,且双重势垒光量子阱透射品质因子提高的速度更快;随着垒层周期数的增加,单势垒、双重势垒光量子阱的透射峰迅速变精细,即透射品质因子迅速提高,且双重势垒光量子阱透射品质因子提高速度快;垒层周期数影响强度明显高于阱层周期数,当垒层周期数增大到一定数值后,双重势垒光量子阱的透射峰品质因子趋于无穷大,亦即光量子阱的各透射峰趋于某个频率点。这些特性可为光子晶体设计新型高品质的光学滤波器等量子光学器件提供指导。     

缺陷奇偶性对光子晶体光传输特性的影响

采用传输矩阵法理论,研究缺陷参数奇偶性对含缺陷光子晶体（AB）m （ACx B）n （AB）m光传输特性的影响,研究结果表明：缺陷数目 n 的奇偶性仅影响缺陷模（透射峰）数目的奇偶性,即缺陷模数目的奇偶性与 n 对应;随着缺陷周期数 x 奇数倍增大,透射谱中的缺陷模向禁带中心靠拢,但缺陷模数目不变且等间距排列,随着 x 偶数倍增大,禁带两侧的两组缺陷模向禁带中心靠拢,且各组缺陷模数目与缺陷周期数 x 相关;缺陷光学厚度 DC 奇偶性对光子晶体透射谱的影响也很明显,随着 DC 增大且 DC ＜DA 时,分布在禁带右侧的缺陷模数目增加且向低频方向移动,随着 DC 增大且 DC ＞DA 时,分布于禁带左侧的缺陷模数目则减少但亦向低频方向移动。缺陷参数奇偶性对光子晶体透射谱的影响规律,为光子晶体设计可调性多通道光学滤波器件、光开关等提供理论借鉴,并为光子晶体的理论研究提供参考。     

具有奇数通道滤波功能的光子晶体量子阱结构研究

选择适当的结构参数,用传输矩阵法计算模拟光子晶体(AB)m(CD)n(BA)m模型的透射谱,在归一化中心频率1.0（ωa/2πc）处,当光子晶体(CD)n的导带处于光子晶体(AB)m(BA)m的禁带中,且两者均以中心频率处为对称中心时,构成镜像对称的光子晶体量子阱结构。在光量子阱透射谱的中心频率处及对称的两侧,分布着具有规律的奇数局域共振峰,出现明显的量子化效应,透过峰数目和位置都可以通过光子晶体(CD)n的重复周期数n来调节,这一现象可用于设计可调性奇数通道滤波器。     

金属银对光子晶体光吸收的增强效应北大核心CSCD

构造含金属银缺陷的光子晶体模型(AB)m AGA(BA)m,利用传输矩阵法理论,通过计算机计算仿真的方式,研究了金属银缺陷对光子晶体光吸收特性的增强效应,发现当光子晶体中引入金属银缺陷后,光子晶体的光反射率和吸收率均得到增强。在400~1400 nm范围内,平均反射率增强到93.87%,平均吸收率增强到6.13%,且吸收率大小和位置可调。随着周期数m或B介质层厚度d B增大,光子晶体的光吸收率均得到增强,当m=5时吸收率高达98.72%,当d B=118.52 nm时吸收率高达99.59%,且吸收峰的位置随m增大向短波方向移动,但随d B增大向长波方向移动。随着光入射角度θ增大,光子晶体的光吸收率先增强到极大值后再逐渐减弱,且吸收峰的位置随入射角θ增大向短波方向移动。随着A介质层厚度d A增大,光子晶体的光吸收率减弱,当d A=73.22 nm时吸收率为98.72%,且吸收峰的位置随d A增大向长波方向移动。含金属银缺陷光子晶体的光吸收特性,可为新型光学吸收器、太阳能电池、滤波器和全反射器等材料研究和选择提供理论参考。     

Al-Zn合金GP区的价电子结构及界面能

运用固体经验电子理论计算Al-Zn合金GP区的价电子结构,并运用其价电子结构的信息计算其与母相的界面能。结果表明,由于GP区晶胞最强键上的共价电子数远比纯Al晶胞最强键共价电子数多,Al原子极易与Zn原子形成共价键,所以在Al-Zn合金中即使以最快速度淬火,也能在淬火过程中形成GP区,且合金硬度在GP区开始形成时就稳步上升,而于中间相形成前达到最大值。运用EET理论计算界面能是简便且行之有效的方法。     

晶粒长大的Monte Carlo模拟方法——递归统计法测定晶粒度

应用Monte Carlo（MC）法模拟在周期性边界条件下的晶粒长大行为。利用MC法模拟时,晶界处格点的迁移引起晶粒的长大,根据这一主要特征提出一种精确快速的测定晶粒度的新方法—递归统计法,然后采用递归统计方法测量晶粒度。结果表明,递归统计法测得的晶粒度比截点法的更精确,而且测量精确度不受模型的格点类型以及晶粒的尺寸、形状等的影响,测量速度比其他统计方法要快。     

引爆街舞青春 畅游雷沃装载机先锋训练营

2014年8月28日,″街舞青春品质先锋″雷沃装载机第4期先锋训练营活动在其发源地——美丽的鸢都潍坊顺利拉开帷幕。来自全国各地的装载机驾驶员齐聚山东潍坊,共同参与此次培训盛典,互相沟通、交流、切磋技能,共同体验雷沃FL955F-ETX＋装载机的优越性能。     

两端镜像对称缺陷三元光子晶体的特性研究

运用光学传输矩阵理论,研究了两端镜像对称缺陷层一维三元光子晶体的光传输特性,并比较了一维三元光子晶体与一维二元光子晶体的禁带特性.数值模拟结果得出:一维三元光子晶体的禁带明显宽于二元光子晶体;且在三元光子晶体两端加相同缺陷层后,禁带展宽的同时出现了多个窄的透射峰.考察了影响透射峰的主要因素,缺陷层的折射率越大,透射峰越尖锐;缺陷层的光学厚度在500 nm到800 nm范围内,缺陷层的光学厚度越大,透射峰越尖锐,且向长波方向移动;光子晶体的周期数越大,透射峰越尖锐,且透射峰的个数增加.这种结构可用来实现多通道窄带滤波器,通过调节各个参数可得到所需要的波长以及通道数目的窄带滤波器.