液相法制备ZnO压敏电阻的研究

利用化学共沉淀法和Sol-Gel法制备,ZnO压敏电阻器的部分添加剂粉料,经过成份验证后与其他添加剂和ZnO主料混合制备压敏元件.元件在烧结后,经过热处理和电老练,其性能较传统的固相球磨制备元件提高很多.液相法制备压敏元件,元件内部晶粒大小分布均匀、气孔率低,而经过电老练,气孔再一次减少,因此得到了高性能的ZnO压敏元件.     

ZnO粉体的固相法合成及微波介电性能

采用固相反应法制备了ZnO前驱体,在不同煅烧温度和保温时间分解得到ZnO粉体.用扫描电镜和X射线衍射仪表征合成粉体.采用矢量网络分析仪测试ZnO粉体在8.2～12.4 GHz的微波介电性能.结果表明:在不同煅烧温度和保温时间,前驱体均分解生成ZnO粉体.低温时,得到的样品颗粒大小均匀一致;随着温度的升高,颗粒逐渐长大,但均匀性变差.保温时间对样品颗粒大小的影响不明显.样品介电常数的实部(ε')和虚部(ε')随温度的升高先增大后减小,700℃时,达到最大;而随保温时间的增加,ε'和ε'的变化不显著.对产生介电损耗的机理进行了讨论,并提出改善介电性能的途径.     

溶胶-凝皎-碳热还原法制备富碳β-SiC纳米粉体

采用溶胶-凝胶-碳热还原法,以正硅酸乙酯和蔗糖为原料,在0.1 MPaAr气气氛中碳熟还原合成β-SiC纳米粉体.通过x射线衍射,Raman光谱、扫描电镜和透射电镜对β-SiC纳米粉体的物相、微观结构及形貌进行了表征.结果表明:当合成温度为1 600℃时,已经开始生成β-SiC相,随着温度升高至1 700℃,完全生成了含有Csi缺陷的富碳β-Sic相.β-SiC纳米粉体表现为纳米级的团聚颗粒,平均粒径为40nm,并生成晶须.对β-SiC纳米粉体的碳热还原反应机理进行了分析,结果表明:溶胶-凝胶法明显降低了生成气态SiO控制反应的温度.     

基于水下电场测量的Ag/AgCl多孔电极性能研究

以金属钽板为阳极,不锈钢板为阴极,以四丁基溴化铵为导电剂,在二乙胺体系中直接电化学合成5-二乙基胺钽(Ta[N(C2H5)2]5).采用红外光谱(FT-IR)、核磁共振(NMR)、差热分析(TG-DTG.)及等离子质谱(ICP-Mass)对5 kPa 压力下减压蒸馏分离得到Ta[N(C2H5)2]5产品进行了分析检测.分析结果表明得到的产品确实是纯度99.997％的有机胺钽化合物Ta[N(C2H5)2]5.钽阳极溶解机理研究表明,钽阳极在电流的作用下发生点腐蚀,钽阳极在电流及四丁溴化铵的作用下首先生成Ta(NH10C4)n(Br)m,之后Ta(NH10C4)n(Br)m不断被传输到阴极后继续与二乙胺反应,逐步脱去溴离子Br,并最终生成有机胺钽盐Ta[N(C2H5)2]5.     

凝胶-燃烧法制备掺钕四硼酸铝钇纳米粉体

以硝酸盐为原料、柠檬酸为络合剂,采用凝胶-燃烧法成功制备出了掺钕的四硼酸铝钇[Nd3 :YAl3(BO3)4,Nd:YAB]纳米粉体.分别采用热重-差热分析、X射线衍射、Fourier变换红外光谱和扫描电子显微镜表征了不同温度下焙烧所得粉体的物相、形貌以及前驱体热分解特性.结果表明:Nd:YAB的最低合成温度为1000 ℃,与固相合成方法的最低合成温度相比降低了200 ℃.在反应过程中,首先形成中间相Al4B2O9,YBO3和Y3Al5O12,而最终形成单相的Nd:YAB.在1000 ℃合成Nd:YAB粉体的晶粒尺寸比较均匀,平均粒径为89.3nm.     

掺钕钇铝石榴石透明激光陶瓷的制备及其显微结构

以Al（NO3）3·9H2O、Y（NO3）3·6H2O和Nd2O3为原料，采用硝酸盐热分解法在1000℃左右合成了单相Nd：YAG陶瓷超细粉体。采用XRD及SEM等测试手段对Nd：YAG陶瓷材料进行了表征。结果表明，当焙烧温度为1000℃时，前驱粉体可以直接得到YAG立方晶相。没有YAM和YAP等中间相生成，煅烧所得的粉末颗粒细小均匀，呈椭球状，分散性较好，粒径在150-200nm之间。使用0．5％（质量分数，下同）的正硅酸乙酯作为烧结添加剂，前驱粉体经1700℃真空热压烧结5h后得到具有一定透明度的Nd：YAG多晶陶瓷，晶粒大多在3～4μm之间，晶界间还分布着少量的气孔。     

空心微球表面化学镀Ni薄膜的工艺研究

比较空心微球表面化学镀Ni薄膜的工艺。分别以Sn-Pd胶体溶液和[Ag（NH3）2]^＋溶液作为活化剂，将空心微球表面进行活化，再采用化学镀的方法分别在其上淀积金属Ni薄膜。使用扫描电子显微镜（SEM）、能量色散光谱（EDS）和X-射线衍射光谱（XRD）对两种工艺所镀Ni薄膜的表面微观结构和组分进行表征。结果表明：用Sn—Pd胶体溶液活化后的空心微球表面淀积了均匀、致密的金属Ni薄膜，该薄膜是由大小约100nm的颗粒组成；而以[Ag（NH3）2]^＋溶液活化后的空心微球表面淀积的金属Ni薄膜，是由大小约1μm的颗粒组成。并分析了这两种镀层形成的机理。     

TiO2薄膜的椭圆偏振光谱研究

采用溶胶-凝胶工艺制备TiO2薄膜.XRD结果表明所制备TiO2薄膜为锐钛矿结构.场发射SEM结果显示TiO2薄膜致密、无裂纹,晶粒尺寸约为60～100 nm,单层薄膜厚度约为50 nm,且膜厚随着热处理温度的升高而增大.采用椭圆偏振光谱仪测试了薄膜的椭偏参数ψ、△与波长λ的色散关系,选用Cauchy模型对TiO2薄膜的折射率、消光系数和厚度进行了拟合.结果表明当波长大于800 nm时,TiO2薄膜的折射率在2.09～2.20左右,消光系数约为0.026.并对不同热处理温度下制备的TiO2薄膜光学常数及厚度进行了分析讨论.     

全固体Ag/AgCl电极的制备工艺研究

探讨了制备全固体Ag/AgCl电极所用的AgCl前驱粉体的工艺技术,对其进行了形貌和物相分析,并对工艺改进后制备电极的短期稳定性、电化学噪声水平进行了测试.结果表明,以AgNO3和NaCl为原料,利用乙醇作为助磨剂,球磨8h后,利用冷冻干燥法所制备的AgCl粉体分散性极好,大小均匀,在490℃下烧结后所制备的Ag/AgCl复合电极一致性好,同种电极之间的极差电位约为0.006mV.该电极具有良好的短期稳定性能,电极电位波动量不超过0.080mV/24h,电极电压噪声密度在1Hz处可降低至8.34nV/Hz1/2.     

N-P-N外基区对I~L开关速度的影响

用两维空间模拟和电荷控制原面来揭示决定I~2L最小延迟的因素,并且用实验进行了验证。本文采用数值分析说明:改善I~2L速度的重要因素是减小n-p-n晶体管外基区中的少数载流子存贮电荷以及采用重掺杂的发射区。因此,必须尽可能高地增加外基区浓度并精确控制其扩散深度。如摸拟所予期的那样,我们已经使速度提高了一倍。重掺杂外基区提高了向上电流增益并减小了基区电阻,从而获得高的扇出能力。