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高温存储试验后某种GaAs MESFET的栅-漏极正向和反向漏电流增大。为分析失效机理,测定了试验前后栅-漏极低电压正向电流随温度的变化,定性估计了试验前后复合-产生中心浓度的变化,确定肖待基势垒触有源层的复合-产生中心浓度的增加是两种漏电流增大的原因,为高温下GaAs MESFET的肖特基势垒接触存在栅金属下沉和扩散提供了证据. 相似文献
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运用双指数函数模型方法分析了影响GaAsMESFET肖特基势垒结特性的各种因素 ,编制了结参数提取和I -V曲线拟合软件 ,实现了通过栅源正向I-V实验数据提取反映肖特基势垒结特性的 6个结参数 ,其结果与实验数据吻合得很好。并对TiAl栅和TiPtAu栅GaAsMESFET进行了高温储存试验前后的结参数对比分析和深能级瞬态谱 (DLTS)验证分析 ,证明这种结参数表征方法是进行器件特性、参数的稳定性与退化和肖特基势垒结质量研究的一种新的实用可行的分析手段。 相似文献
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电子元器件长期贮存过程发生的失效是由多种失效机理共同作用的结果.以器件贮存寿命整体为基础的寿命评价难度很大。选择对器件贮存寿命影响最大的单一失效机理.以失效物理为基础.通过高加速应力试验进行寿命评价研究,获得的寿命可以较准确地反映器件真实的贮存寿命。单一失效机理贮存寿命的研究是元器件贮存可靠性工作的重要内容。 相似文献
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