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91.
W掺杂量对非晶态Ti02:W薄膜光学带隙的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
在不同的W靶溅射功率下,用反应磁控溅射法在载玻片上制备了TiO2:W薄膜,并对样品进行了XRD,STS和UV-Vis分析,结果表明试样为非晶态;w靶溅射功率为30w时,带隙为2.75eV;W靶溅射功率为100W时,带隙为3.02eV;W靶溅射功率为150W时,带隙能为2.92eV.STS分析结果表明,在样品的禁带中产生了新的能级,能级宽度为0.83eV. 相似文献
92.