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41.
42.
研究ZnO晶须与Ni-Zn铁氧体复合材料在1~1000MHz范围内的阻抗和对电磁波的反射能力,结果表明,复合材料的阻抗随ZrO晶须含量增加先急剧下降,后趋于恒定,这是由于复合材料的导电网络形成后,其电导率就逐渐趋于恒定的原因,反射能力随低阻抗ZnO晶须的增加逐渐增加,且也阻抗逐渐恒定而趋于恒定。 相似文献
44.
45.
46.
采用溶胶凝胶法在白云母沿(001)方向的解理表面制备VO2/TiO2热致相变复合薄膜。利用X射线衍射仪(XRD),X射线光电子能谱仪(XPS),原子力显微镜(AFM)等手段分析了薄膜的微观结构和表面形貌,通过原位傅里叶变换红外光谱(in-situ FTIR)分析复合薄膜在不同温度下的红外透过率,研究其热致相变特性。结果表明,复合薄膜在云母解理面表面呈VO2(011)/TiO2(101)取向生长,表面致密平整。复合薄膜在金属-半导体相变前后表现出优异的光学开关效应,相变过程中的红外光(波长为4 m)透过率变化(Tr)为75.5%;相变过程陡然,透过率变化率(-dTr/dT)达15.7%/℃,滞回温宽减小到8 ℃。 相似文献
47.
以双氧水和V2O5粉末为前驱体制备出V2O5溶胶,然后在云母基底上成膜,通过后续热处理退火得到优异相变性能的VO2薄膜。采用SEM、XRD分析薄膜形貌和微观结构,利用FT-IR等检测薄膜的光学性质。实验表明,VO2薄膜在云母基底上沿(011)晶面择优取向生长,颗粒生长致密且大小分布均匀。薄膜具有优异的相变陡然性,相变温度及滞后温宽都较低。在红外波段,相变前后透过率及反射率变化都较大,对红外光调节性能较好;在可见光波段,薄膜在相变前后都具有较高可见光透过率。 相似文献
48.
用溶胶-凝胶法和浸渍-提拉工艺在载波片上制备了均匀、透明的WO^3+掺杂的纳米TiO2薄膜.用XRD、紫外-可见分光光度计分析了样品的晶相和光吸收性能,研究了WO^3+的掺杂、掺杂量及热处理温度对薄膜可见光致亲水性的影响,并考察了薄膜在停止光照后,其亲水性能的变化.结果表明,与纯TiO2薄膜相比,掺WO^3+的TiO2薄膜对可见光的吸收有所增强,并有一定的红移现象,且在可见光照射下,亲水性能都有提高,WO^3+的最佳掺杂量为3%(物质的量比);薄膜的最佳煅烧温度为773K;停止光照后,掺WO3+的TiO2薄膜亲水性能持续的更久. 相似文献
49.
50.
W-Mo复合离子掺杂VO2薄膜热滞回线的热调制现象 总被引:1,自引:0,他引:1
以单晶Si(100)为基底,采用无机溶胶–凝胶法在其表面制备W-Mo复合离子掺杂VO2薄膜。采用SEM、XRD等手段分析了薄膜的表面形貌和晶体结构。在热驱动下,利用原位FTIR分析了W-Mo复合离子掺杂VO2薄膜半导体–金属相变性能。结果显示:单晶Si(100)表面VO2薄膜具有(011)择优生长取向,W6+、Mo6+取代了V4+在晶格中的位置,实现置换掺杂。热滞回线分析表明,与未掺杂VO2薄膜相比,V1-x-yMoxWyO2薄膜相变温度降低,滞后温宽减小,同时相变陡然性变差,相变温宽增大;在相变温度区间内,温度路径对红外透过率具有调制效果,其调制作用受原始热滞回线的制约。 相似文献