组成对三方/四方相共存铌锑锆钛酸铅压电陶瓷结构和机电性能的影响

研究了Zr/Ti和（Sb1/2Nb1/2)量对三方相，四方相共存（相界附近）铌锑锆钛酸铅（PNSZT）压电陶瓷机电性能（εee^T/ε0,Kp,Qm,TKfr)的影响。认为Zr/Ti和（Sb1/2Nb1/2)量对PNSZT机电性能影响很大，调整Zr/Ti,(Sb1/2Nb1/2)量是改变机电性能的有效方法，它们的正确选择是得到所需综合性能压电陶瓷的关键之一。探讨了Zr/Ti对相共存区PNSZT压电陶瓷晶格常数和相组成的影响及不同Zr/Ti陶瓷极化前后介电常数变化的特点分析了组成对相共存区PNSZT压电陶瓷机电性能影响机理。     

稀土氧化物在功能陶瓷中的应用分析

综述了稀土氧化物在压电陶瓷，导电陶瓷，AlN陶瓷，ZrO2氧敏陶瓷，微波介质陶瓷中的应用现状，详细讨论了稀土的作用机理，再现了稀土氧化物掺杂改性的规律，为利用稀土氧化物掺改性功能陶瓷提供一定的参考和指导作用，并且为稀土氧化物的应用指明了方向，简述了该领域应用研究的发展方向。     

铅硼玻璃含量对(Ba,Sr)TiO3基电容器陶瓷性能与显微结构的影响

采用常规电容器陶瓷制备工艺，研究了铅硼玻璃加入量对(Ba，sr)TiO3(BST)基电容器陶瓷性能的影响。利用SEM研究了铅硼玻璃对BST基电容器陶瓷微观结构的影响。探讨了铅硼玻璃加入量对BST基电容器陶瓷性能和结构的影响机制。结果表明：铅硼玻璃是通过细晶化，降低烧结温度，形成铅硼玻璃——(Ba，sr)TiO3基复合材料等来影响瓷料性能和结构。当添加4．0wt％铅硼玻璃时，烧结温度为1150℃，介电常数为3240，介损损耗为O．011，电容温度变化率≤50％。     

中温烧结(Ba、Sr)TiO3电容器陶瓷

采用常规电容器陶瓷制备工艺 ,借助正交设计实验法研究了在配方对中温烧结 (12 0 0℃ ) (Ba,Sr)TiO3 (BST)基陶瓷介电性能的影响 ,得到了影响BST基陶瓷介电性能的主次因素以及各因素水平影响其性能的趋势 ,同时得到介电常数最大的配方和介质损耗最小的配方 ,得到了综合性能最佳的适合单片电容器和独石电容器的中温烧结 (12 0 0℃ )BST基陶瓷基方 ,它具有中介 (ε≥ 2 195 )、低损耗 (tanδ≤ 0 .0 15 5 )和高耐压 (大于 4 .5Mv/m)。探讨了各组分对BST基陶瓷介电性能的影响机理 ,为研制中温烧结单片电容器和独石电容器陶瓷提供了依据     

氧化锰对铌锑锆钛酸铅(PNSZT)压电陶瓷性能的影响

本文研究了氧化猛对铌锑锆钛酸铅压电陶瓷性能的影响，探讨了氧化锰的作用机理，为用氧化锰改性锆钛酸铅压电陶瓷提供了理论依据。     

CaTiSiO5掺杂对钛酸钡锶陶瓷介电性能的影响

采用传统固相烧结法,利用X-射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)等方法系统研究了CaTiSiO5掺杂量对(Ba,Sr) TiO3(barium strontium titanate,BST)基电容器陶瓷介电性能和微观结构的影响.结果表明:CaTiSiO5掺杂的BST陶瓷材料的介电损耗都比较小,但是对材料居里峰的移动和展宽效应都明显.随着CaTiSiO5掺杂量的增加,BST陶瓷的介电常数(εr)先增大然后减小,介电损耗(tanδ)先增大然后减小,变化不大,交流耐压强度(Eb)先增大然后减小,容温变化率先减小然后增大.当掺杂CaTiSiO5质量分数为0.8％时,BST陶瓷的综合介电性能较好:介电常数(εr)=2540,介电损耗(tanδ)=0.0036,耐压强度(Eb)=5.6 kV/mm(AC),在-30～85℃温度范围内,容温变化率为-18.9％ ～ 20.6％,容温特性符合Y5S特性.     

Bi3NbZrO9掺杂对BST电容器陶瓷介电性能的影响

采用传统固相烧结法,利用X-射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)等方法系统研究了Bi3NbZrO9掺杂量对(Ba,Sr) TiO3(barium strontium titanate,BST)基电容器陶瓷介电性能和微观结构的影响.结果表明:Bi3NbZrO9掺杂没有改变BST陶瓷主晶相,随着掺杂量的增加会出现一些杂相.Bi3NbZrO9掺杂BST陶瓷具有小的介质损耗值,对材料居里峰的移动和展宽效应明显.Bi3NbZrO9掺杂量为lwt％时,烧结温度为1280℃,BST陶瓷具有较佳的介电性能:介电常数(εr) =2325,介质损耗(tanδ)=0.0048,耐压强度(Eb) =7.8 kV/mm(AC),-30 ～ 85℃温度范围内,容温变化率(△C/C)为-12.9％～ 14.3％.     

烧结温度对Bi2(Mg1/3Nb2/3)2O7介电陶瓷性能的影响

采用传统固相反应法制备了Bi2(Mg1/3Nb2/3)2O7(β-BMN)介电陶瓷,借助X射线衍射(XRD)研究了不同预烧温度合成β-BMN粉体的物相组成,借助扫描电镜(SEM)研究了不同烧结温度β-BMN的显微结构,考察了不同烧结温度和保温时间对β-BMN陶瓷性能的影响.结果表明:合成温度为850℃时已经完全形成主晶相(β-BMN).随着烧结温度的增加,样品的介质损耗(tanδ)先变小后增大,而相对介电常数(εr)先增大后减小.当烧结温度为1000℃保温5h时,得到的陶瓷的综合性能较佳:ρ=7.69g/cm3,εr=207,tanδ=0.00197.     

一种基于VoWiFi的家庭调制解调器WiFi共享技术研究

通过对基于VoWiFi的家庭调制解调器WiFi出现的背景、技术可行性、安全性和实现方法的描述，论述了一种在4/5G信号覆盖不佳，且无可信WiFi信号接入的场景下，利用同一运营商的家庭调制解调器共享WiFi解决移动终端接入通信网络的语音和数据业务等通信需求的方法。