首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   1038篇
  免费   3篇
电工技术   9篇
化学工业   143篇
金属工艺   44篇
机械仪表   53篇
建筑科学   17篇
矿业工程   31篇
能源动力   5篇
水利工程   13篇
石油天然气   87篇
无线电   171篇
一般工业技术   264篇
冶金工业   75篇
原子能技术   70篇
自动化技术   59篇
  2021年   15篇
  2020年   16篇
  2019年   15篇
  2018年   39篇
  2017年   28篇
  2016年   29篇
  2015年   16篇
  2014年   22篇
  2013年   37篇
  2012年   22篇
  2011年   32篇
  2010年   22篇
  2009年   26篇
  2008年   37篇
  2007年   32篇
  2006年   18篇
  2005年   13篇
  2004年   20篇
  2003年   30篇
  2002年   25篇
  2001年   22篇
  2000年   20篇
  1999年   25篇
  1998年   31篇
  1997年   34篇
  1996年   12篇
  1995年   14篇
  1994年   10篇
  1991年   12篇
  1990年   17篇
  1989年   15篇
  1987年   12篇
  1986年   14篇
  1985年   10篇
  1984年   10篇
  1983年   9篇
  1982年   16篇
  1981年   14篇
  1979年   18篇
  1978年   24篇
  1977年   20篇
  1976年   13篇
  1975年   19篇
  1974年   10篇
  1973年   16篇
  1972年   13篇
  1971年   14篇
  1970年   13篇
  1969年   14篇
  1968年   8篇
排序方式: 共有1041条查询结果,搜索用时 430 毫秒
61.
62.
An innovative technique of neural network optimization of substantially less computational cost is presented as a procedure suitable for viable computer‐aided design of complex microwave systems. The number of necessary full‐wave simulations in this optimization procedure is dramatically reduced because of a special objective function (OF) and constrained optimization response surface (CORS) sampling in the dynamic training of the decomposed radial‐basis‐function network. A high rate of convergence to an optimization objective is shown to be dependent on the combined effect of the OF and CORS technique. Performance of the algorithm is illustrated by its application to a waveguide band‐pass filter, a loaded microwave oven, and a dielectric resonator antenna; their optimal designs are found from five‐parameter optimizations requiring as little as 167, 177, and 99 analyses, respectively. © 2011 Wiley Periodicals, Inc. Int J RF and Microwave CAE, 2011.  相似文献   
63.
64.
65.
66.
67.
Light-emitting diode structures operating at room temperature were obtained based on a p-AlGaAsSb/n-InGaAsSb/n-AlGaAsSb heterostructure with high Al content in the boundary layers formed on a p-GaSb(100) substrate. This structure ensures a threefold increase in the output radiant power and the external quantum yield (~1%) as compared to the known InAsSb/InAsSbP heterostructure grown on an InAs substrate. A considerable increase in the pulsed output radiant power is explained by a more effective confinement of nonequilibrium charge carriers in the active region and by a decrease in the nonradiative recombination level, which is achieved by creating an isoperiodic structure.  相似文献   
68.
69.
70.
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号