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王学华 《武汉理工大学学报(材料科学英文版)》2004,19(1)
1 IntroductionInrecentyears ,theoreticalandexperimentalinvesti gationsonthetitaniumoxidefilmsareconductedonac countoftheirremarkableproperties .Titaniumdioxidefilmshaveattractedconsiderableattentiontoapplytomi croelectronicdevices ,opticalthin filmdevice… 相似文献
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存款保险制度是维护金融体系安全的重要机制,结合我国金融业目前的现状,说明了在我国建立存款保险制度的必要性,然后分析了存款保险制度的几项重要功能,并在此基础上提出了一些在我国建立存款保险的制度设计思想。 相似文献
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红寺堡扬水灌区新庄集梯级泵站优化调度研究 总被引:2,自引:0,他引:2
以红寺堡扬水灌区新庄集梯级泵站为研究对象,从提高梯级泵站的综合效益出发,根据新庄集梯级泵站各机组的实际情况和要求,以泵站级数K为阶段变量,各级泵站的供水流量Qk为状态变量,各级泵站的开机方案Dk^T为决策变量,运用动态规划理论,建立在流量匹配的前提下能耗最低且弃水量最少的优化数学模型。在泵的工况点确定时,分别采用了克莱姆法则和试算法对单泵工况点和多泵工况点进行了确定。通过编制新庄集梯级泵站的优化调度应用程序,得到了各泵站的最优组合方案,即一泵站的2^#,3^#,4^#,5^#,6^#泵组合;二泵站的1^#,3^#,4^#,5^#泵组合;三泵站的1^#,3^#,4^#,6^#泵组合;四泵站的1^#,3^#,4^#,6^#泵组合。由模拟计算结果,并结合工程实际,提出在现有条件下采用工程改造的建议,即在现有的基础上附加小泵,对现有的泵进行变速、变时、变阀调节,附加回水管和调节干渠的分出流量,采用该方法较好地提高了泵站的经济效益,使泵站的管理有效、方便。 相似文献
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庞 《青岛大学学报(工程技术版)》2004,19(3):47-49
针对TC7135并行接口输出,占用较多的I/O口资源,电路连接较复杂的缺点,提出了一种TC7135和PIC单片机的二线式接口,并根据TC7135的BUSY信号的高电平时间与模拟量成正比和PIC单片机外部中断沿可编程的特性,通过编写适当的软件实现了该接口,同时给出了电路图以及接口程序,源程序已调试通过。实践证明,该接口工作稳定,可以应用在一般的单片机系统中。 相似文献
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曹文华 《河北工程技术高等专科学校学报》2004,(1):29-31
分析介绍了消防水泵、电动防火卷帘、防烟排烟设施、非消防电源断电、电梯等设施的联动控制系统的设计方法,并提出了设计中应注意的问题和合理化建议。 相似文献
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CHEN Changchun Liu Zhihong HUANG Wentao Dou Weizhi Xiong Xiaoyi Zhang Wei TSIEN Peihsin CAO Jianqing 《中国稀土学报(英文版)》2004,22(Z2)
Thin strain-relaxed Si0.8Ge0.2 films (57.6 nm) on the 30 keV Ar ion implantation Si substrates for different dose (1 × 1014, 5 × 1014, 3 × 1015 cm-2) were grown by ultra high vacuum chemical vapor deposition (UHVCVD) system.Rutherford backscattering/ion channeling (RBS/C), high resolution X-ray diffraction (HRXRD), Raman spectra as well as atomic force microscopy (AFM) were used to characterize these SiGe films. Investigations by RBS/C as well as HRXRD demonstrate that these thin Sio.8Geo.2 films could indeed epitaxially grow on the Ar ion implantation Si substrates. Under low dose ( 1 × 1014 cm-2) and medium dose (5 × 1014 cm-2) implantation conditions, the relaxation extents of SiGe films are 60.6% and 63.6%, respectively. However, high dose implantation (3 × 1015 cm-2) prompt the strain in epitaxial SiGe film to be close to full relaxation status (relaxation extent of 96.6% ). On the other hand, determinations of RBS/C also indicate the crystalline quality of SiGe film grown on high dose implantation Si substrate is nearly identical to that grown on low dose (1 × 1014 cm-2) implantation Si substrate. 相似文献
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本文采用FUZZY-PID复合式自适应控制器来满足冶金连铸系统中对结晶器液位控制的要求,由于在长时间的连续铸钢过程中,塞棒头部受钢水的冲刷和腐蚀,使得塞棒头部为形较大,导致塞棒位置与钢水流量的特性关系发生较大变化,而这种变化无法用确定的数学关系式来描述,用常规PID控制器不能对此变化进行有效调节。本文采用模糊控制器对此变化作出反映,通过模糊控制运算结果来调节PID控制器的放大系数Kp始终在理想的范围内,从而使控制系统达到对结晶器液位控制的要求。 相似文献