时频域自动识别与压制高频噪声

本文在分析张宇等及钱忠平等提出的高频噪声判别准则基础上,利用夏洪瑞等根据在窄档等频距小波分频之后识别、压制高频噪声的思路,提出在时频域将代表地震道主要能量的几个频带的平均振幅绝对值作为正常子波的平均振幅绝对值,以此来识别和压制高频噪声的异常振幅。实际处理结果表明,此法不仅可以压制高频谐振及高频突发噪声,而且可以保护弱地震反射信号不受损害。     

频谱分解技术在塔里木盆地北部TH地区碳酸盐岩缝洞型储层预测中的应用

本文从频谱分解技术的基本原理及计算方法入手,根据正演模型,通过对比缝洞型储层与地震反射特征的关系,总结出储层发育的反射特征,相应地精细调整频谱分解处理参数,进而进行预测。通过与钻井资料对比可知,频谱分解技术可以刻画不同频率强反射、弱反射的边界。     

原油基压裂液研究

研制了一种适用于低压、低渗、水敏性储集层的新型原油基压裂液体系。根据基液原油的组分合成相应的增稠剂，增稠剂在原油中与交联剂反应，形成网状结构，使原油成为黏度可以调控的冻胶，从根本上改变了油基压裂液以柴油、煤油为基液的现状，降低了油基压裂液的成本，同时还提高了压裂液的抗温、抗剪切和破胶性能，并将交联时间缩短到2h以内，可以满足现场压裂施工的要求，大大降低了施工强度和压裂改造的综合成本。在青海油田进行的现场先导试验取得成功。图9表1参5     

提高托盘利用效率的重要手段——电子信息化管理

托盘能否有效运用对物流的畅通与否关系重大,这已经引起了国内外专家和学者们的重视,并就此制定了托盘电子信息化管理系统,旨在更合理地使用托盘,推进托盘一体化和共用系统的建立。而RFID技术在托盘的电子信息化管理的应用更将大大提高物流的效率与准确性,托盘电子信息化管理将成为今后托盘管理的趋势。     

半导体量子点中极化子的有效质量

研究了半导体量子点中极化子的有效质量.采用改进的线性组合算符方法,导出在电子-体纵光学声子(LO)强耦合时抛物量子点中极化子的振动频率、相互作用能和有效质量随受限强度和电子-声子耦合强度的变化.对RbCl晶体量子点进行了数值计算,结果表明,量子点受限越强,半导体量子点中强耦合极化子的振动频率和有效质量就越大;极化子的相互作用能随受限强度的增加先急剧增加,当达到极值后,随受限强度的增加而急剧减少     

义东油田大81-4块咸化湖泊生物礁储集层特征

义东油田位于济阳坳陷沾化凹陷义东断裂带，该油田大81—4块沙四段成化湖泊生物礁复合体自下而上可分为5个小型礁体(2个藻礁，3个藻礁丘体)。根据岩心观察、镜下鉴定和钻井等资料，主要有3种岩石类型：白云岩类是下部藻礁的主体，灰岩类是礁丘相的主体，其它岩类(主要为碎屑岩类和盐岩)分布局限；储集空间主要有7种类型(粒间孔隙、粒内孔隙、铸模孔隙、生长骨架孔隙、角砾间孔隙、晶间孔隙和构造裂缝）。该生物礁复合体位于凸起边缘的断阶带平台，发育于有陆源碎屑供给的半清水水域，紧邻深水区。礁体形成后经历了深埋藏成岩期，对储集空间演化影响最大的成岩作用是白云石化作用、溶解作用、新生变形作用和胶结作用。预测大81—221井区及附近的2个枝管藻白云岩礁体为最有利的勘探目标，义东22井附近生物礁也有良好的勘探前景。     

雷达抗干扰中随机数产生技术分析研究

随机频率捷变和脉冲重复周期随机抖动可以使雷达具有较强的抗侦察、抗干扰能力。某型雷达具有伪随机频率捷变和脉冲周期参差捷变功能。本文分析了在该雷达上实现随机频率捷变和脉冲重复周期随机抖动的技术途径和可行性。     

提取地震信号高频信息方法的若干问题

岩性油气藏勘探已成为当代油气勘探的重要组成部分,因此提取地震资料高频信息已成为一个重要研究课题。文中对分辨率、分频处理地震信号、波阻抗反演中的一些问题进行了较深入的讨论,并得出以下认识:1要提高垂向和横向分辨率,必须设法提高野外采集地震资料的频率;2地震分频处理是偏移后提高分辨率的常用方法之一,这种方法应该限定在地震波的有效频带内,而超出有效频带,可能会带来很多假像;3低频合成地震记录中高频反射系数存在不确定性。在基于模型波阻抗反演的方法中,反演结果受初始模型的影响非常大,初始模型是依据测井资料建立的,初始模型与实际情况越接近,反演效果就越好;否则,会产生模型化的现象;4在相对波阻抗数据体(相当于地震数据体)作为约束条件下的SP测井参数协克里金插值是正演过程,消除了模型化的问题,使反演结果更接近真实情况,提高了砂层真实的分辨率。     

Curie Temperatures of III–V Diluted Magnetic Semiconductors Calculated from First-Principles in Mean Field Approximation

Electronic structure and ferromagnetism in III–V compound-based diluted magnetic semiconductors (DMS) are investigated based on first-principles calculations by using the Korringa-Kohn-Rostoker method combined with the coherent-potential-approximation. The stability of the ferromagnetic phase in GaN-, GaAs-, GaP-, GaSb-based DMS is investigated systematically. The calculations show that 3d-impurities from the first-half of the transition metal series favor the ferromagnetic state, while impurities from the latter-half of the series exhibit spin-glass behavior. This chemical trend in the magnetism is explained by the double exchange mechanism taking the local symmetry at the impurity gap states into account. Curie temperatures of GaAs- and GaN-based DMS are estimated by using the Heisenberg model in a mean field approximation with the parameters calculated from first-principles. It is suggested that room-temperature ferromagnetism can be realized in these systems.     

Towards implementation of a nickel silicide process for CMOS technologies

In this paper, we review some of the advantages and disadvantages of nickel silicide as a material for the electrical contacts to the source, drain and gate of current and future CMOS devices. We first present some of the limitations imposed on the current cobalt silicide process because of the constant scaling, of the introduction of new substrate geometries (i.e. thin silicon on insulator) and of the modifications to the substrate material (i.e. SiGe). We then discuss the advantages of NiSi and for each of the CoSi₂ limitations, we point out why Ni is believed to be superior from the point of view of material properties, miscibility of phases and formation mechanisms. Discussion follows on the expected limitations of NiSi and some of the possible solutions to palliate these limitations.