A concise process technology for 3-D suspended radio frequency micro-inductors on silicon substrate

In this letter, a concise process technology is proposed for the first time to enable the fabrication of good quality three-dimensional (3-D) suspended radio frequency (RF) micro-inductors on bulk silicon, without utilizing the lithography process on sidewall and trench-bottom patterning. Samples were fabricated to demonstrate the applicability of the proposed process technology.     

聚苯乙烯生产工艺及其产品性能的改善

介绍了苯乙烯单体热引发本体聚合的特点及美国FINA石油化学公司聚苯乙烯生产工艺的特点，探讨了影响HIPS产品质量的多种因素，并对HIPS产品质量的改善提供提出建议和看法。     

高质量ZnO薄膜的退火性质研究

在LP－MOCVD中，我们利用Zn(C2H5)2作Zn源，CO2作氧源，在（0002）蓝宝石衬底上成功制备出皮c轴取向高度一致的ZnO薄膜，并对其进行500℃-800℃四个不同温度的退火。利用XRD、吸收谱、光致发光谱和AFM等手段研究了退火对ZnO晶体质量和光学性质的影响。退火后，（0002）ZnO的XRD衍射峰强度显著增强，c轴晶格常数变小，同时（0002）ZnOX射红衍射峰半高宽不断减小表明晶粒逐渐增大，这与AFM观察结果较一致。由透射谱拟合得到的光学带隙退火后变小，PL谱的带边发射则加强，并出现红移，蓝带发光被有效抑制，表明ZnO薄膜的质量得到提高。     

基于规则的光学邻近矫正中规则的相关处理

讨论了如何选择适当的规则,如何建立简洁实用的规则库,如何应用规则库.提出了四种主要的光学邻近矫正规则,在实验结果中列举了规则库中的部分数据.利用规则矫正后的版图光刻得到的硅片图形有了明显的改善.规则库的自动建立部分 (OPCL)是基于规则的光学邻近矫正系统的重要组成部分.     

机器人手指尖六维力/力矩传感器的研制

提出一种机器人手指尖六维力／力矩传感器，并对其弹性体结构进行详细论述；分析应变量与测量量的对应关系；采用现代设计手段对弹性体进行模态分析，并介绍了传感器放大处理电路，给出实验结果。     

冷饮厂制冷系统设计值得注意的几个问题

就制冷系统的设计,针对冷饮工厂的特点,提出了应该注意的几个问题。     

砂砾岩储集层含油性解释方法

LJ地区砂砾岩地层具有岩石结构复杂，储集层非均质性强，稠油和稀油并存的特点，利用测井资料解释含油性难度很大，以地层测试资料为依据，综合利用多种测井信息，提取反映含油性变化的测井特征参数；应用测井参数交会法和测井相分析法建立有效，快速识别稠油，油层和水层的标准，测井相分析法消除了用测井单参数和两参数交会解释含油性存在的多解性，提高子解释结果的成功率，用编制的解释软件处理了LJ地区58口井的资料，解释结果与试油资料对比吻合程度较高，为砂岩储层含油性解释提供了一种有效，快速的方法，为该区先导性试验提供了可靠的依据。     

关于长江重大问题的思考

长江流域横跨我国华东、华中、西南三大经济区,地理位置优越,水资源得天独厚,是我国最重要的经济区域之一。新中国成立后,党和政府高度重视长江治理开发工作,组建了流域机构,开展了流域综合利用规划,初步建立了长江防洪、灌溉、水力发电、航运、水土保持和水资源保护体系,在保护     

Improvement of RCA transistor using RTA annealing after theformation of interfacial oxide

A polysilicon emitter RCA transistor (an ultra-thin interfacial oxide layer exists between polysilicon and silicon emitter) is presented which can operate at 77 K for the first time. An ultra-thin (1.5 nm) interfacial oxide layer is grown deliberately between polysilicon and silicon emitter using RCA oxidation and excellent device stability is obtained after rapid thermal annealing (RTA) treatment in nitrogen atmosphere. The RCA transistor exhibits good electrical performance at very low temperature for an emitter area of 3 × 8 μm². The maximum toggle frequency of a 1:2 static divider is 1.2 GHz and 732 MHz at 300 K and 77 K, respectively