低重分配概率的OVSF码重分配算法

在采用正交可变长扩频因子(OVSF)码作为信道化码的直接序列扩频码分多址系统中,提出用重分配概率作为重分配算法的一个新的评价指标,重分配概率越小,系统的计算复杂度越低。进而提出一种低重分配概率的、基于空码容量的重分配算法,在解决本次码阻塞的同时,兼顾对未来高数据速率的呼叫的支持能力,减少未来码阻塞发生。仿真证实,重分配概率比已有2种重分配算法都小。     

电子政务中基于角色的交叉集散授权策略

为了能够准确、有效、安全地为参与电子政务的部门或人授权,针对权限交叉带来的管理混乱现象,论文构建了基于角色的扩展授权模型(ExtendedRole-BasedAuthorizationModel,简称ERBAM),使用向上查询授权人的集中与分散授权方法,提出了基于角色的交叉集散授权策略,有效解决了电子政务中权限有交叉的授权管理问题。该方法已经成功应用于某电子政务系统。     

相对时延对ST-FSK系统性能的影响

空时频移键控(ST-FSK)结合了空时分组码和频移键控的优点,在瑞利衰落信道条件下无需信道信息,可采用非相干的最大似然(ML)检测器。该文推导了在接收端已知相对时延条件下的非相干ML判决度量,讨论了在接收端未知相对时延条件下信噪比与二进制、四进制ST-FSK系统误比特率性能的关系。理论和仿真结果都表明：(1)低信噪比弱化了相对时延对ST-FSK系统可靠性的影响,但在高信噪比条件下相对时延会严重制约系统性能;(2)相对时延对系统性能的影响与系统进制数的关系不大。     

SDH自愈环网中高性能开关的实现方法探讨

ＩＴＵ－Ｔ与ＡＮＳＩ在ＳＤＨ／ＳＯＮＥＴ标准方面的进展，加快了世界各国在传输系统上的改造，其先进的ＯＡＭ功能可用于建立具有故障保护的自愈环网络，这种自愈环包括分插复用器。ＡＤＭ中的开关在其自愈环工作中起着重要作用。本文为确定其对ＡＤＭ开关的需要，分析了自愈环结构２与原理，以此基础上，介绍了能明显减少硬件数量的新的空分交换方法。     

哈特曼波前传感器的应用

夏克—哈特曼（S－H）波前传感器可以用很高的采样频率同时测量出光场的相位分布和强度分布。它不仅作为波前传感器广泛地应用于自适应光学系统之中，而且还用于光学元件和光学系统的检测、激光光束质量诊断和大气扰动测量之中。我们研制了一系列S－H波前传感器。本文总结了这些传感器在不同领域的测量结果。     

基于电力Modem的远程电表联网自动抄表监控系统的研究

本文介绍基于ST电力线Modem器件ST7536和单片机89C51的电表联网管理系统设计以及多机通讯技术，其特点是可以不占用其它通讯电缆，安装使用方便，经济实用。     

多处理器芯片体系结构研究

随着超大规模集成电路工艺和超级计算技术的发展，作者认为在单个芯片内集成多处理器系统将成为可能。本文详细讨论了多处理器芯片的分类和结构，着重阐述了同构型多处理器芯片的主要研究方向，并对同构型多处理器的可行性作出了分析。     

MMail系统的设计与实现

本文介绍了多媒体电子邮件系统的实现方案。     

Hopfield连续神经网络局部稳定性分析

利用微分几何的方法,将非线性Hopfield神经网络在平衡点附近精确线性化,使之变换成线性系统。通过分析神经网络的n阶李导数,给出并证明了Hopfield神经网络的局部稳定性定理。定理表明,当神经网络满足精确线性化条件时,系统的可控矩阵的非奇异性充分决定了神经网络吸引子的局部稳定范围。     

Electrical properties of GeSi surface- and buried-channel p-MOSFETsfabricated by Ge implantation

The electrical properties of surface- and buried-channel p-MOSFETs containing strained GeSi heterostructures synthesized by high-dose Ge implantation and solid phase epitaxial growth have been investigated. Compared with Si control devices on the same chips, GeSi transistors exhibited improved performance: the channel hole mobility and linear transconductance was up to 18% higher for surface-channel GeSi transistors, and up to 12% higher for buried-channel GeSi p-MOSFETs, than for equivalent Si devices. Ion-beam synthesis of GeSi strained layers therefore offers an attractive means for realising improved device performance in conventional Si device structures