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91.
位相畸变三次谐波转换 总被引:7,自引:1,他引:6
研究了KDP晶体TypeⅠ /TypeⅡ角度匹配的三倍频方案中 ,离散效应和基波位相畸变对三次谐波的影响。重点考虑了位相畸变所带来的在光束全口径上e光折射率以及相位失配等的变化 ,分析了功率密度分布为超高斯型且具有Zernike多项式表述的各阶像差的光束的三次谐波转换过程 ,得到了不同像差对三次谐波横向光功率密度分布的影响以及转换效率变化曲线。 相似文献
92.
93.
石秉仁 《等离子体科学和技术》2002,4(4):1345-1349
In this subsequent study on general descripiton of ideal tokamak MHD instability,the part II,by using a coordinate with rectified magnetic field lines,the eigenmode equations describing the low-mode-number toroidal ALfven modes(TAE,and EAE) are derived through a further expansion of the shear Alfven equation of motion. 相似文献
94.
95.
应用AVO属性数据进行波阻抗反演处理 总被引:4,自引:0,他引:4
宋宗平 《石油地球物理勘探》2004,39(4):465-467
传统的波阻抗反演处理和解释以叠后偏移数据为依据,但这类叠加数据不能满足波阻抗反演的假设条件。本文利用AVO分析属性数据提取纵波剖面和横波剖面,然后分别进行波阻抗反演。文中讨论了如何做好波阻抗低频分量处理、反褶积因子求取及波阻抗高频分量计算等关键步骤的处理。此项技术用于实际资料处理取得了明显效果。 相似文献
96.
人射光脉冲波长为1064nm时,GaAs光导开关上的直流电场强度为10~3V/Cm。讨一论了恒定光强和高斯光强时,GaAs杂质吸收载流子浓度随时问变化;将高斯光强时的模拟结果同实验相比较,二者吻合很好。 相似文献
97.
PS转换波勘探采用纵波震源,具有采集成本低及劳动强度小的特点,在识别岩性、孔隙中的流体性质以及裂缝描述等方面发挥着日益重要的作用。但在实际多分量采集设计和施工中,或多或少忽略了PS波的传播特性、反射强度、波型转换、介质吸收以及检波器组合等因素的物理负效应,特别忽略了精细的采集设计和合理的采集参数所能带给资料上的细微变化对地质解释的贡献。归纳了导致P波和PS波的传播特性和造成地震成像差异的原因,给出了在野外采集中的补偿办法,并通过实例总结出以前勘探实践中忽略的因素,得出的结论对传统的P波勘探和转换波勘探都有着重要的借鉴作用。 相似文献
98.
99.
Lei Ming Wu Wei Mu Liyun Zhao Yong Key Laboratory of Magnetic Levitation Maglev Trains Southwest Jiaotong University Chengdu China University of New South Wales Sydney Australia 《稀有金属材料与工程》2011,(Z3)
To increase the critical thickness of CeO2 single buffer layer, the polymer assisted chemical solution deposition (PACSD) approach has been adopted to prepare a single buffer layer of Gd0.3Ce0.7O1.85-x (GCO) on bi-axially textured Ni-5%W alloy substrate, and the influences of different annealing temperatures on texture and microstructure of the buffer layer has also been studied in this paper. The results demonstrate that a well textured, dense and smooth GCO single buffer layer with thickness of 180 nm has... 相似文献
100.
以金属锌为原料不添加任何催化剂,在700°C时通过平衡气量控制法合成四针状氧化锌晶须。研究了成长时间对样品微结构和发光性能的影响。结果表明,制备的样品是由四针状氧化锌组成的;四针状氧化锌针的长度和直径随成长时间的延长而增加;在样品的室温发光谱中,在385~391nm处出现强的紫外光发射,但没有任何深水平发射,且紫外发射的强度随样品成长时间的延长而增强。 相似文献