大面积硅锂漂移探测器制备及其性能

制备了大面积硅锂漂移探测器,其性能为:探测器的灵敏面积123.6 cm~2;灵敏层深度2 mm;在室温和300 V反向偏压的工作条件下漏电流小于20 μA;对~(241)Am 5.486 MeV α粒子的能量分辨(FWHM)为77.67 keV。     

一种改进的网格数据保持梯度滤波方法

 基于网格数据滤波的基本思想，针对杨高印提出的小子域滤波法存在子域划分重心不稳的问题，本文提出了新的子域划分方法，即通过考察滤波窗口内数据的数值分布或梯度变化情况，在充分考虑子域划分对称性的基础上，采用对称子域的均方根误差或平均梯度大小差值为判别指标确定数据变化的主梯度方向，并用此判别指标代替数据变化平缓系数判别指标，在滤波输出的取值上考虑数据变化的梯度方向上的两个相对称子域对输出的贡献大小进行加权平均，使滤波输出结果更稳定。通过数据试算，表明网格数据滤波法输出结果更加合理、稳健。     

现场地质预测与决策技术

油气的生成、运移、分布、成藏、保存具有规律性，技术人员可以依据其规律性对地下地质情况进行推理、预测和决策。钻井过程的现场地质预测技术方法主要是外推法、因果法和直观法三大类。外推法是常用的预测方法，包含了岩性、沉积旋回、标志层、标准层、重矿物等岩石地层学对比方法和生物地层学方法及地球物理方法。现场地质预测与决策是通过确定预测目标、收集相关资料、进行对比分析、形成地质预测结果、拟定地质决策方案、方案优选、方案实施等环节来完成。该技术是现场地质监督的核心技术，在实践中取得显著成效。     

塔河油田三叠系水平井地质导向技术研究

针对塔河油田三叠系碎屑岩油气藏油层薄、储集层非均质性较强、泥质和低渗致密夹层纵横向变化大的地质特点，在分析、研究不同区块多口水平井资料的基础上，探讨了水平井不同地质情况下斜井段及目的层砂顶的预测和判别技术，以实例阐述了井眼轨迹调整方法，首次形成了一套适合于该地区碎屑岩非均质薄层油气藏水平井录井地质导向技术，在塔河油田水平井钻探开发中取得了显著的成效。     

THE ANALYSIS OF THE SEPARATED LAYERS ALGORITHM BY DOMAIN DECOMPOSITION METHOD

From the principle of of the Domain Decomposition Method (DDM), we analyse the 2nd-order linear elliptic partial differential problems and link the Separated-Layers Algorithm (SLA) with DDM. The mathematical properties of SLA and numerical example are presented to obtain satisfactory computation results. For general linear differential ones, also are the structure of SLA and its characteristics discussed.     

华北盆地南缘大地电磁测深资料地质解释及大别山推覆体成因探讨

根据新近在大别山北麓获得的四条大地电磁测深剖面可以看出,该区地下介质的电性恃征具了明显的纵向上分层、横向上分块的特点。纵向上目上而下分为9个电性层.均有确定的地质属性。其中:第二和第九电性层为本区低阻标志层;第三和第六电性层为相对高阻层;第八电性层为高阻率电阻率高达1000Ω·m以上);第四、第五、第七电性层既有高阻、又有低阻分布.情况比较复杂。■向上的电性分块结构与本区的凸、凹相间的构造格局相对应。这四条大地测深剖面,均反映本区在5～15km深处有一个面积达15000km~2的连续低阻层(第九电性层).电阻率仅有1～3Ω·m。经分析,认为此低阻层可能是一个区域性的主滑脫面,是形成大別山推覆体由北向南的运动面.     

太钢3#高炉重力除尘器大件吊装

太钢3#高炉大修改造是集团公司重点外部工程项目之一，工程量大，工期紧，施工场地狭小，而质量要求较高。如何采取科学、经济的设备吊装方案，对整个项目经济指标的实现，意义重大。文章详细介绍了太钢3#高炉重力除尘器大件整体吊装方案。通过实际采用，取得良好的经济效果。     

水平井现场地质导向方法及其应用

为了降低水平井的钻探工程成本，要尽量不钻或少钻导眼井段。根据水平井在钻前准备、深度预测、稳定井斜、水平导入4个阶段的不同作业特点，依据现场施工经验，归纳提出了利用公式法、小导眼法、曲线指示法、扭矩与dc指数法等方法进行地质导向的成功实践。利用这些方法，可以有效地指导现场钻井人员，将钻井轨迹比较准确地导入目的层中。     

提高E^2PROM中NMOS管源漏穿通电压的实验研究

为了提高Ｅ＾２ＰＲＯＭ中Ｎ管源漏穿通电压，用实验的方法对制造工艺进行了研究。结果表明，高能量注入是提高ＶＰＴ的有效手段，但受到ｐｎ结击穿的限制，只适用于低区短沟Ｎ管；ＤＤＤ工艺大幅度高ＶＰＴ，但ｐｎ结击穿电压低于２０Ｖ，不能应用于高压ＭＯＳ管；采用适量的防穿通注入和适当增大沟道长度为最理想的工艺途径。