煤二次生烃作用程序热解模拟试验研究

通过煤二次生烃作用程序热解模拟,详细描述了煤二次生烃作用主要参数如瞬时生烃率、累积生烃率、累积生烃量、降解率和残余碳的变化。随原始煤化程度的不同,子样二次热解峰温出现滞后、提前和固定的多程式变化。中期热解成烃阶段的煤,弱化学键和沥青化物质的存在导致成烃反应温度区间向低温方向扩展,二次生烃作用起步更快。早、晚期热解成烃阶段的煤,成烃反应主要依赖于煤主体结构的热解,二次生烃作用的激活需要达到或超过此前的成烃反应条件。煤的二次生烃潜力是由初次成烃演化程度所限定。根据煤二次生烃作用阶段性特点及煤层气的自生自储特性,生烃高峰期(Ro.m≌0.95%)前叠加变质作用最利于煤的产气潜力的发挥。      

催化裂化装置分馏塔顶结盐问题解决

因降液管结盐堵塞造成的催化裂化分馏塔频繁冲塔问题,普通水洗法效果不明显,采用回流法,即停掉分馏塔顶循环,新建吸收塔补充吸收剂泵出口至分馏塔顶循环泵入口回流,建立分馏塔上部内回流,可以较好保证分馏塔正常运行,较好地解决了分馏塔顶结盐问题。     

辽河油田老化稠油破乳剂的合成与评价

针对辽河油田老化稠油成分复杂、含水卒高、脱水困难等特点,研制了油溶性破乳剂SYR-1和水溶性破乳剂SSR-1,并考察了2种单体破乳剂和复配破乳剂对辽河油田老化稠油破乳脱水的效果.研究结果表明:单体油溶性破乳剂SYR-1的破乳效果优于水溶性破乳剂SSR-1,老化稠油脱水率可达81.3%;复配破乳剂破乳效果优于单体破乳剂,...     

庙西凹陷中南洼烃源岩评价及其勘探启示

渤海边缘洼陷整体勘探程度较低,烃源岩生、排烃能力分析是研究重点。为明确庙西凹陷中南洼地区油气富集规律,从烃源岩分析和油源对比入手,明确低熟油优势运移通道类型,进而预测油气富集层位与区带。研究表明,中南洼地区发育巨厚沙三段,其有机质母质类型以混源为主,沉积水体为半咸水-咸水环境,现处于低熟阶段,为蓬莱25-6油田主要油源,证明其为研究区主力生烃层系。烃源岩热演化与排烃强度分析表明庙西凹陷中南洼烃源岩热演化程度较低,而低熟油初次运移动力较弱,因此单一型的油气二次运移通道运移量高于复合型通道,沿断层近距离运移馆陶组就近成藏几率较大。研究区中部走滑带断层活动性强且深切油源,主干走滑和其派生断层形成背斜形态圈闭,具有良好的勘探潜力。     

中国智能机械制造评价及发展研究

以中国规模以上工业企业数据库为基础,结合在智能制造主要区域调研的结果,筛选出15145家智能制造企业,经同行评议后,生成322家候选企业名单;再由资深产业专家从“开发式创新”和“探索式创新”两个方面去考察候选企业的能力,得到中国智能制造百强排行榜;随后根据行业分类,得到智能机械制造企业排行榜。在概述了智能机械制造上榜企业的基本情况后,着重分析了前20强企业,并提出了中国智能机械制造发展路径和未来的发展趋势。     

制备态FeZrBNi/Ag/FeZrBNi三层膜的巨磁阻抗效应

用射频溅射法在单晶硅衬底上制备了FeZrBNi／Ag／FeZrBNi三层膜,对制备态样品进行了磁阻抗测量．结果表明,样品纵向和横向的最大磁阻抗比分别为18％和31％,取得最大阻抗比的频率分别为7和8MHz;在此频率下,样品的纵向和横向相对磁导率比分别达到153％和5117％．这表明掺Ni的FeZrB三层膜在制备态已具备优异的巨磁阻抗效应和软磁性能．同时还分析了薄膜样品的电阻、电抗分量和有效磁导率随频率的变化关系．     

新型卡板式外径千分表的设计应用

针对机车牵引电机转轴磨削测量中,对转轴轴承位尺寸超差的原因进行分析,设计制作机车牵引电机转轴新型卡板式外径千分表(实用新型:ZL201420477030.7)。实际应用表明,新型卡板式外径千分表保证了牵引电机转轴轴承位的磨削尺寸,避免了转轴轴承位尺寸超差现象,解决了机车牵引电机转轴轴承位磨削测量的工艺、质量问题。     

乌鲁木齐机场多普勒天气雷达故障统计分析

文章针对乌鲁木齐机场多普勒天气雷达(以下简称ADWR)2009~2019年发生的故障次数、故障分布以及备件更换情况,逐年统计故障率,深入分析了ADWR系统性能,总结出运行维护中的经验,就如何更好地提高雷达业务运行指标提出建议,以提高ADWR雷达的维护、维修能力,建立有针对性的备件管理,为科学的业务运行管理提供依据。     

美国电力市场中的需求响应与高级计量

目前,世界上很多国家(如美国、英国、澳大利亚等)的电力市场纷纷开始建立基于市场的需求响应计划.与这个计划密切相关的高级计量也得到了广泛的关注.     

基于二维电势分布的一种新型复合多晶硅栅LDMOS阈值电压模型

本文提出了一种新型的复合多晶硅栅LDMOS结构.该结构引入栅工程的概念,将LDMOST的栅分为n型多晶硅栅和p型多晶硅栅两部分,从而提高器件电流驱动能力,抑制SCEs(short channel effects )和DIBL(drain-induced barrier lowering).通过求解二维泊松方程建立了复合多晶硅栅LDMOST的二维阈值电压解析模型.模型考虑了LDMOS沟道杂质浓度分布和复合栅功函数差的共同影响,具有较高的精度.与MEDICI数值模拟结果比较后,模型得以验证.