复合流场上吸罩流场理论分析

提出在计算复合流场内存在两种不同流态的流动:势流和紊流。针对两种流动,分别建立了其数学模型,对于紊流流场,针对标准k-ε紊流模型的缺陷,采用了RNGk-ε紊流模型使紊流控制方程封闭。以及提出了边界条件的确定原则。为复合流场的数值计算提供了理论指导。     

实时Motion JPEG2000视频编码系统设计

介绍了基于ADV202 JPEG2000编码芯片的Motion JPEG2000视频编码系统,该系统可实现SMPTE274M的实时编码,支持失真/无失真编码,与标准完全兼容.给出了系统硬件结构和软件流程设计,提出了一种利用帧间相关性减少编码计算量的码率控制方法.     

小波变换在光谱特征提取方面的应用

人们在处理高光谱图像时一般要对一些典型地物进行光谱分析、特征波段的提取,以便提取出最大量的有效信息,剔除无用或冗余的信息,然后再进行分类识别.采用小波变换的分析方法,选用合适的小波进行分解,根据分解后的高频分量中包含的重要信息,利用局部相邻的正负极值点找出对应于原始光谱曲线上每个吸收带的左右边界;利用局部过零点,即可比较精确的提取出各个吸收带的中心波长.该方法比传统的光谱特征提取方法更简洁、有效,实验证明为一种比较理想的光谱特征提取方法.     

自对准双扩散MOS器件的阈值电压分析

文章提出了精确描述自对准双扩散MOS器件阀值电压的解析模型，给出了其沟道中杂质的二维分布和源结耗尽层宽度的计算方法；分析了边缘效应对氧化层电容的影响，借助电荷共事模型，建立了反映非均匀沟道中耗尽层电荷变化及其对开启电压影响的阀值电压模型；同时，借助二维仿真器，计算出自对准双扩散MOS器件的阈值电压，其值与解析值相吻合。     

用于有源电力滤波器的IGBT驱动及保护研究

介绍有源电力滤波器设计中EXB841型绝缘栅场效应晶体管(IGBT)驱动器的驱动原理和电路特点,对IGBT的栅极驱动特性、栅极串联电阻进行了探讨,给出过流保护和过压吸收的有效办法。样机试运行证明此种设计方案可靠、有效。     

加氢渣油催化裂化七集总动力学模型的建立

以加工加氢渣油的茂名石化3^＃重油催化裂化装置的工业数据为基础，针对加氢渣油的特点，提出了以渣油四组分作为划分原料集总基础的催化裂化七集总动力学模型。通过变尺度法（B-F-G-S）和龙格库塔法确定动力学参数，并通过工业实测数据验证，表明该模型具有良好的拟合性和外推性，较好地反映了加氢渣油催化裂化反应规律。     

PROFIBUS-DP规范及其系统浅析

该文从现场总线标准的角度,描述了PROFIBUS-DP协议结构,重点介绍了各层的规范和服务定义,并给出第1层、第2层管理的进一步描述,从而为DP技术应用和产品开发提供了更有力的理论支持。     

NSA-500-1型氩弧焊机VD9不同接法对引弧和稳弧的影响

从一起NSA－500－1型氩弧焊机故障，分析其高压脉冲旁路二极管VD9不同接法对引弧、稳弧及设备安全的影响。     

GaN and AlGaN high-voltage rectifiers grown by metal-organic chemical-vapor deposition

In this paper, we report the study of the electrical characteristics of GaN and AlGaN vertical p-i-n junctions and Schottky rectifiers grown on both sapphire and SiC substrates by metal-organic chemical-vapor deposition. For GaN p-i-n rectifiers grown on SiC with a relatively thin “i” region of 2 μm, a breakdown voltage over 400 V, and forward voltage as low as 4.5 V at 100 A/cm² are exhibited for a 60-μm-diameter device. A GaN Schottky diode with a 2-μm-thick undoped layer exhibits a blocking voltage in excess of ∼230 V at a reverse-leakage current density below 1 mA/cm², and a forward-voltage drop of 3.5 V at a current density of 100 A/cm². It has been found that with the same device structure and process approach, the leakage current of a device grown on a SiC substrate is much lower than a device grown on a sapphire substrate. The use of Mg ion implantation for p-guard rings as planar-edge terminations in mesageometry GaN Schottky rectifiers has also been studied.     

运用NOAA AVHRR和Landsat TM数据估算多年水稻种植面积

介绍了综合运用NOAA AVHRR和Landsat TM数据进行多年水稻种植面积监测的一种方法,以湖北省为例,首先运用Landsat TM数据计算了该省1992年的水稻种植面积;接着运用1992年和1994年的NOAA AVHRR数据分别计算这两年的水稻像元数,以这两年水稻像元数的变化来反映水稻种植面积的变化;最后运用线性模型,估算1994年的水稻种植面积。所得的1994年水稻种植面积与湖北省农调队资料相比精度为84.5%。运用同样的方法估算1995年该省的水稻种植面积,精度达90%以上。