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GAO Haiyong ZHUANG Huizhao XUE Chengshan WANG Shuyun DONG Zhihua HE Jianting 《稀有金属(英文版)》2005,24(3):267-271
ZnO thin films were deposited on Si(111) substrates through a radio frequency (rf) magnetron sputtering system. Then the samples were annealed at different temperatures in air ambience and ammonia ambience respectively. The structure and composition of the ZnO films were studied by X-ray diffraction (XRD) and X-ray photoelectron spectroscopy (XPS). The morphology of the samples was studied by scanning electron microscopy (SEM). Measured results show that ZnO films with hexagonal wurtzite structure were grown on Si(111) substrates when annealed in the two ambiences. The volatilization process of ZnO in the ammonia ambience at high temperature was discussed and the mechanism of the reaction was analyzed. 相似文献
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通过在硅油中加恒电场实验,研究了PZT-5H铁电陶瓷Vickers压痕裂纹的扩展行为,探讨了电场、残余应力以及介质间的耦合作用.结果表明,残余应力不足以使压痕裂纹在硅油中发生滞后扩展,只有外加恒电场E>0.2 kV/cm,电场、残余应力和介质的耦合才能使压痕裂纹在经过一个孕育期tp后发生滞后扩展.由于有效应力强度因子随裂纹扩展而下降,故压痕裂纹扩展10-30 μm后就将止裂.压痕裂纹在硅油中滞后扩展的门槛电场强度EDp=0.2 kV/cm.如外加电场大于临界电场Ep=5.25 kV/cm,电场和残余应力的耦合可使压痕裂纹瞬时扩展;保持恒电场,裂纹能继续扩展,然后止裂.如外加电场大于12.6 kV/cm,不需要残余应力协助,电致裂纹也能在光滑试样上形核、长大、连接,导致试样断裂.试样发生电致滞后断裂的门槛电场EDF=12.6 kV/cm,发生瞬时断裂的临界电场EF=19.1 kV/cm. 相似文献
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使用纳米压痕法测量了单晶SnO2纳米带的硬度、断裂韧性以及裂纹形核的临界应力。结果表明,当载荷大于临界值后微裂纹就从压痕顶端形核、扩展;与此相应,在载荷一位移曲线上出现位移突变平台,根据平台载荷计算出压痕裂纹形核的临界应力σc=3.4GPa;利用裂纹的长度计算出SnO2纳米带的断裂韧性为0.028—0.066MPa-m^1/2,其平均值为KIc=0.044MPa-rn^1/2,它比其它块体脆性材料的断裂韧性小一个数量级,实验测出SnO2纳米带的硬度H=6.25GPa和弹性模量E=86.7GPa。 相似文献
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