小型机载数字视频记录系统的设计与实现

采用嵌入式控制模块SOM2386和专用视频处理芯片SZ1510,设计和实现了一种基于电子硬盘存储的嵌入式小型机载数字视频记录系统。给出了系统总体方案,阐述了视音频解码编码、接口、控制及存储单元的硬件设计,介绍了系统的软件设计,并给出了系统软件的整体工作流程。该系统体积小、重量轻、抗震性好、使用维护方便,已在某型飞机上得到应用。     

N-苄基丙烯酰胺的合成

以丙烯腈和苯甲醇为原料，浓硫酸作催化剂，合成了N-苄基丙烯酰胺（N-BAA）。考察了反应温度、反应时间和催化剂用量等因素对产物收率的影响，得出了最佳反应条件：n（丙烯腈）：n（苯甲醇）：n（浓硫酸）=3：1：1．2，反应时间3h，反应温度60℃。在最佳条件下，N-BAA的收率可达92％。每100g粗产物用10％氢氧化钠溶液提纯，精制产物纯度可达99．80％，熔点为64～65℃。通过红外光谱对产物结构进行了表征。     

对编写《水轮机》新教材的建议

提出适应新的中等职业《水轮机》教材和课程教学大纲的修改建议。     

彩色PDP用玻璃基板

本文讨论了彩色ＰＤＰ现用钠钙玻璃的热稳定性，指出由于这种玻璃在热处理过程中易变形和收缩，因而不适合作大面积彩色ＰＤＰ基板材料，介绍了彩色ＰＤＰ基板玻璃的制造方法和特点。最后介绍了日本旭硝子公司和美国康宁公司各自为彩色ＰＤＰ新开发的玻璃基板材料ＰＤ２００和ＣＳ２５。     

高效铣环在胜科1井事故处理中的应用

胜科1井是中国石化的一口重点科学探井,在钻至井深5001m时因井眼缩径发生了卡钻事故。由于井底存在直翼扩大器、PDC钻头等含有硬质合金的落鱼,普通铣鞋无法完成套铣打捞作业,为此,专门设计了一种高效铣环。该铣环的切削元件选用了一种硬度达93.2 HRA的钛合金,经铣槽镶焊在本体上;本体选用了40CrNiMo厚壁管材,并进行了调质处理;连接螺纹选用了双级梯形同步螺纹。在胜科1井的应用表明：切削元件的强度满足了切削扩大器切削翼和PDC钻头胎体的需要,其齿形、布齿方向和出刃高度设计合理,提高了切削速度;本体性能高,切削元件焊接性能较好;双级梯形同步螺纹有效增加了连接部位的强度,具有较高的上扣扭矩,承受冲击载荷能力强。高效铣环在该井的成功应用,为今后同类型井的事故处理提供了借鉴。     

掺杂InGaAs／InAlAs单量子阱中电子对称态和反对称态磁输运研究

利用变温Hall测量研究了重掺杂InGaAs／InAlAs单量子阱中二维电子气，发现在量子阱中由于存在电子对称态和反对称态导致纵向电阻出现拍频现象。通过分析拍频节点位置，得到电子对称态和反对称态之间的能级间距为4meV。此外，通过迁移率谱方法和多载流子拟合过程研究了不同迁移率电子的浓度和迁移率随温度的变化关系。     

双迭片弯曲压电陶瓷换能器及振动模态分析测量

介绍了双迭片弯曲压电陶瓷换能器的制作及边缘固定金属压电陶瓷双迭片弯曲振动，并利用有限元分析了换能器的谐振模式，采用激光多普勒干涉仪对换能器的谐振特性以及振动速度和位移分布进行了测量和分析，结果表明：换能器空载性能良好，通过有限元分析与先进测量手段的结合，能够对换能器器件的制作与分析进行指导。     

同步辐射晶体单色器晶体热应变的模拟与实验结果的比较

报道了同步辐射装置光束线关键部件之一的晶体单色器晶体热应变的ANSYS有限元模拟结果,并与实验结果进行了比对,模拟结果在实验误差范围(约士15%)内与实验数据符合,证明了模拟结果的可靠性.     

Al-Cu-Fe系初生准晶相凝固过程的电子显微分析

采用包括金相（OM），粉末X射线衍射（XRD），扫描电子显微镜（SEM）观察和透射电子显微（TEM）分析等方法，研究了铸态Al592.Cu36.8Fe3.0Si1.0合金（700℃保温2．5h后水淬）的显微组织及相组成。发现铸锭中存在4种相：准晶I相，τ3相（或φ相），θ－Al2Cu相和η－AlCu相，凝固过程可描述为：初生晶是准晶Ⅰ相；在保温过程中发生包晶或共晶反应（L＋i→τ3(或φ）或L→τ3（或φ）＋i)形成的τ3相（或φ相），呈微畴结构；而剩余液体水淬形成θ－Al2Cu相和η－AlCu 相。     

Electron-beam controlled switching using quartz and polycrystallineZnS

Results of electron-beam controlled switching experiments with switch samples of quartz crystal and polycrystalline zinc selenide (ZnSe) are presented. For switch samples of both materials, drastic reductions of the switch resistance were induced by the electron beam. The quartz sample showed very fast temporal response (less than 1 ns) with potential applicability for current control. The ZnSe samples, on the other hand, showed longer current transients (on the order of 10 ns) with exponential development of the switch resistance after the electron beam pulse