OA系统中的工作流技术及其新的模式

本文在对工作流技术的理论、实现和应用研究的基础上,提出了审批平台中应用的工作流管理模型,详细讨论了该技术的实现方法,并提出了工作流技术的新模式.     

新结构MOSFET

和传统平面结构MOSFET相比，新结构MOSFET具有更好的性能(如改善的沟道效应(SCE)，理想的漏诱生势垒降低效应(DIBL)和亚阈值特性)和更大的驱动电流等。文章主要介绍了五种典型的新结构MOSFET，包括平面双栅MOSFET、FinFET、三栅MOSFET、环形栅MOSFET和竖直结构MOSFET。随着MOSFET向亚50nm等比例缩小，这些新结构器件将大有前途。     

An Analysis of Citation Counts of ETRI‐Invented US Patents

From its foundation until 2004, ETRI has registered over 1,000 US patents. This letter analyzes the characteristics of these patents and addresses the explanatory factors affecting their citation counts. For explanatory variables, research team related variables, invention specific variables, and geographical domain related variables are suggested. Zero‐altered count data models are used to test the impact of independent variables. A key finding is that technological cumulativeness, the scale of invention, outputs in the electronic field, and the degree of dependence on the US technology domain positively affect the citation counts of ETRI‐invented US patents. The magnitude of international presence appears to negatively affect the citation counts of ETRI‐invented US patents.     

从PZT体系看无铅压电陶瓷的可能应用

总结了主要以(Bi0.5Na0.5)TiO3和NaNbO3为基的无铅压电陶瓷的性能，以Pb(Ti，Zr)TiO3基二元系、三元系压电陶瓷的性能与应用为参考，分析了无铅压电陶瓷可能的器件应用。此外，还对拓宽无铅压电陶瓷应用需要改进的性能提出了建议。     

应用数字PWM器件SA4828的大功率直流电源

本文介绍一种智能型、高精度PWR控制器SA4828，其控制实行全数字化产生三相脉宽调制波形．本文采用此器件设计大功率直流电源应用于22KW直流电机测试，对感性负载表现出具有纹波小，响应迅速、硬件电路简洁、控制简单易于编写的优点。     

Throughput analysis for multicast switches with multiple input queues

This letter analyzes the saturated throughput for multicast switches with multiple input queues per input port. Under the assumptions of a Poisson uniform traffic model and random packet scheduling policy, we derive the multicast switch saturated throughput under different fanouts. To verify the analysis, extensive simulations are conducted with different switch sizes and fanouts. It is shown that the theoretical analysis and the simulation results have a discrepancy less than 1.9%. Results from this letter can be used as a guidance to design the optimal queuing for multicast switches.     

理想九点五态控制器原理的叙述

用计算的方式叙述理想九点五态控制器的控制原理。为便于人们理解二阶对象的运动中控制的变化过程,将抽象的对象转换为人们熟知的L-R-C电路,通过调节输入电压(即控制作用)的大小和方向来实现对对象性能的调节,并使系统达到理想的性能指标。最后用仿真来验证计算结果的正确性。     

超宽带极窄脉冲设计与产生

超宽带(UWB)技术是以持续时间极短的脉冲作为传输载体进行数据通信的无线新技术。基于BJT雪崩特性,本文采用并行同时触发的工作方式,设计并产生了高重复速率的UWB脉冲电路发生器,极大地减少了时延,缩短了上升时间,提高了脉冲的幅度,并从等效电路法的观点分析计算了脉冲的特性参数,理论结果与实测结果具有较好的一致性。     

高温氨化合成GaN微晶

分别利用Ga2O3粉末和Ga2O3凝胶作为Ga源,采用NH3为N源,在950℃下,分别将两种反应物与流动的NH3反应20 min合成了GaN微晶。用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、选择区电子衍射(SAED)对微晶进行结构、形貌的分析,特别是对两种不同途径合成GaN微晶的XRD进行了分析比较。结果表明,当Ga源温度为950℃时两种不同的合成途径均可得到六方纤锌矿结构的GaN单晶颗粒,在氮化温度为850℃和900℃时,利用Ga2O3粉末作为Ga源,仅有少量的Ga2O3转变为GaN;而采用Ga2O3凝胶作为Ga源,在相同的温度下,大部分凝胶经过高温氨化反应均可转化为GaN。     

用于有源电力滤波器的IGBT驱动及保护研究

介绍有源电力滤波器设计中EXB841型绝缘栅场效应晶体管(IGBT)驱动器的驱动原理和电路特点,对IGBT的栅极驱动特性、栅极串联电阻进行了探讨,给出过流保护和过压吸收的有效办法。样机试运行证明此种设计方案可靠、有效。