基于整数域改进粒子群优化算法的多平台武器目标分配

武器一目标分配( WTA)问题是军事运筹学中经典的NP完全问题,其模型为非线性整数规划模型,包含多种约束条件,求解复杂、收敛速度慢,采用改进粒子群优化( PSO)算法求解WTA问题.在建立WTA最优化分配模型的基础上,提出了一种针对多约束WTA问题的粒子编码方案及模型的适应度函数,解决了粒子的整数域初始化问题.采用粒子...     

火工品激光焊接封装技术分析

基于火工品封装对焊接技术的要求,提出了激光焊接技术并分析其特点;对目前激光焊接技术在火工品封装中的应用进行了举例说明,比较了激光焊接和电子束焊接的效果,并对激敏光焊接技术在火工品中的应用前景和存在的问题进行了分析.研究表明采用激光焊接技术可使火工品密封性得到提高,其在火工品封装中有广泛的应用前景.     

基于PIC24F单片机的全固态激光器监控系统的设计和实现

本系统以PIC24FJ128DA110为核心芯片实现了对全固态激光器工作过程中操作信号和保护信号的种类、发生时间,驱动电源电流反馈值以及激光功率反馈值等信息的记录;并应用Microchip提供的USB嵌入式堆栈和I2C串口通信将存储在EEPROM中的数据信息以文本格式写入USB闪存驱动器中。本系统方便了对全固态激光器操作流程的实时监控,加快了全固态激光器系统的故障排除和修复;为激光器和控制系统的改进设计提供了数据依据。本系统包含实时时钟模块、ADC模数转换模块、EEPROM数据存储模块、USB数据通信模块等。     

IO单元自动排布算法IOAP

提出了一种应用于芯片物理设计过程中IO单元自动排布的新算法。IO单元排布是芯片物理设计过程中长期依赖经验的环节。IO单元排布的优化对布线,电源网格和设计收敛性的优化有很大贡献。文章重点研究边缘IO单元排布,提出了IO单元自动排布算法(IOAP)。此算法及其相关软件直接应用于视频解码芯片和无线传感器网络处理器芯片(已流片成功)的物理设计流程中。结果表明,IOAP有效改善了芯片的电源网格,时序和布线结果,减少了布线努力,提高了设计收敛性。     

e—偏振非相干均匀背景光照射下光伏光折变晶体中的开路空间亮孤子

本文推导了在外加e-偏振非相干均匀背景光照下开路光伏光折变晶体中的亮空间孤子的演化方程,给出了方程的数值积分形式的解,并且得到了小振帐条件下亮孤子解析角以及孤子宽度的解析表达式,本文还讨论了外加e－偏振非相干均匀背景光对开路光伏孤子的影响,结果表明,若外加e－偏振非相干均匀背景光的强度远远大于晶体的暗辐照强度,则不利于开路光伏孤子的形成。ee     

激光微束穿刺法获得抗虫转基因油菜及其后代的研究

利用激光微束穿刺法将苏云金芽孢杆菌的毒蛋白 (δ endotoxin)基因导入了油菜 ,经聚合酶催化链式反应(PCR)和PCRSouthern杂交证明抗虫基因已导入油菜基因组中并能在T1 代得到遗传。对转基因植株进行了抗虫性测试 ,结果表明某些植株具有较好的抗虫性 ,并且这种抗虫性在T1 代仍能保持。实验结果表明抗虫基因已整合进油菜基因组并得到了稳定的遗传。     

金属薄膜晶体学结构对其电爆炸性能的影响

采用SEM、XRD等手段对4种不同工艺制得的铜箔进行了表征,从微观晶体学结构的角度考察爆炸箔起爆器中桥膜的显微结构与其电爆炸性能的关系,讨论了薄膜电阻、晶界电阻、晶界数量、晶粒尺寸、晶粒取向等因素对金属薄膜电爆炸性能的影响,进而从微观层面上理解桥箔在冲击片雷管中的作用.     

基于可分组设计的部分重复码研究

针对最小带宽再生情形下的有效修复问题,提出了一种新型部分重复(FR,fractional repetition)码设计。该设计由外部最大距离可分(MDS,maximum distance separable)码和内部重复码组成,称为GDDBFR(group divisible design based FR)码,可以达到随机访问模式下的系统存储容量,并且能够在很大范围内选择构造参数。理论分析指出,尽管GDDBFR码采用基于表格的修复方式,但通常具有大量的节点修复选择方案。此外,实验结果表明,与传统的RS(Reed-Solomon)码和再生码相比,GDDBFR码可以显著地减少失效修复时间。     

LD端面泵浦的1.57μm内腔式OPO

1.57 μm波长激光为人眼安全波长激光。将KTP晶体置于一个由LD端面泵浦、声光调Q的Nd:YVO4晶体双凹谐振腔内,利用KTP表面镀膜建立了内腔式OPO,实现了重复率在5～40 kHz范围内1.57 μm脉冲激光的稳定输出。实验结果表明,激光的阈值将随声光调Q器重复率的增加而升高,重复率为5 kHz时得到最低阈值1.52 W。重复率为15 kHz、泵浦功率为3.7 W时,输出光平均功率为305 mW,脉冲宽度50 ns,峰值功率400 W。     

有机高亮度黄光发光二极管

用有机小分子制备的高亮度黄光电致发光器件,在１９Ｖ下器件亮度可达４００００ｃｄ／ｍ２,外量子效率达３．４％．