16信道0.35μmCMOS/VCSEL光发射模块

研究了垂直腔面发射激光器 (VCSEL)及其列阵器件的光谱特性、调制特性、高频特性及与微电子电路的兼容性 ,将 1× 16的VCSEL与CMOS专用集成电路进行多芯片组装 (MCM ) ,混合集成为 16信道VCSEL光发射功能模块 .测试过程中 ,功能模块的光电特性及其均匀性良好 ,测量的 - 3dB频带宽度大于 2GHz.     

井下煤仓全深度分段爆破成井技术

介绍了在煤矿现有设备条件下，全深度一次钻孔分段爆破掘进煤仓的设计与应用情况，论述了爆破方案确定，参数设计及主要措施，通过实践取得了良好效果。     

低温低渗透砂岩油藏窜流大孔道深部封堵技术研究

所用堵剂为高强度的淀粉接枝聚丙烯酰胺交联凝胶SAMG-1,由<6%淀粉、4.5%-5.5%丙烯酰胺、0.003%-0.006%交联剂组成,35℃成胶时间受淀粉和交联剂用量控制,为18-20小时以上,成胶前黏度-100 mPa.s。该堵剂具有长期稳定性,在储层岩心中注入深度15 cm的堵剂,在35℃候凝48小时后及老化90天后,封堵强度分别为0.61和0.59 MPa/cm,封堵率分别为98.6%和98.1%。该堵剂优先进入高渗层,注入0.5 PV并成胶后,2组双填砂管组成的模型低、高渗管渗透率保留率分别为68.4%、0.7%和69.4%、0.0%。吉林扶余油田西一区+15-8.2区块有水井6口,油井13口,含水率达91.5%,注入水最快在5天内到达油井。报道了该区块整体深部调剖封堵窜流通道的情况,详细叙述了+15-9.2井施工中通过注入压力和井底回压控制注入流量,使堵剂陆续进入原生和次生孔道的工艺作业,该井设计注入堵剂92 m3。6口水井整体调剖后,油井产液量差别减小,产油量增加,有效期已超过了9个月,共增油843 t,含水平均下降3.87%。图7表1参8。     

挤扩支盘桩在湿陷性黄土地基中的应用

湿陷性黄土具有遇水发生湿陷、承载力大幅度降低的性质,这种性质直接影响到基础的承载力。为了研究支盘桩在湿陷性黄土地基中的承载性状,对湿陷性黄土中的3根支盘桩进行预浸水静载荷试验,结果表明,支盘桩荷载—沉降曲线为缓变型,具有较好的承载性能,荷载传递规律与在非湿陷性黄土地基中具有相似的性质,桩身各段承载力的发挥具有明显的顺序性,其结果为挤扩支盘桩在湿陷性黄土地基中的应用提供了依据。     

低重分配概率的OVSF码重分配算法

在采用正交可变长扩频因子(OVSF)码作为信道化码的直接序列扩频码分多址系统中,提出用重分配概率作为重分配算法的一个新的评价指标,重分配概率越小,系统的计算复杂度越低。进而提出一种低重分配概率的、基于空码容量的重分配算法,在解决本次码阻塞的同时,兼顾对未来高数据速率的呼叫的支持能力,减少未来码阻塞发生。仿真证实,重分配概率比已有2种重分配算法都小。     

一种零电压转换有源功率因数校正电路的研究

提出了一种基于UC3854的零电压转换有源功率因数校正(ZVT-APFC)的控制电路实现方案,介绍了ZVT电路工作原理,着重分析了由分立元件构成的辅助开关管的驱动电路,通过实验证实了驱动电路的稳定性和可靠性,并通过效率比较验证了ZVT-APFC电路的优良性能。与采用UC3855的电路相比,该电路方案具有简单、可靠、成本低等优点。     

被动模式的网络性能测量研究

针对主动模式网络测量存在的诸多弊端,研究被动模式的网络性能测量方法与技术,帮助ISP获取网络用户的实际感受.在流量采集的基础上,通过流跟踪算法和估计模型获取网络会话的性能参数,通过对若干网络会话性能参数的汇聚,可以获得IP子网之间的宏观性能指标,其测量结果与主动方式的测量结果差异不大.     

甲烷无氧芳构化研究进展及其工业应用前景

综述了最近20多年来甲烷无氧芳构化催化剂的制备、积炭失活和再生方面的研究进展，特别分析了催化剂再生过程的工程化问题及反应器型式；还根据甲烷芳构化技术产业化的需要，分析了甲烷芳构化技术的发展趋势。     

海杂波中基于混沌预测的目标检测方法改进

基于记忆库非线性预测的NP-CFAR方法是目前混沌海杂波背景中目标检测的一种典型而先进的方法.考虑到海杂波功率与特征的时变不稳定性,本文提出运用旋转超盒分类取代这一方法中的NP-CFAR进行目标检测,并探讨了运用盒维数特征提取进行预处理以节省运算开销的问题.仿真实验验证了本文所提改进方法的有效性.     

Simulations of Temperature Field in HFCVD Diamond Films over Large Area

A three-dimensional model was developed to investigate the influence of various hot filaments parameters on substrate temperature fields that significantly affect the nucleation and growth of diamond films over large area by hot-filament chemical vapordeposition (HFCVD). Numerical simulated results indicated that substrate temperature varies as a function of hot filamentsnumber, radius, temperature, emissivity, the distance between filaments, and the distance between substrate and filamentsarrangement plane. When these filaments parameters were maintained at the optimal values, the homogeneous substrate temperature region of 76 mm×76 mm with the temperature fluctuation no more than 5% could be obtained by a 80 mm×80 mmhot filaments arrangement plane. Furthermore, the homogeneous region could be enlarged to 100 mm×100 mm under thecondition of supplementary hot filaments with appropriate parameters. All of these calculations provided the basis for speciallyoptimizing the hot filaments parameters to dep