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主要介绍了光学薄膜在光通信的无源型器件中的原理及应用,并与光纤光栅和平面光波导型的无源器件作简单比较。 相似文献
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43.
一种嵌入式TCP/IP的实现 总被引:3,自引:0,他引:3
针对许多小型嵌入式系统要求结构紧凑、开销小的TCP/IP协议栈的需求,提出一种可移植的非路由器TCP/IP原型的实现。该TCP/IP原型基于某种小型嵌入式系统,依据RFC1122兼容性规定,提供IP、ARP、TCP、UDP服务和Berkeley Socket编程接口。该实现代码短小,开销低,性能能够满足多数应用需求,具有较强的可移植性。 相似文献
44.
Zukerman M. Wong E.W.M. Rosberg Z. Gyu Myoung Lee Hai Le Vu 《Communications Letters, IEEE》2004,8(2):116-118
We provide teletraffic models for loss probability evaluation of optical burst switching (OBS). We show that the popular Engset formula is not exact for OBS modeling and demonstrate that in certain cases it is not appropriate. A new exact model is provided. The various models are compared using numerical results for various OBS alternatives with and without burst segmentation. 相似文献
45.
建设工程质量保证体系存在的问题及对策 总被引:13,自引:2,他引:11
结合建筑业市场管理体制的改革及其发展态势,就建筑工程质量保证体系存在的问题作了阐述,从加强勘察设计资格的管理,完善监理法规等方面,提出了健全和完善质保体系的措施。 相似文献
46.
质子和中子的单粒子效应等效性实验研究 总被引:1,自引:0,他引:1
通过实验方法确定了高能质子和中子引起的单粒子效应等效关系,实验中采用金箔散射法降低了质子束流强度,并利用热释光剂量计(TLD)进行质子注量的监测,采用新研制的存储器长线实时监测系统,进行了64K位至4M位的SRAM器件单粒子效应实验,确定了两种粒子引起单粒子效应等效关系。 相似文献
47.
本文对弹药内弹道性能检验的传统方法存在的问题进行了分析,提出了一种新的检验方法,重点对新的检验方法的数学模型的建立过程进行了论述。并对数学模型的精度进行了分析、检验和验证。 相似文献
48.
Transient hot-electron effect and its impact on circuit reliability are investigated. The rate of device decay is monitored as a function of the gate pulse transient period. Simulation results reveal that excess charges during a fast turn off time may cause an increase in the maximum substrate current. This, along with our experimental data, identifies that transient excess carrier may cause the enhancement of device degradation under certain stress conditions. The enhancement factor of the degradation is a function of the gate pulse transient time. Correlation between the analysis based upon AC/DC measurement and calculations based upon transient simulation are shown in the paper. Better agreement with experimental data is obtained by using the transient analysis and on chip test/stress structures. The correlation between AC and DC stress data is also shown based on the impact ionization model. A hot-electron design guideline is proposed based on the circuit reliability analysis. This guideline can help improve the circuit reliability without adversely effecting the circuit performance. 相似文献
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