全文获取类型
收费全文 | 25307篇 |
免费 | 628篇 |
国内免费 | 3356篇 |
专业分类
电工技术 | 1916篇 |
综合类 | 3377篇 |
化学工业 | 1737篇 |
金属工艺 | 4633篇 |
机械仪表 | 2577篇 |
建筑科学 | 1291篇 |
矿业工程 | 645篇 |
能源动力 | 651篇 |
轻工业 | 1431篇 |
水利工程 | 538篇 |
石油天然气 | 2262篇 |
武器工业 | 172篇 |
无线电 | 2025篇 |
一般工业技术 | 1767篇 |
冶金工业 | 408篇 |
原子能技术 | 425篇 |
自动化技术 | 3436篇 |
出版年
2023年 | 7篇 |
2022年 | 7篇 |
2021年 | 6篇 |
2020年 | 16篇 |
2017年 | 62篇 |
2016年 | 17篇 |
2015年 | 39篇 |
2014年 | 305篇 |
2013年 | 239篇 |
2012年 | 441篇 |
2011年 | 3362篇 |
2010年 | 1664篇 |
2009年 | 933篇 |
2008年 | 935篇 |
2007年 | 623篇 |
2006年 | 878篇 |
2005年 | 999篇 |
2004年 | 3911篇 |
2003年 | 2088篇 |
2002年 | 1833篇 |
2001年 | 1287篇 |
2000年 | 671篇 |
1999年 | 1394篇 |
1998年 | 926篇 |
1997年 | 953篇 |
1996年 | 453篇 |
1995年 | 344篇 |
1994年 | 274篇 |
1993年 | 1303篇 |
1992年 | 1035篇 |
1991年 | 589篇 |
1990年 | 607篇 |
1989年 | 487篇 |
1988年 | 276篇 |
1987年 | 101篇 |
1986年 | 63篇 |
1985年 | 36篇 |
1984年 | 26篇 |
1983年 | 10篇 |
1982年 | 15篇 |
1981年 | 10篇 |
1980年 | 15篇 |
1979年 | 13篇 |
1977年 | 4篇 |
1973年 | 2篇 |
1971年 | 3篇 |
1965年 | 13篇 |
1959年 | 3篇 |
1958年 | 2篇 |
1957年 | 2篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
21.
Li Yu-cheng He Ming Dept.of Civil Engineering Dalian Univ.of Technology Dalian P.R.China 《水动力学研究与进展(B辑)》1993,(4)
Based on model test,the statistical distribution of extreme values of wave-current in-line forces acting on vertical circular cylinder is analyzed in this paper.It is shownthat the results calculated by the simplified method,proposed by authors,agree well with the testdata;Weibull distribution is also adoptable in the region of high KC number, and the shapeparameter a and scale parameter β are related well with KC number respectively. 相似文献
22.
NMOS器件两次沟道注入杂质分布和阈电压计算 总被引:1,自引:1,他引:0
分别考虑了深浅两次沟道区注入杂质在氧化扩散过程中对表面浓度的贡献。对两次注入杂质的扩散分别提取了扩散系数的氧化增强系数、氧化衰减系数和有效杂地系数,给出了表面浓度与工艺参数之间的模拟关系式,以峰值浓度为强反型条件计算了开启电压,文章还给出了开启电压、氧化条件、不同注入组合之间的关系式。 相似文献
23.
深亚微米MOSFET衬底电流的模拟与分析 总被引:1,自引:0,他引:1
利用器件模拟手段对深亚微米MOSFET的衬底电流进行了研究和分析,给出了有效的道长度,栅氧厚度,源漏结深,衬底掺杂浓度以及电源电压对深亚微米MOSFET衬底电流的影响,发现电源电压对深亚微米MOSFET的衬底电流有着强烈的影响,热载流子效应随电源电压的降低而迅速减小,当电源电压降低到一定程度时,热载流子效应不再成为影响深亚微米MOS电路可靠性的主要问题。 相似文献
24.
制作压力传感器时,在二氧化硅层上淀积多晶硅膜,既可利用优良的机械特性,又可保证压敏电阻与衬底间具有良好的绝缘性,由此可大大提高器件的温度特性。介绍了一种多晶硅压力传感器的原理和设计。实验结果表明,这类传感器具有灵敏度好,精度高等特点,电路工作范围为0-250℃,且具有良好的温度稳定性。 相似文献
25.
Li Wang ping Mechanics Department Huazhong University of Science Technology Wuhan P.R.China Yeo K.S. Khoo B.C. Mechanical Production Engineering Department National University of Singapore 《水动力学研究与进展(B辑)》1999,(3)
1. INTRODUCTIONThemaingoalofthispaperistoexplorethepossibilitytolearnmoreaboutthemechanismofturbulentboundarylayerflowinteractionsanditseffectsoncompliantwallperformance.Therearecertainprerequisiteconditionstofurtherthestudyonthemechanism,i.e.theco… 相似文献
26.
本文根据我国陆海空移动用户的需求与特点,借鉴国外经验,提出了建设UHF频段卫星移动通信系统的建议;对照已建成的C波段卫星固定通信系统,分析了其优缺点;最后深入探讨了应用中的若干技术问题。 相似文献
27.
基于微机的PUMA262机器人的离线编程系统 总被引:5,自引:0,他引:5
本文论述了一个离线编程系统开发的全过程,包括系统的设计和该软件的核心技术,PUMA机器人的运动学动力分析与仿真,机器人与微机的接口技术及NURBS高级曲线的路径规划方法等。 相似文献
28.
29.
概述了阴影屏蔽法的操作步骤。对阴影屏蔽法所不能扣除的端墙面阴影部分A_0的γ反散射贡献进行了估算:当被刻度的仪器距端墙1.5m远时,端墙面阴影部分A_0的γ反散射贡献约为0.1—1%。对过阴影屏蔽与阴影屏蔽不足等若干影响因素分别进行了实验或讨论。 相似文献
30.