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31.
Lu Zhao Lin Yu-Ru Huang Xiaoxia Xiong Naixue Fang Zhijun 《Multimedia Tools and Applications》2017,76(8):10855-10879
Multimedia Tools and Applications - Nowadays, microblogging has become popular, with hundreds of millions of short messages being posted and shared every minute on a variety of topics in social... 相似文献
32.
Multimedia Tools and Applications - Sparse representation based classification (SRC) and collaborative representation based classification (CRC) are two well-known methods in representation-based... 相似文献
33.
熊刚 《计算机工程与应用》2000,(11)
文章首先提出了流程工业及其CIMS中的各种优化问题;;小结了各种解决优化问题的求解技术.在此基础上提出了一种基于多级优化的一种流程工业CIMS结构.最后;;作者提出了一种解决流程工业CIMS多目标优化问题的最大熵优化技术 相似文献
34.
宽带多协议标记交换(MPLS)网络的原理及关键技术 总被引:4,自引:0,他引:4
多协议标记交换(MPLS)技术将网络层路由功能和数据链路层交换功能相结合,充分利用第三层和第二层功能,被认为是下一代Internet的基础技术,本文介绍了其基本原理和关键技术。 相似文献
35.
36.
熊文莉 《武汉冶金管理干部学院学报》2004,14(3)
管理层收购起源于资本市场相对成熟的英美国家,其理论基础是西方经济学家提出的效率提高论,代表理论有代理成本说、防御剥夺说、信息不对称性假说。文章分析了管理层收购对我国企业的正负影响,由此提出今后我国管理层收购的几点思路。 相似文献
37.
Zhihua Xu Yongxiang Li Zhifu Liu Zhi Xiong 《Materials Science and Engineering: B》2004,110(3):302-306
The synthesis of trivalent terbium doped ZnGa2O4 nanosized new phosphors by the Pechini method was reported. Well-crystallized ZnGa2O4:Tb3+ phosphors were obtained at low-temperature about 550 °C. The phosphors formed porous agglomerates which consist of spherical nanocrystallites with a uniform size at about 30 nm. The photoluminescence of the phosphors included both the luminescence of ZnGa2O4 host and characteristic emission of Tb3+, and the excitation spectra showed an energy transfer from the host lattice to the activator. The Tb3+ emission from the phosphors prepared by the Pechini process was more intensive than that of phosphors by solid-state reaction process. 相似文献
38.
CHEN Changchun Liu Zhihong HUANG Wentao Dou Weizhi Xiong Xiaoyi Zhang Wei TSIEN Peihsin CAO Jianqing 《中国稀土学报(英文版)》2004,22(Z2)
Thin strain-relaxed Si0.8Ge0.2 films (57.6 nm) on the 30 keV Ar ion implantation Si substrates for different dose (1 × 1014, 5 × 1014, 3 × 1015 cm-2) were grown by ultra high vacuum chemical vapor deposition (UHVCVD) system.Rutherford backscattering/ion channeling (RBS/C), high resolution X-ray diffraction (HRXRD), Raman spectra as well as atomic force microscopy (AFM) were used to characterize these SiGe films. Investigations by RBS/C as well as HRXRD demonstrate that these thin Sio.8Geo.2 films could indeed epitaxially grow on the Ar ion implantation Si substrates. Under low dose ( 1 × 1014 cm-2) and medium dose (5 × 1014 cm-2) implantation conditions, the relaxation extents of SiGe films are 60.6% and 63.6%, respectively. However, high dose implantation (3 × 1015 cm-2) prompt the strain in epitaxial SiGe film to be close to full relaxation status (relaxation extent of 96.6% ). On the other hand, determinations of RBS/C also indicate the crystalline quality of SiGe film grown on high dose implantation Si substrate is nearly identical to that grown on low dose (1 × 1014 cm-2) implantation Si substrate. 相似文献
39.
40.
CIMS/CIPS中的现场总线 总被引:3,自引:0,他引:3
本文主要涉及现场总线定义,现场总线的特点,发展现场总线的必要性,现场总线的发展历程,现场总线的标准化及现场总线产品的开发等内容 相似文献