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认知无线电技术作为软件无线电技术的一个特殊扩展,受到日益广泛的关注.由于该技术能够自动检测无线电环境,调整传输参数,从空间、时间、频率、调制方式等多维度共享无线频谱,可以大幅度提高频谱利用效率.本文首先从认知无线电技术的定义入手,分别讨论了认知无线电的基本概念、功能与实现、标准化的进程.然后介绍了当前应用状况,最后分析了未来的发展及面临的挑战. 相似文献
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A bimodal effect of transconductance was observed in narrow channel PDSOI sub-micron H-gate PMOSFETs,which was accompanied with the degeneration of device performance.This paper presents a study of the transconductance bimodal effect based on the manufacturing process and electrical properties of those devices.It is shown that this effect is caused by a diffusion of donor impurities from the NC region of body contact to the PC poly gate at the neck of the H-gate,which would change the work function differences of the polysilicon gate and substrate.This means that the threshold voltage of the device is different in the width direction,which means that there are parasitic transistors paralleled with the main transistor at the neck of the H-gate.The subsequent devices were fabricated with layout optimization,and it is demonstrated that the bimodal transconductance can be eliminated by mask modification with NC implantation more than 0.2 m away from a poly gate. 相似文献
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对近年来国内外光子晶体光纤(PCF)光栅和PCF光栅激光器的研究现状按发展进程进行综述。概要叙述PCF光栅成栅理论与工艺的研究进展;重点阐述窄线宽单频光纤光栅激光器的研究现状,特别介绍近年来PCF光栅激光器的研究成果。 相似文献
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Theoretically,three-dimensional(3D) GS algorithm can realize 3D displays;however,correlation of the output image is restricted because of the interaction among multiple planes,thus failing to meet the image-quality requirements in practical applications.We introduce the weight factors and propose the weighted 3D GS algorithm,which can realize selective control of the correlation of multi-plane display based on the traditional 3D GS algorithm.Improvement in image quality is accomplished by the selection of appropriate weight factors. 相似文献
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采用超高真空化学气相淀积系统,以高纯Si2 H6和GeH4作为生长气源,用低温缓冲层技术在Si(001)衬底上成功生长出厚的纯Ge外延层.对Si衬底上外延的纯Ge层用反射式高能电子衍射仪、原子力显微镜、X射线双晶衍射曲线和Ra-man谱进行了表征.结果表明在Si基上生长的约550nm厚的Ge外延层,表面粗糙度小于1nm,XRD双晶衍射曲线和Ra-man谱Ge-Ge模半高宽分别为530'和5.5cm-1,具有良好的结晶质量.位错腐蚀结果显示线位错密度小于5×105cm-2可用于制备Si基长波长集成光电探测器和Si基高速电子器件. 相似文献