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玻璃微珠的表面化学镀银及红外辐射性能研究 总被引:6,自引:1,他引:5
采用化学镀方法在玻璃微珠表面镀银,考察了预处理条件、反应温度和反应时间等因素对玻璃微珠表面镀银的影响,并通过扫描电镜和X-射线衍射分析仪,对镀银后玻璃微珠的表面形貌和结构进行了观察和表征。将镀银玻璃微珠用于涂料中,考察了玻璃微珠在涂料中的应用及其红外辐射率的变化,探讨了化学镀条件对涂料红外辐射率的影响,结果表明,在控制反应温度和浓度的条件下,可使镀银玻璃微珠的红外辐射率由原来的1.02降为0.70,将其应用于涂料后,涂层的红外辐射率为0.80。 相似文献
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A.L. Pan H.G. ZhengZ.P. Yang F.X. Liu Z.J. Ding Y.T. Qian 《Materials Research Bulletin》2003,38(5):789-796
Small Ag particles or clusters dispersed mesoporous SiO2 composite films were prepared by a new method: First the matrix SiO2 films were prepared by sol-gel process combined with the dip-coating technique, then they were soaked in AgNO3 solutions followed by irradiation of γ-ray at room temperature and in ambient pressure. The structures of these films were examined by X-ray diffraction (XRD), high-resolution transmission electron microscope (HRTEM), and optical absorption spectroscopy. It has been shown that the Ag particles grown within the porous SiO2 films are very small, and they are isolated and dispersed from each other with very narrow size distributions. With increasing the soaking concentration and an additional annealing, an opposite peakshift effect of the surface plasmon resonance (SPR) was observed in the optical absorption measurements. 相似文献
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根据惠斯通电桥工作原理,采用回路法可以简便快捷地确定电视地下电缆接地、短路故障点的位置。电容法也是一种常用的检查开路的检测方法。这样维修人员可以迅速排除故障,保证电视节目的正常传送。 相似文献
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Dong-Soo Yoon Jae Sung Roh Sung-Man Lee Hong Koo Baik 《Journal of Electronic Materials》2003,32(8):890-898
The effect of a thin RuOx layer formed on the Ru/TiN/doped poly-Si/Si stack structure was compared with that on the RuOx/TiN/doped poly-Si/Si stack structure over the post-deposition annealing temperature ranges of 450–600°C. The Ru/TiN/poly-Si/Si
contact system exhibited linear behavior at forward bias with a small increase in the total resistance up to 600°C. The RuOx/TiN/poly-Si/Si contact system exhibited nonlinear characteristics under forward bias at 450°C, which is attributed to no
formation of a thin RuOx layer at the RuOx surface and porous-amorphous microstructure. In the former case, the addition of oxygen at the surface layer of the Ru film
by pre-annealing leads to the formation of a thin RuOx layer and chemically strong Ru-O bonds. This results from the retardation of oxygen diffusion caused by the discontinuity
of diffusion paths. In particular, the RuOx layer in a nonstoichiometric state is changed to the RuO2-crystalline phase in a stoichiometric state after post-deposition annealing; this phase can act as an oxygen-capture layer.
Therefore, it appears that the electrical properties of the Ru/TiN/poly-Si/Si contact system are better than those of the
RuOx/TiN/poly-Si/Si contact system. 相似文献