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91.
通过在三种不同的强化负荷下进行深沟球轴承疲劳寿命试验,并与常规试验一组结果对比。结果表明,适当地加大滚动轴承疲劳寿命试验负荷,可以大大缩短试验时间,而疲劳寿命依然服从Weibul分布,且与常规试验结果基本一致,同时疲劳破坏的形式仍是表面下萌生裂纹,然后扩展至表面形成剥落。  相似文献   
92.
饮料包装的计算机控制和管理   总被引:1,自引:1,他引:0  
于平 《包装工程》1992,13(2):66-69
着重介绍计算机技术在饮料包装方面应用的发展情况,灌装生产流水线的计算机控制和管理,自动装卸搬运系统和计算机仓库管理系统等。  相似文献   
93.
层状介质中重力,地震联合反演的迭代算法   总被引:14,自引:2,他引:12  
本文提出一种用于层状介质中重力、地震资料联合反演层速度、层密度及弯曲界面深度的迭代算法。该方法通过引入加权最小平方目标泛函,将层状介质中的重力、地震资料联合反演问题转化成具体的优化问题。为了得到反问题的最优解,文中系统地研究了层状介质中双摄动处理技术,以及层状介质中波场摄动的一阶 Born 近似解与理论重力异常摄动解。并应用 Tarantola 的反演理论,导出了梯度算子的计算公式。然后应用最速下降法给出了求取最优解的具体算法,得到了一种类似于地震偏移与空间更投影的迭代反演方法。对理论模型进行重力、地震联合反演的结果表明,该方法不仅可碱少未知参数的个数,提高反演的收敛速度,而且可减少反演的不适定性,不失为一种可行的多参数反演方法。  相似文献   
94.
From the principle of of the Domain Decomposition Method (DDM), we analyse the 2nd-order linear elliptic partial differential problems and link the Separated-Layers Algorithm (SLA) with DDM. The mathematical properties of SLA and numerical example are presented to obtain satisfactory computation results. For general linear differential ones, also are the structure of SLA and its characteristics discussed.  相似文献   
95.
秦明  黄庆安 《微电子学》1993,23(5):36-39
真空微电子三极管是近年来兴起与发展的真空微电子学中的一类重要器件。本文从真空微三极管的工作特性出发,分析了这类器件中所需考虑的几何参数和工作特性的关系,并给出了一些理论和实验公式,为今后的设计提供一些参考。  相似文献   
96.
牛焱 Gesmu.  F 《金属学报》1993,29(4):B164-B168
Na_2SO_4沉积物显著地加速Fe_3Al、Ni_3Al和Ti_3Al在600℃模拟燃气气氛中的腐蚀.腐蚀产物为M与Al的氧化物和硫化物的混合物.Fe_3Al和Ti_3Al的耐蚀性优于Ni_3Al因为Fe_3Al腐蚀产物中有一含高Al_2O_3的内层在Ti_3Al上则有由TiO_2和NbO_2组成的中间层而Ni_3Al的腐蚀产物的内层含有大量硫化镍有利于Ni的向外传输Na_2SO_4中添加NaCl对三种M_3Al的腐蚀过程无明显影响  相似文献   
97.
本文报导一种连续波氩离子激光泵浦的掺钛蓝宝石激光器。在氩离子激光功率(全谱线)为10.45瓦且仅用一组腔镜时,获得最大平均功率超过1000mW、调谐范围750~850nm的掺钛蓝宝石激光输出。  相似文献   
98.
我们研制了一种8毫米波变张角、半径突变的多模圆锥馈源。计算出其模比并推导出其辐射方向图公式;给出其在两个主平面——E平面与H平面上的辐射方向图和波束场分布特性的测试结果以及电压驻波比VSWR的测量结果;同时给出频带和旁瓣特性。分析与测试共同表明,在34.5GHz~37GHz频带里,该多模馈源的辐射图在大于24dB范围内获得幅度等化且不出现旁瓣,因此具有一定的应用价值。  相似文献   
99.
论工业设计中产品造型设计之特征   总被引:2,自引:0,他引:2  
本文系统地论述了工业设计中产品造型设计所具有的特征,双重性,时代性,民族性,协调性,独创性,经济性和模糊性,为企业开发新产品提供了科学的依据。  相似文献   
100.
吴正立  严利人 《微电子学》1996,26(5):339-341
为了提高E^2PROM中N管源漏穿通电压,用实验的方法对制造工艺进行了研究。结果表明,高能量注入是提高VPT的有效手段,但受到pn结击穿的限制,只适用于低区短沟N管;DDD工艺大幅度高VPT,但pn结击穿电压低于20V,不能应用于高压MOS管;采用适量的防穿通注入和适当增大沟道长度为最理想的工艺途径。  相似文献   
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