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991.
提出一种基于光脉冲注入条件下半导体激光器腔 内交叉增益调制(XGM)效应的超宽带(UWB)信号产生方案,通过一个增益开关激光器(ML)、 一个半导体激光器(SL)和一个光带通滤波器(OBPF),在平衡探 测器(BPD)端口直接检测输出重复频率为2.5GHz的UWB一阶微分(Mo nocycle)和二阶微分(Doublet)信号, 而且通过引入马赫-曾德尔调制器(MZM),还可对产生的UWB信号实现开关键控(OOK)。 对所提系统 进行了全面的系统仿真分析,并进行了实验验证,实现了上述各种条件的UWB信号产生,并 实现了UWB信 号的40km光纤传输实验。实验结果表明:该方案获得的UWB信号的频 谱与美国联邦通信委员会(FCC)定制的EIRP标准吻合,同时经过调制的 UWB信号的波形经40km光纤传输之后基本保持不变。为了证明本文方 法产生的UWB信号的重复变化特点,还产生了频率为3.75GHz的UWB信 号。 相似文献
992.
993.
Jie Hu Guangming Liang Qin Yu Kun Yang Xiaofeng Lu 《Digital Communications & Networks》2022,8(3):303-313
Activating Wireless Power Transfer (WPT) in Radio-Frequency (RF) to provide on-demand energy supply to widely deployed Internet of Everything devices is a key to the next-generation energy self-sustainable 6G network. However, Simultaneous Wireless Information and Power Transfer (SWIPT) in the same RF bands is challenging. The majority of previous studies compared SWIPT performance to Gaussian signaling with an infinite alphabet, which is impossible to implement in any realistic communication system. In contrast, we study the SWIPT system in a well-known Nakagami-m wireless fading channel using practical modulation techniques with finite alphabet. The attainable rate-energy-reliability tradeoff and the corresponding rationale are revealed for fixed modulation schemes. Furthermore, an adaptive modulation-based transceiver is provided for further expanding the attainable rate-energy-reliability region based on various SWIPT performances of different modulation schemes. The modulation switching thresholds and transmit power allocation at the SWIPT transmitter and the power splitting ratios at the SWIPT receiver are jointly optimized to maximize the attainable spectrum efficiency of wireless information transfer while satisfying the WPT requirement and the instantaneous and average BER constraints. Numerical results demonstrate the SWIPT performance of various fixed modulation schemes in different fading conditions. The advantage of the adaptive modulation-based SWIPT transceiver is validated. 相似文献
994.
995.
用CMOS工艺改善集成开关电容DC-DC变换器的特性 总被引:3,自引:0,他引:3
介绍了一种具有改进电路结构和改进工艺的单片集成3.3V/ 1.2 V开关电容DC- DC变换器,其控制脉冲频率和固定导通比分别为10 MHz和0 .5 .为了提高变换器的输出电流,采用CMOS工艺来制造电路中的开关器件和改进的互补型电路结构.使用Hspice电路仿真软件得到的仿真结果表明改进变换器的单个单元电路和互补型电路可使输出电流分别达到12 .5 m A和2 6 m A,且后者的功率转换效率为73% ,输出电压纹波小于1.5 % .变换器在日本东京大学的标准Rohm 0 .35 μm CMOS工艺线上投片试制,测试结果显示,使用CMOS开关的变换器单元电路的输出电流为9.8m A. 相似文献
996.
A. A. Vaipolin Yu. A. Nikolaev V. Yu. Rud’ Yu. V. Rud’ E. I. Terukov 《Semiconductors》2003,37(4):414-416
Photosensitive structures of surface-barrier and homojunction types have been fabricated for the first time on the basis of ZnIn2Se4 single crystals. The spectral dependence of the quantum efficiency of photoconversion has been studied and discussed. It is concluded that the structures are promising for commercial applications. 相似文献
997.
N. A. Cherkashin M. V. Maksimov A. G. Makarov V. A. Shchukin V. M. Ustinov N. V. Lukovskaya Yu. G. Musikhin G. E. Cirlin N. A. Bert Zh. I. Alferov N. N. Ledentsov D. Bimberg 《Semiconductors》2003,37(7):861-865
The effect of the growth temperature on the density, lateral size, and height of InAs-GaAs quantum dots (QD) has been studied by transmission electron microscopy. With the growth temperature increasing from 450 to 520°C, the density and height of QDs decrease, whereas their lateral size increases; i.e., the QDs are flattened. The blue shift of the photoluminescence line indicates decreasing QD volume. The observed behavior is in agreement with the thermodynamic model of QD formation. The effect of lowering the substrate temperature immediately after the formation of QDs on the QD parameters has been studied. On lowering the temperature, the lateral size of QDs decreases and their density increases; i.e., the parameters of QD arrays tend to acquire the equilibrium parameters corresponding at the temperature to which the cooling is done. The QD height rapidly increases with cooling and may exceed the equilibrium value for a finite time of cooling, which enables fabrication of QD arrays with a prescribed ratio between height and lateral size by choosing the time of cooling. 相似文献
998.
Yu Chen Hu 《Electronics letters》2003,39(2):202-203
A novel image hiding scheme capable of hiding multiple grey-level images into another grey-level cover image is proposed. To reduce the volume of secret images to be embedded, the vector quantisation scheme is employed to encode the secret images. The compressed message is then encrypted by the DES cryptosystem to ensure security. Finally, the encrypted message is hidden into the cover image using the greedy least significant bit substitution technique. 相似文献
999.
1000.