信息边界安全及我国的对策

进入９０年代以来,信息安全已居为各国十分重视的国家安全问题。本文作者在“信息安全”的基础上率先提出了“信息边界安全”的全新概念,并对信息边界最易受攻击 的“主要区段”以及我国应采取的对策作了介绍。     

从初装费的变化看我国通信网发展的不同阶段

本文介绍我国电话初装费在电话网不同发展阶段的情况。文章认为,我国在解放后很长一段时间内,由于实行低初装费政策,导致企业投资过低,电信网发展缓慢。１９７９年提高初装费标准后,保证了电话网建设的１／３的资源来源。１９７９年提高初装费标准后,保证了电话网建设约／３的资金来源。从现在起,我国将逐渐下调初装费,这将进一步促进电信市场的发展,另一方面,电信网建设的融资方式也将进一步市场化。     

FIVE MODE INTERACTIONS IN A FREE SHEAR LAYER

This study condiders spatially developing free shear layers at moderateReynolds numbers that are formed by the merging of two free streams initially separatedby a splitter plate.To study the nonlinear interactions between the two-and three-dimen-sional fundamental and subharmonic modes in the spatially developing shear layer,the se-lected five modes represent the minimum number that needs to be considered.The objec-tive of this study is to investigate the nonlinear effects arising from the interactions be-tween two-and three-dimensional large-scale coherent structures in a free shear layer.Our attention is focused on the energy exchange mechanisms between the various modes,and the effects of the nonlinear evolution of the phases of the interacting modes.It isshown that depending on the initial modal phase angles the downstream growth of theshear layer and the associated local entrainment can be strongly affected by the presence ofthese nonlinear interactions.This high sensitivity of the shear layer growt     

迅速发展中的中国国际电信业务

本文介绍了目前中国国际电话业务的现状及发展趋以及在开展国际电信业务时采取的主要措施：开发多各业务满足用户需求及扩大网络能力适应业务发展。     

AT＆T的演变与启示

本文简要回顾了AT&T 100多年的发展历史,介绍了最近10年美国电信市场的变化、AT＆T解体后的调整和发展及可借鉴的经验。     

电信发展阶段的网间接续费

世界各国电信体制的改革，使电信业从垄断走向竞争，由此相发的现有公司电信网和新公司电信网的网间接续费问题成了电信主管部门面临的重要课题。本文合成阐述了网间接续费的概念及内涵，特别强调了处于发展阶段的电信网和网间接续费的特点。     

设计院工程成本管理信息系统的设计与实现

通过设计和使用成本管理信息系统,实现从手工统计到系统计算的转变.详细阐述了该系统的设计目标、设计原则、设计思路和实现办法.阐述了运行效果,并提出今后的努力方向.     

光纤预制棒(MCVD法)的工艺理论研究

本文对光纤预制棒(MCVD)的工艺机理进行了理论分析,建立了沉积过程中的微粒沉降模型,该模型的基本原理与实验观察一致。对渐变型折射率分布多模光纤的结构分析表明,MCVD法能精确地控制a参数和数值孔径,为提高沉积速率和生产效率开辟了应用途径。     

应用于VLSI的PSSWS-LDD MOSFET优化工艺研究

提出实现VLSI的PSSWS(Poly Silicon Side Wall Spacer)—LDD(Lightly DopedDrain)结构,研究了它的形成工艺,获得多晶侧壁形成的优化工艺条件,制作出亚微米有效沟道长度的LDD NMOSFET。在器件性能研究和计算机模拟的基础上,得到PSSWS—LDDMOSFET的优化工艺实现条件;此条件下实现的有效沟道长为0.8μm的PSSWS—LDDNMOSFET,源漏击穿电压达20V,常规器件的小于16V;衬底电流较常规器件的减小约二个数量级。利用此优化条件,研制出高性能的1μm沟道长度的CMOS CD4007电路,2μm沟道长的21级CMOS环振,LSI CMOS 2.5μm沟道长度的门阵列电路GA 300 5SD。结果表明:PSSWS—LDD MOSFET性能衰退小,速度快,可靠性高,适用于VLSI的制造。     

铜厚膜环行器的研制

采用新型的在大气气氛中烧结的铜厚膜多层导电浆料,应用厚膜混合技术制作了2。2GHz和2.8GHz的环行器。其性能指标可与同类型采用薄膜贵金属制作的环行器相媲美,且工艺简单,成本低及生产周期短。