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41.
运用FLUENT数值模拟软件分析了平板集热器(倾角)变化对集热器传热特性的影响,保证其结构参数不变,通过对5组不同倾角(0°、30°、45°、60°、75°)的数值模型进行非稳态模拟,对模拟数据进行分析,得出了平板集热器不同倾角对集热器传热性能变化的影响。 相似文献
42.
43.
反应堆屏蔽计算中经常出现厚屏蔽、小探测器问题,常规蒙特卡罗方法难以有效解决。基于自动重要抽样(AIS)方法,本文提出了小探测器自动重要抽样(SDAIS)方法,并针对小探测器问题,优化了AIS方法的虚粒子赌分裂算法。该方法在自主开发的蒙特卡罗屏蔽程序MCShield上进行了实现。使用NUREG/CR-6115 PWR基准题验证该方法的正确性和计算效率。结果表明,SDAIS方法可有效地解决厚屏蔽小探测器问题,相比AIS方法及传统的重要性方法,计算效率提升1~2个量级。 相似文献
44.
目的:探索炎性疾病患者的乳酸林格氏液(Ringer's lactate,RL)液体动力学特征以及炎性生物标记物是否可以作为协变量影响RL分布和排泄。方法:本研究为前瞻性队列研究。选择40例美国麻醉医师分级(ASA)I-II级,腹腔镜下择期胆囊切除术(胆囊炎组,n=20)或者腹腔镜下急诊阑尾切除术(阑尾炎组,n=20)。所有患者麻醉诱导前开始输注RL,按15 mL/kg,35 min内输毕。采用酶联免疫(enzyme-linked immunosorbent assay,ELISA)方法测定血浆炎症(TNF-α,IL-10和CRP)或者内皮损伤生物标记物(syndecan-1,SDC-1);利用血红蛋白(Hb)稀释-时间曲线和尿量,使用Phoenix软件,采用非线性混合效应模型分析计算RL液体动力学参数和协变量的影响。结果:与胆囊炎组相比,阑尾炎组RL从组织间隙到血浆的转运速率常数(k21)显著降低(14×10-3min-1 versus 35×10-3min-1;P=0.012)。阑尾炎组C反应蛋白(CRP)升高[中位数38.1(1.8-143.6) μg/mL versus 1.3(0.1-159.0) μg/mL;P<0.001];与清醒状态相比,麻醉期间(输液开始后30~45 min),液体从中央室中到外周室的转运速率常数(k12)显著增加(57×10-3min-1 versus 32×10-3min-1;P<0.01)。清除速率常数(k10)降低90%(0.6×10-3min-1 versus 5.3×10-3min-1;P<0.001)。无论在清醒状态还是麻醉状态下低血压均能降低液体清除;炎症或者内膜损伤的生物标记物不能作为显著影响RL液体动力学参数的协变量。结论:阑尾炎或者胆囊炎患者术前输入液体后“炎症反应的生物标记物”不是RL的液体动力学的协变量,但是两组患者中,全身麻醉期间输入液体的清除率下降。 相似文献
45.
文章介绍了基于亚龙YL-236实验台的32×16点阵显示屏的硬件电路设计、电路驱动、软件设计,实现滚动显示16×16的汉字、8×16的数字、字母。具有结构简单,可控性好,方便实现的优点,具有一定的实际价值。 相似文献
46.
Within the framework of the effective-mass approximation and the dipole approximation, considering the three-dimensional confinement of the electron and hole and the strong built-in electric field(BEF) in strained wurtzite Zn O/Mg0:25Zn0:75O quantum dots(QDs), the optical properties of ionized donor-bound excitons(D+, X)are investigated theoretically using a variational method. The computations are performed in the case of finite band offset. Numerical results indicate that the optical properties of(D+, X) complexes sensitively depend on the donor position, the QD size and the BEF. The binding energy of(D+, X) complexes is larger when the donor is located in the vicinity of the left interface of the QDs, and it decreases with increasing QD size. The oscillator strength reduces with an increase in the dot height and increases with an increase in the dot radius. Furthermore, when the QD size decreases, the absorption peak intensity shows a marked increment, and the absorption coefficient peak has a blueshift. The strong BEF causes a redshift of the absorption coefficient peak and causes the absorption peak intensity to decrease remarkably. The physical reasons for these relationships have been analyzed in depth. 相似文献
47.
Rui ZHAO Weikai LI Tian WANG Ke ZHAN Zheng YANG Ya YAN Bin ZHAO Junhe YANG 《材料科学前沿(英文版)》2020,14(2):188
Effective thermal management of electronic integrated devices with high powder density has become a serious issue, which requires materials with high thermal conductivity (TC). In order to solve the problem of weak bonding between graphite and Cu, a novel Cu/graphite film/Cu sandwich composite (Cu/GF/Cu composite) with ultrahigh TC was fabricated by electro-deposition. The micro-riveting structure was introduced to enhance the bonding strength between graphite film and deposited Cu layers by preparing a rectangular array of micro-holes on the graphite film before electro-deposition. TC and mechanical properties of the composites with different graphite volume fractions and current densities were investigated. The results showed that the TC enhancement generated by the micro-riveting structure for Cu/GF/Cu composites at low graphite content was more effective than that at high graphite content, and the strong texture orientation of deposited Cu resulted in high TC. Under the optimizing preparing condition, the highest in-plane TC reached 824.3 W·m−1·K−1, while the ultimate tensile strength of this composite was about four times higher than that of the graphite film. 相似文献
48.
49.
We investigate the effect of dopant random fluctuation on threshold voltage and drain current variation in a two-gate nanoscale transistor. We used a quantum-corrected technology computer aided design simulation to run the simulation (10000 randomizations). With this simulation, we could study the effects of varying the dimensions (length and width), and thicknesses of oxide and dopant factors of a transistor on the threshold voltage and drain current in subthreshold region (off) and overthreshold (on). It was found that in the subthreshold region the variability of the drain current and threshold voltage is relatively fixed while in the overthreshold region the variability of the threshold voltage and drain current decreases remarkably, despite the slight reduction of gate voltage diffusion (compared with that of the subthreshold). These results have been interpreted by using previously reported models for threshold current variability, load displacement, and simple analytical calculations. Scaling analysis shows that the variability of the characteristics of this semiconductor increases as the effects of the short channel increases. Therefore, with a slight increase of length and a reduction of width, oxide thickness, and dopant factor, we could correct the effect of the short channel. 相似文献
50.
设备前期翻料钩摆臂角度设计错误,导致该处液压缸事故频繁,经改造后,将过渡篦条和中间过渡装置拆除。整体标高再次进行定位,实现穿孔出来的毛管直接过渡到轧机入口,无需中间翻料钩装置,以保证设备的正常运转和生产连续性。 相似文献