热交换器材料优化研究

对内螺纹铜管尺寸优化、铝箔厚度减薄前后的空调热交换器进行了单体性能实验和整机性能实验对比。实验结果表明优化后的内螺纹铜管、铝箔完全满足使用要求，为节约空调热交换器材料提供了有力的依据。     

基于S7工业以太网OPC通讯的实现

采用工业以太网技术及OPC Server通讯方式，有效地解决了均热炉控制系统中Siemens S7—300程控器与Intellution上位机软件FIX之间的通讯问题。     

在VC中利用Kodak控件采集图像

本文在详细介绍Kodak图像扫描控件的属性和方法上,在VC＋＋中用Kodak图像扫描控件实现上位机的动态采集外部图像数据.     

~(99)Tc~m-MDP、~(99)Tc~m(V)-DMSA和~(99)Tc4~m-Citrate显像对骨组织良恶性疾病鉴别诊断的对比研究

为评价99Tcm(V)二巯基丁二酸钠(DMSA)显像和99Tcm枸缘酸(Citrate)显像在骨转移癌和骨及骨关节炎症诊断中的意义,对骨转移癌患者和骨及骨关节炎症患者各18例分别进行99Tcm亚甲基二膦酸(MDP)、99Tcm(V)DMSA和99TcmCitrate全身显像,并比较了它们的显像结果。18例经病理学、CT或MRI证实有骨转移癌的患者,99TcmMDP显像共检出64个病灶,99Tcm(V)DMSA显像显示在与99TcmMDP显像相同部位同检出49个病灶,而99TcmCitrate显像仅检出1个病灶。18例经细菌学、CT或MRI证实的骨及骨关节炎症患者,99TcmMDP显像共检出22个病灶,99Tcm(V)DMSA显像显示在与99Tcm MDP显像相同部位同检出17个病灶,99TcmCitrate显像检出16个病灶。本组病例99Tcm(V)DMSA显像诊断骨转移癌的灵敏度为76.56%,特异性为22.73%; 99TcmCitrate显像诊断骨转移癌的灵敏度仅为1.56%,特异性为27.27%。99Tcm(V)DMSA显像诊断骨及骨关节炎症的灵敏度为77.27%,特异性为23.44%;99TcmCitrate显像诊断骨及骨关节炎症的灵敏度为72.73%,特异性为98.44%。以上结果表明,99Tcm(V)DMSA显像在诊断骨转移癌和骨组织炎症时应该慎重,因为它不能区分骨组织的良恶性病变性质,其对骨组织的良恶性病变性质的鉴别诊断应排除外骨组织炎症、骨折等骨组织良性病变的干扰。而99TcmCitrate     

水利工程信息管理系统的开发

讨论了水利工程对应用软件的实际需求，并提供了用于开发和维护系统的数据字典，对于系统的诸如菜单和窗口等用户界面单元也作了介绍。     

含化学反应体系多相平衡计算方法的研究进展

首先给出了含化学反应体系多相平衡计算问题的数学方程，然后对国内外含化学反应体系多相平衡计算方法的现状和进展做了综述，包括经典的非化学计量系数法和化学计量系数法以及最近提出的稳定性分析法、全局最优法和遗传算法等，并具体介绍了化学计量系数法中两种常用算法-S-C算法和KZ算法以及遗传算法的算法原理和计算步骤。     

国内正电子发射断层(PET)现状和展望

介绍了国内外正电子发射断层(PET)发展概况。截止2003年3月，国内有22个PET中心(包括已建、在建和计划中)、4台PET单机。正电子药物(^18F—FDG)方面：除由IBA公司2台30MeV回旋加速器生产的^18F—FDG已进入临床研究外，PET中心的17台小型回旋加速器生产的FDG按医院制剂使用。2001年FDGPET检查约6700人次。本文讨论了我国PET发展中应注意的几个问题：如PET目前未进入医疗保险；PET中心数目的发展，宜在国家主管部门统一规划下并根据社会经济发展水平、医院功能定位及社会和公众的承受能力，合理布局、有限量地增加；加强基础科学与临床医学协作；重视人才培养及培训；建议核学会或核医学会下属设立PET学组或专门委员会，以作为各PET中心和主管部门联系的纽带与桥梁。     

Electron gun for SSRF

A 100 kV triode-electron-gun has been designed and manufactured for the Linac of Shanghai Synchrotron Radiation Facility (SSRF). In this paper the performance of the gun and some key components are described.     

Fabrication of thick BOX SOI by Smart-cut technology

A SOI material with thick BOX (2.2 μm) was successfully fabricated using the Smart-cut technology. The thick BOX SOI microstructures were investigated by high resolution cross-sectional transmission electron mi-croscopy (XTEM), while the electrical properties were studied by the spreading resistance profile (SRP). Experimen-tal results demonstrate that both structural and electrical properties of the SOI structure are very good.     

Reduction of self-heating effect in SOI MOSFET by forming a new buried layer structure

An inherent self-heating effect of the silicon-on-insulator (SOI) devices limits their application at high current Ievels. In this paper a novel solution to reduce the self-heating effect is proposed, based on N+ and O+ co-implantation into silicon wafer to form a new buried layer structure. This new structure was simulated using Medici program, and the temperature distnbution and output characteristics were compared with those of the conven-tional SOI counterparts. As expected, a reduction of self-heating effect in the novel SOI device was observed.