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961.
工艺因素对低压化学气相沉积氮化硅薄膜的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
以硅烷和氨气分别做为硅源和氮源,以高纯氮气为载气,采用热壁式管式反应炉,通过低压化学气相沉积(low pressure chemical vapor deposition,LPCVD)技术制备了氮化硅薄膜(SiN_x)。借助椭圆偏振仪研究了SiN_x薄膜的生长动力学,通过Fourier红外光谱和X光电子能谱表征了SiN_x薄膜的性质,并利用原子力显微镜观察了SiN_x薄膜的微观形貌。在其它工艺条件相同的情况下,SiN_x薄膜的生长速率随着工作压力的增大单调增加,原料气中氨气与硅烷的流量之比(R)对薄膜的生长速率有相反的影响。随着反应温度的升高,沉积速率逐渐增加,在840℃附近达到最大,随后迅速降低。当R<2时获得富Si的SiN_x薄膜(x<1.33);当R>4时获得近化学计量(z≈1.33)的SiN_x薄膜。 相似文献
962.
ω-溴-对羟基苯乙酮制备工艺研究 总被引:2,自引:0,他引:2
报道了以氢溴酸为催化剂 ,乙醇为溶剂 ,对羟基苯乙酮与液溴反应制备ω 溴 对羟基苯乙酮的新方法 ,并对反应温度、反应时间等工艺条件进行了探索 ,找出了最佳反应条件 ,有效地降低了生产成本 ,简化了工艺条件。 相似文献
963.
负载钛酸酯催化剂催化合成己二酸二异辛酯 总被引:4,自引:0,他引:4
聚乙烯醇与四氯化钛在二甲基亚砜和无水乙醇的混合溶剂中反应,制得负载钛酸酯催化剂PVAC-1,用红外光谱对其进行了表征。结果表明:合成中投入3g聚乙烯醇,3mL四氯化钛时,过程容易控制,且催化剂的活性已达很高。确定了在PVAC-1催化作用下,合成己二酸二异辛酯的最佳反应条件及结果:即200℃~210℃下,加入0.3g催化剂,0.1mol己二酸与0.3mol异辛醇反应60min后,己二酸的转化率可达99.7%,PVAC-1重复使用16次后,己二酸的转化率仍保持在96%以匕。 相似文献
964.
965.
966.
随着嵌入式技术的不断发展,对嵌入式 CPU 的要求越来越高,而总线接口单元是嵌入式 CPU 不可或缺的重要组成部分,它为嵌入式 CPU 和外设及存储器之间提供了接口控制,是决定系统性能的重要因素。深入了解总线接口单元的基本结构和设计方法对嵌入式的开发大有好处。 相似文献
967.
为了实现对计算机的远程审计,提出了一种客户端程序和 B /S 结构程序并用的远程计算机审计系统设计方法。客户端程序用于采集计算机的各种4系统信息和使用记录,基于 JSP的 B /S 结构程序用于管理员对审计数据的查看。通过该系统的实现,证明该设计方法是实用而有效的。 相似文献
968.
将三聚氰胺氰尿酸盐(MCA)作为阻燃剂,采用一步全水发泡法,制备一系列硬质聚氨酯泡沫/三聚氰胺氰尿酸盐复合材料(RPUF/MCA),采用扫描电子显微镜(SEM)、热重分析(TG)、极限氧指数(LOI)、UL-94垂直燃烧、烟密度测试、傅立叶红外光谱(FT-IR)及拉曼光谱表征,研究了MCA对硬质聚氨酯泡沫(RPUF)泡孔结构、热稳定性、阻燃性及燃烧烟气密度的影响。研究表明,MCA能够显著提高RPUF/MCA的阻燃性能,30份的MCA使RPUF/MCA30达到UL-94 V-1级别,极限氧指数达到22.0%。热重测试结果表明,MCA的添加使成炭率降低;同时发现,MCA的添加降低了RPUF/MCA泡沫复合材料的初始热分解温度和复合材料的燃烧烟气密度,有效地提高了复合材料火灾安全性能。 相似文献
969.
970.