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151.
探讨了抗氧剂在聚乙烯 乙烯 醋酸乙烯酯共聚物 炭黑 (PE EVA CB)体系中的作用。结果表明 ,在体系中加入抗氧剂可以提高材料体系的结构稳定性 ,从而可以在一定程度上改善材料的热电稳定性。当在体系中加入 2 .0 %(w)的抗氧剂时可收到良好效果。  相似文献   
152.
新型长余辉稀土发光材料发光特性探讨   总被引:3,自引:0,他引:3  
本文对新型长余辉稀土发光材料在不同照度 ,不同激发时间等多种条件下的发光特性进行了检测 ,并对检测结果进行了分析讨论。  相似文献   
153.
冷成型模具低温锌系磷化   总被引:4,自引:1,他引:3  
研制出适用于冷成型模具高硬度表面的低温锌系磷化工艺。其中磷化液含Zn(H2 PO4 ) 2 ·2H2 O 6 0g/L ,Zn(NO3) 2 ·6H2 O 90g/L ,NaNO2 1.5g/L ,稀土促进剂 0~ 1.0g/L ,游离酸度 4~ 6点 ,总酸度 70~ 75点。该磷化液在 4 0℃下 ,处理 30~ 4 0min后可获得厚约 10 μm的磷化膜。性能测试表明 ,其减摩、润滑性能良好 ,摩擦系数约降 0 .1,与未处理试样相比磨损量下降 96 % ,附着力 1级。  相似文献   
154.
90年代以来,国外钻井液和完井液用聚合物添加剂的发展取得长足进步。本文介绍了国外目前用于钻井液和完井液的聚合物添加剂的类型及作用。  相似文献   
155.
传统的Arps产量递减分析方法要求事先选定递减规律的初始时间、初始产量及初始递减率,事实上这些参数是很难确定的。实际应用时不得不人为地加以臆断而使得此方法带有不确定性.为此提出了产量递减规律的诊断方法。应用诊断曲线很容易确定递减规律的模型参数,克服常规方法的不足。通过选用参考时间、参考产量和参考递减率,使得递减分析方法具有一定的灵活性和优越性、该方法简便、实用。  相似文献   
156.
介绍了高可靠电镀Ni/Au工艺在PTFE微波印制电路上的应用,并分析了氨基磺酸盐镀软镍和亚硫酸盐镀软金工艺的影响因素及提高Ni/Au镀层之间附着力的措施。通过实验及应用证明了与直接镀金工艺相比,在软基材PTFE敷铜箔板上镀Ni/Au工艺能大大提高微波电路的可焊性,高温稳定性和长期可靠性,并且用其所制作的微波器件的高频性能也优于直接镀金工业。  相似文献   
157.
寻找非构造油气藏的新思路   总被引:3,自引:0,他引:3  
目前,一种新的理论体系和研究方法已经形成,并正在发展和逐步完善。那就是层序地层学和油气成藏系统理论的诞生和发展;以及由计算机的快速发展带动起来的地震测井资料的采集、处理、显示和各种地质问题的计算机模拟技术,使得地质学和石油地质学都在朝着从定性到定量,从推测到更科学的预测方向发展。在今后的5~10年中,中国的石油地质家们不仅要注意方法和技术方面的进步,还应当重视在陆相层序地层学和陆相层序中油气成藏机制等基本理论方面的研究。  相似文献   
158.
The dispersion characteristics of circular dielectric waveguide with periodic metallic strips are analyzed by the method of lines. The filter property of the metallic strip loaded structure is carefully investigated for both TE and TM modes. The brillioum diagrams for both TE01 and TM01 modes are given. A comparison is made between the results obtained by Galerkin's method and those calculated with the method of lines, and very good agreement has been found; the accuracy of the present method is thus justified. On the basis of the analysis, some useful guidelines for the design of the bandreject filters are suggested.  相似文献   
159.
徐红艳  韩军 《真空与低温》1997,3(4):207-212
介绍了二级抛物面型辐射制冷器的热物理模型及用蒙特卡罗方法数值模拟解决其热流理论和辐射热耦合表面(漫发射、镜反射)辐射热交换的处理方法。  相似文献   
160.
For the first time, the surface metal on nonalloyed ohmic electrodes is found to significantly change the profiles of gate grooves, when resist openings are employed to monitor drain current during wet-chemical gate recess for sub-micron InAlAs/lnGaAs heterojunction field-effect transistors (HFETs). The surface metal of Ni enhances the etching rate in comparison with that in the absence of electrodes by a factor of 4 and 10, laterally and vertically, which is favorable to fabricate deep gate grooves with small side etching. The Pt surface metal, however, leads to preferential etching of InGaAs over InAlAs, which can be useful to realize large side etching. The existence of an electrochemistry-related etching component, which arises when the ohmic electrodes are present during recess etching, is considered to be responsible for these behaviors  相似文献   
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