基于蚁群智能和支持向量机的人脸性别分类方法

蚁群优化算法是根据自然界中蚂蚁能够将食物以最短路径搬回蚁巢这一智能行为而提出的一种新颖的进化算法,该算法不仅具有很好的鲁棒性,良好的正反馈特性,而且具有并行分布计算的特点。同时,支持向量机又是一种基于结构风险最小化原理的机器学习技术,具有很强的学习泛化能力,为此,文章提出了基于蚁群优化算法和支持向量机的人脸性别分类的方法。首先,通过KL变换降低人脸性别特征的维数,并根据特征值按照从大到小的顺序进行排列,然后采用10-交叉确认技术,用蚁群优化算法对人脸性别特征面进行选择,以对支持向量机进行学习、训练和测试。实验表明,与其他分类算法相比较,这种方法不仅图像处理简单,实用性强,而且正确识别率特别高。     

相控阵雷达目标径向速度数字精确测量技术

目标的速度及其加速度是弹道导弹防御相控阵雷达鉴别真假弹头的的重要特征量,同时对宽带雷达的一维距离像的速度补偿提供必要的信息．该文根据相控阵雷达多目标数据率低的特点,提出了细谱线目标速度精确测量的数字实现方法;分析了在目标截获中脉冲相关法与通道补偿法两种估计加速度方法的性能,并提出了解速度模糊的新方法,分析和计算．结果表明所提出的速度截获和解模糊方法是可行的．     

XBSIA:一种基于XML的安全技术集成框架

通过信息安全性的形式化定义指出了XML的逻辑安全层次与相应的协议结构，在分析：XML相关安全技术的数据结构与机制的基础上，提出了一个基于XKMS的信任服务架构模型XKMS-TA，该模型降低了客户端配置的复杂度和部署与维护的成本，并提高了互操作性。随后，本文将XKMS-TA与XACM相结合，设计了一个XML的安全集成体系结构：XBSIA，并在OPEN-CLASS分布式网络教学平台的开发过程中得到实现，实践证明XBSIA具有较强的安全性与动态可维护性。     

ASP的Web数据库访问技术及其应用

介绍了ASP访问Web数据库的基本原理及其通过ADO对象访问数据库的方法，并通过笔者完成的一个实例进行了说明。     

实验性缺氧性肺动脉高压肺腺泡内动脉的超微结构观察

目的:观察实验性缺氧性肺动脉高压肺腺泡内动脉的超微结构变化并探讨其发生机理。方法:将Wistar大鼠随机分成对照组(n=9)及肺动脉高压组(n=9)。以右心导管法测定肺动脉平均压力(mPAP)。用透射电镜观察肺腺泡内动脉超微结构。结果:肺动脉高压组大鼠mPAP较对照组明显增高(P<0 01)。超微结构观察,肺动脉高压组大鼠肺腺泡内动脉内皮细胞增生、变性。内弹力膜厚薄不均。呼吸性细支气管水平小动脉中层平滑肌细胞增生;呼吸性细支气管水平及肺泡水平小动脉肌化。中间型细胞及血管周细胞增生。胶原原纤维增多。结论:肺腺泡内动脉平滑肌细胞增生及动脉肌化是缺氧性肺动脉高压特征性的超微结构变化。肺血管结构重建是缺氧性肺动脉高压形成的病理基础。     

烧结助剂对BiNbO4陶瓷烧结特性及介电性能的影响

研究了ZnO-B2O3、ZnO-B2O3-SiO2、B2O3对BiNbO4陶瓷烧结特性及介电性能的影响。结果表明:ZnO-B2O3、ZnO-B2O3-SiO2、B2O3液相存在于晶粒和晶界上,不同程度地促进烧结,大幅度降低BiNbO4的相变温度;ZnO-B2O3-SiO2、B2O3的加入,对BiNbO4的介电常数、Q值影响较大;而添加1%质量分数的ZnO-B2O3,致密化温度降低到900,达到96%的理论密度,在920保温4h,材料的r为41,Q·f为13500GHz。     

RF-MBE生长的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管特性

用射频分子束外延技术研制出了室温迁移率为10 35 cm2 /(V·s) ,二维电子气浓度为1.0×10 1 3cm- 2 ,77K迁移率为2 6 5 3cm2 /(V·s) ,二维电子气浓度为9.6×10 1 2 cm- 2 的Al Ga N/Ga N高电子迁移率晶体管材料.用此材料研制的器件(栅长为1μm,栅宽为80μm,源-漏间距为4μm )的室温非本征跨导为186 m S/m m,最大漏极饱和电流密度为92 5 m A/m m,特征频率为18.8GHz.     

高剂量Ge离子注入直接形成nc-Ge的研究

报道了分别采用剂量为1e1 6 ,1e1 7,5e 1 7和1e1 8cm- 2的高剂量Ge离子注入,不需退火即可在Si O2中直接形成Ge纳米晶的新现象.采用掠入射X射线衍射和激光喇曼谱等实验手段对样品进行了物相分析.结果表明,高剂量Ge离子注入可在SiO2 薄膜中直接形成Ge纳米晶(nc- Ge) ;非晶态Ge向晶态Ge发生相变的阈值剂量约为1e1 7cm- 2 ,离子注入直接形成的nc- Ge内部具有较大压应力,随着注入剂量的提高,nc- Ge的尺寸和含量均有提高.对纳米晶形成机理的研究认为,在Ge离子注入剂量达到阈值,此时膜中Ge非晶态团簇浓度达到饱和甚至过饱和,新入射的     

双异质外延Si/Al2O3/Si薄膜制作的CMOS器件

报道了利用高真空MOCVD外延生长γ氧化铝的技术和利用SOS CMOS的成熟工艺制作双异质外延Si/γ-Al2O3/Si单晶薄膜以及用其研制Si/γ-Al2O3/Si CMOS场效应晶体管、Si/γ-Al2O3/Si CMOS集成电路的初步结果.     

一种新型的高精度神经元MOS源极跟随单元电路

提出了一种新型的神经元MOS源极跟随电路结构,该电路即使在输入信号小于阈值电压的情况下也能够完成源极跟随的功能,因而具有较高的精度.仿真和实验结果表明它比传统的神经元MOS源极跟随电路具有更高的精度