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BAMHL1 1 /3- 72 0 0 - 1× 3W是在总结以往充气集合式高电压并联电容器产品优点的基础上 ,为优化大容量产品结构 ,提高绝缘可靠性和设备技术经济性能而开发的项目。本文着重介绍该产品的内部结构、外壳筋板结构和混合气体绝缘等几点改进。 相似文献
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高铬锰白口铸铁的软化处理 总被引:2,自引:0,他引:2
研究了 4种退火工艺对高铬锰白口铸铁组织和硬度的影响规律。结果表明 ,采用 85 0℃保温 4h ,随后于 72 0℃保温 6h退火工艺 ,硬度最低为 36~ 38HRC ,机加工性能最好。 相似文献
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随着计算机网络的迅速发展,网络安全问题正变得日益重要。文章介绍了计算机网络系统IP层安全概况和入侵者对IP层常采用的入侵手段,以及为防止这种入侵所采取的措施。 相似文献
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A planar double-gate SOI MOSFET (DG-SOI) with thin channel and thick source/drain (S/D) was successfully fabricated. Using both experimental data and simulation results, the S/D asymmetric effect induced by gate misalignment was studied. For a misaligned DG-SOI, there is gate nonoverlapped region on one side and extra gate overlapped region on the other side. The nonoverlapped region introduces extra series resistance and weakly controlled channel, while the extra overlapped region introduces additional overlap capacitance and gate leakage current. We compared two cases: bottom gate shift to source side (DG/spl I.bar/S) and bottom gate shift to drain side (DG/spl I.bar/D). At the same gate misalignment value, DG/spl I.bar/S resulted in a larger drain-induced barrier lowering effect and smaller overlap capacitance at drain side than DG/spl I.bar/D. Because of reduced drain-side capacitance, the speed of three-stage ring oscillator of DG/spl I.bar/S, with 20% gate misalignment length (L/sub mis/) over gate length (L/sub g/), or L/sub mis//L/sub g/=20%, was faster than that of two-gate aligned DG-SOI. 相似文献