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Hsu S. Alvandpour A. Mathew S. Shih-Lien Lu Krishnamurthy R.K. Borkar S. 《Solid-State Circuits, IEEE Journal of》2003,38(5):755-761
This paper describes a 32-KB two-read, one-write ported L0 cache for 4.5-GHz operation in 1.2-V 130-nm dual-V/sub TH/ CMOS technology. The local bitline uses a leakage-tolerant self reverse-bias (SRB) scheme with nMOS source-follower pullup access transistors, while preserving robust full-swing operation. Gate-source underdrive of -220 mV on the bitline read-select transistors is established without external bias voltages or gate-oxide overstress. Device-level measurements in the 130-nm technology show 72/spl times/ bitline active leakage reduction, enabling low-V/sub TH/ usage, 40% bitline keeper downsizing, and 16 bitcells/bitline. 11% faster read delay and 2/spl times/ higher dc noise robustness are achieved compared with high-performance dual-V/sub TH/ bitline scheme. Sustained performance and robustness benefits of the SRB technique against conventional dynamic bitline with scaling to 100- and 70-nm technology is also presented. 相似文献
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A jet-printed digital-lithographic method, in place of conventional photolithography, was used to fabricate 64 /spl times/ 64 pixel (300 /spl mu/m pitch) matrix addressing thin-film transistor (TFT) arrays. The average hydrogenated amorphous silicon TFT device within an array had a threshold voltage of /spl sim/3.5 V, carrier mobility of 0.7 cm/sup 2//V/spl middot/s, subthreshold slope of 0.76 V/decade, and an on/off ratio of 10/sup 8/. 相似文献
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Wang Tian-kui Lu Fang Fan Xiao-bing Shi Xiao-jun China Ship Scientific Research Center Wuxi China 《水动力学研究与进展(B辑)》2003,15(4)
1 . INTRODUCTIONIntherecentdecades ,itisrealizedthatitisquitenecessarytocarryouttestsathighReynoldsnumberwithalowbackgroundnoiselevelinordertomeetmoreandmoreurgentneedsofmodernnavyandmaritimeindustry .Anewlargecavita tionchannelisdevelopedinCSSRCfortestingcompletehull/ propulsor/appendagesarrange ments[1] .Itrepresentsoneofthelatestintechno logicallyadvancedlargecavitationtestfacilities.Inthefollowingsections ,thefeaturesandthefirsttestresultsofthechannelwillbedescribed .2 . DICRIP… 相似文献
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4G mobile communications: toward open wireless architecture 总被引:2,自引:0,他引:2
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利用ZM定向凝固装置研究了镍基单晶高温合金DD3在高温度梯度(700~1200K/cm)定向凝固条件下的微观组织演化特征及其对工艺参数的响应函数,结果表明:该合金在高界面温度梯度条件下,柱晶生长速度范围向高速区扩展,从而使单晶亚结构细化成为可能。所得单晶棒中亚结构一次间距可比传统HRS法定向凝固籽晶中相应尺度减小5~10倍。本文还对其组织演化机制进行了分析。 相似文献
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Zhen-Qiu Lu Yan-Yun Zhang 《IEEE transactions on ultrasonics, ferroelectrics, and frequency control》1996,43(2):296-302
Reconstruction algorithms and their numerical examples of acoustical tomography based on the second-order Born transform perturbation approximation are presented. The reconstruction algorithms in the second-order Born approximation are similar in form to those in the first-order Born approximation. Replacing the angular spectrum of the scattered wave in the first-order case by the result of applying a first-order operator to the angular spectrum of the scattered wave or applying a second-order operator to the angular spectrum of the incident wave leads to the second-order reconstruction algorithms. Also, comparisons of reconstruction algorithms of the first- and second-order Born approximations are given, and they show that the second-order Born approximation algorithms have a distinct advantage over the first-order approximations in many cases 相似文献
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本文利用OMA-Ⅲ系统测量了脉冲TEA CO_2激光诱发的SiH_4等离子体发光谱内H巴耳末系的H_α、H_β和H_γ线的线型及线宽。通过理论及实验分析,认为这些谱线的主要加宽机制为Stark加宽。由实验线型和理论线型的拟合得到等离子体的电子温度T≈40000K和电子密度N≈10~(17)cm~(-3)。 相似文献