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在分析了双极型晶体管和场效应晶体管各自的特点和不足后,介绍了一种既具有双极型晶体管较大电流容量和功率输出,又具有场效应晶体管高输入阻抗的电子器件——双极MOS场效应晶体管(BJMOSFET),同时指出体硅BJMOSFET的阳极扩散区与衬底之间存在较大的漏电流,可产生较大的寄生效应。提出了一种新型固体电子器件——基于SOI的BJMOSFET,分析了其工作原理j与体硅BJMOSFET比较,由于SOI技术完整的介质隔离避免了体硅器件中存在的大部分寄生效应,使基于SOI的BJMOSFET在体效应、热载流子效应、寄生电容、短沟道效应和闩锁效应等方面具有更优良的特性。 相似文献
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通过对地杂波O.94μm激光后向反射率的测试,获取不同入射角的多背景后向反射率测试数据。通过对测试数据的分析处理提供特征信息,为激光探浏器设计提供依据。 相似文献
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无机阻燃剂高聚合度聚磷酸铵的研制 总被引:9,自引:3,他引:6
以五氧化二磷、磷酸铵盐、尿素为原料、氨气为保护气,制备了高聚合度聚磷酸铵无机阻燃剂。考察了五氧化二磷、磷酸铵盐、尿素的用量和反应温度对聚磷酸铵平均聚合度的影响。采用端基滴定法测定了聚磷酸铵的聚合度,并用X射线衍射(XRD)法表征了聚磷酸铵的晶体结构,同时测定了聚磷酸铵的粒度和溶解度。实验结果表明,制备聚磷酸铵的最佳反应条件为:n(磷酸氢二铵)∶n(五氧化二磷)∶n(尿素)=1∶1∶0.3,反应温度280~300℃,反应时间40m in,热处理温度250~280℃,热处理时间110m in。在此条件下制备的聚磷酸铵的平均聚合度大于600,平均粒径直径小于50μm,在水中的溶解度小于0.4g;XRD表征结果表明,所合成的物质为Ⅱ型聚磷酸铵。 相似文献
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利用硫酸软骨素(chondroitin sulfate,CS)在云母基底上通过浇铸法制备的自组装膜为基底,诱导草酸钙在其上的凝集生长。发现当硫酸软骨素的浓度为1.Omg/ml时在该膜体系中可形成规整的周期性草酸钙环状沉淀。这种有序的环状结构可能是耗散结构的一种具体表现形式。利用原子力显微镜(atomic forcemicroscope,AFM)和傅立叶红外光谱仪对这种结构进行了表征,实验结果显示合适浓度下形成的CS膜在一定程度上可以抑制草酸钙的凝集结晶,表明高分子基质与无机离子间强烈的相互作用对无机盐的成核结晶有显著影响,为探讨结石的形成与抑制提供了一定的实验依据。 相似文献
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